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公开(公告)号：CN1897775B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610121268.6
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/326 , H01L51/5052 , H01L51/5092 , H01L51/5265
Abstract: 在没有诸如电压和发光效率降低的不利后果下，改善了发光元件的色纯度。该发光元件含有发光层叠体，其包括在一对电极之间的发光层。缓冲层设置为与至少一个电极接触。电极中的一个为具有高反射率的电极，而另一个为半透明电极。通过提供半透明电极，光可以透过并被反射。电极之间的光学距离根据缓冲层的厚度调整，因此，光可以在电极之间共振。所述缓冲层由包含有机化合物和金属化合物的复合材料制成，因此，即使电极间的距离变大，发光元件的电压和发光效率也不会受到影响。
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公开(公告)号：CN100557813C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200580035611.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , G06K19/07 , G06K19/077 , G06K19/10 , H01L51/05
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN101263616A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680027259.9
申请日：2006-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0072 , H01L51/0081
Abstract: 本发明的目的是，提供具有高发光效率的发光元件，和低电压驱动的发光元件。本发明的另一目的是，通过采用该发光元件提供具有低能耗的发光器件。本发明的另一目的是，通过在显示部分中采用该发光器件提供具有低能耗的电子设备。发光元件包括，在一对电极之间，含有第一有机化合物和无机化合物的复合材料的层和含有第二有机化合物的、与含有复合材料的层相接触的层，其中如果将第二有机化合物与无机化合物配料，该第二有机化合物在450～800nm的波长范围内不存在吸收光谱的峰值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101065858A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200580040713.X
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种发光元件，其包含有机化合物和无机化合物，而且具有低驱动电压。本发明的发光元件包括位于一对电极之间的多个层，所述多个层中包括一个层，其包含通式(1)表示的咔唑衍生物以及相对于所述咔唑衍生物表现出电子接受性质的无机化合物。通过使用这种结构，电子在咔唑衍生物和无机化合物之间传输，载流子在内部产生，因此可以降低发光元件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN101048869A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
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公开(公告)号：CN101044623A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035611.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/28 , G06K19/07 , G06K19/077 , G06K19/10 , H01L51/05
CPC classification number: G11C16/22 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , G11C13/04 , G11C17/16 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：存储器，该存储器具有包括多个存储单元的存储单元阵列；控制该存储器的控制电路；和天线，其中存储单元阵列具有多个沿着第一方向延伸的位线和多个沿着不同于第一方向的第二方向延伸的字线，该多个存储单元中的每一个具有设置在位线和字线之间的有机化合物层。通过向该有机化合物层施加光学作用或电学作用来写入数据。
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公开(公告)号：CN1885585A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094005.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/0071 , H01L51/0081 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H05B33/22 , Y10S428/917
Abstract: 发光器件包括一对电极和在一对电极之间提供的混合层。混合层包含不含氮原子的有机化合物，即不含有芳胺骨架的有机化合物，和金属氧化物。作为有机化合物，优选使用含有蒽骨架的芳烃。作为这样的芳烃，列举t－BuDNA、DPAnth、DPPA、DNA、DMNA、t－BuDBA等。作为金属氧化物，优选使用氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等。此外，当测量吸收光谱时混合层优选显示每1μm的吸光度是1或更小或在450－650nm的光谱中不显示明显的吸收峰。
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公开(公告)号：CN1837324A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610071838.5
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明目的是提供一种低驱动电压的发光元件，该发光元件包含有机化合物和无机化合物。本发明发光元件的一个特征是包含了在一对电极之间的含发光物质的层，该含发光物质的层具有含通式(1)表示的咔唑衍生物和对由该通式(1)表示的该咔唑衍生物显示接受电子性质的无机化合物的层。以这样的结构，无机化合物从咔唑衍生物接受电子，在内部产生载流子，并将降低发光元件的驱动电压。
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