公开(公告)号：CN102643240B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210025092.X

申请日：2012-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  北野靖 ,  下垣智子 ,  大泽信晴 ,  瀬尾哲史

IPC: C07D241/38 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/025 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1014 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/508 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新的杂环化合物，在发光元件中，该杂环化合物可以用作使发光层的发光物质分散的主体材料。本发明的一个方式提供由通式(G1)表示的杂环化合物。在通式中，A表示取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基或者取代或未取代的咔唑基，R11至R19分别表示氢、碳数为1至4的烷基或者取代或未取代的碳数为6至13的芳基，并且，Ar表示取代或未取代的碳数为6至13的亚芳基，

公开(公告)号：CN103030632B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210579702.0

申请日：2011-03-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/10 ,  C07D405/10 ,  C07D409/10 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5056 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的目的是提供可用于发光元件、作为在其中分散有发光物质的发光层的主体材料的新型杂环化合物。本发明的其他目的是提供具有低的驱动电压的发光元件、具有高的电流效率的发光元件、和具有长的寿命的发光元件。提供包括其中二苯并[f,h]喹喔啉环和空穴传输骨架通过亚芳基键合的化合物的发光元件，和各自使用该发光元件的发光器件、电子器件、和照明器件。提供由以下通式(G1)表示的杂环化合物。

公开(公告)号：CN102417477A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110306192.5

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 尾坂晴惠 ,  高须贵子 ,  门间裕史 ,  川田优子 ,  下垣智子 ,  能渡広美 ,  铃木恒德 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/86 ,  C07C25/22 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5376 ,  H01L2251/552 ,  Y10S428/917

Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。

公开(公告)号：CN101691366A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200810179733.0

申请日：2008-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  下垣智子 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: C09K11/06 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1048 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5048 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的目的在于：提供一种新的喹喔啉衍生物；提供一种驱动电压低的发光元件；提供耗电少的发光元件；以及提供通过使用这些发光元件提供低耗电的发光装置及电子设备。本发明提供以通式(G11)表示的喹喔啉衍生物，它具有喹喔啉的二位或三位的至少一方的碳和苯并噁唑的二位的碳介由亚芳基彼此键合的结构。

公开(公告)号：CN101580504A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910203513.1

申请日：2009-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  川上祥子 ,  野村洸子 ,  牛洼孝洋 ,  濑尾哲史

IPC: C07D413/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  C07D401/04 ,  C07D213/26 ,  C07D213/34

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D401/04 ,  C07D413/10 ,  C07D413/14 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明的苯并噁唑衍生物提供减少发光元件的驱动电压，并且减少发光元件、发光装置以及电子设备的耗电。发明提供一种以通式(G1)表示的苯并噁唑衍生物。因为以通式(G1)表示的苯并噁唑衍生物具有电子注入性，因此该苯并噁唑衍生物可以优选用于发光元件、发光装置以及电子设备。