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公开(公告)号：CN118472063A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410920081.0
申请日：2024-07-10
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H02S50/10
摘要： 本申请实施例涉及一种太阳能电池及其测试系统和光伏组件，太阳能电池包括：衬底；多个第一掺杂区，设于衬底的第一面，第一掺杂区的掺杂类型与衬底相同，且第一掺杂区的掺杂浓度高于衬底的掺杂浓度；多个第二掺杂区，设于衬底的第一面，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区不同，且第二掺杂区与第一掺杂区间隔设置；多个第一电极，设于衬底的第一面并与第一掺杂区接触；多个第二电极，设于衬底的第一面并与第二掺杂区接触；其中，第一电极和第二电极相错开，以使测试台的同一导电测试结构同时接触多个第一电极或多个第二电极，且第一电极和第二电极不同时与同一导电测试结构的接触。
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公开(公告)号：CN118248783A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410375805.8
申请日：2024-03-29
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/068
摘要： 本申请提供一种背接触太阳能电池及其制备方法，该背接触太阳能电池的制备方法包括：在衬底背面依次沉积本征多晶硅层和掩膜层；利用掩膜层形成隔离结构；在隔离结构的两侧分别进行掺杂离子扩散，以在本征多晶硅层形成P区和N区，其中，本征多晶硅层包括P区、N区和位于P区和N区之间且被隔离结构覆盖的隔离区；以及去除隔离结构。通过本申请能够提升背接触太阳能电池的的效率。
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公开(公告)号：CN117219693B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311485039.2
申请日：2023-11-09
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0352
摘要： 本申请提供了一种背接触太阳电池及电池组件，包括：衬底，具有相对的衬底正面和衬底背面，其中，所述衬底正面更靠近所述电池的主受光面，所述衬底背面更靠近所述电池的非主受光面；P型极性区，包括第一掺杂半导体层；N型极性区，包括第二掺杂半导体层，所述N型极性区和所述P型极性区交替位于所述衬底背面的一侧，其中，所述第二掺杂半导体层沿所述电池的法线方向的厚度小于所述第一掺杂半导体层沿所述法线方向的厚度；以及隔离区，位于每相邻两个所述N型极性区和P型极性区之间。本申请提供的背接触太阳电池及电池组件能够兼顾太阳能电池的电学和光学性能，进一步提高太阳能电池的短路电流、开路电压以及光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117790590A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311792148.9
申请日：2023-12-22
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及一种钝化膜、钝化膜制备方法和太阳能电池，钝化膜包括两层钝化层，第一钝化层设置于衬底表面，第二钝化层设置于第一钝化层背离衬底的表面，第一钝化层的场钝化效果优于第二钝化层的场钝化效果，也即靠近衬底的膜层场钝化效果优于最上的场钝化效果，能够阻止类似极性的电荷载流子靠近衬底，极大地减少一种极性的载流子达到表面的数量，显著减小衬底表面的复合损失。第二钝化层的化学钝化效果优于第一钝化效果，钝化膜最外层的上表面膜层化学钝化效果最佳，使原子有足够的时间和能量达到最佳能级，从而使表面悬空键饱和，减少其对其他正负电荷的复合作用，确保钝化膜的钝化效果。也即本申请中钝化膜能够兼顾场钝化效果和化学钝化效果。
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公开(公告)号：CN117276361B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311561364.2
申请日：2023-11-22
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/042 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括基底和钝化接触结构；钝化接触结构包括依次设置于基底的一个表面的第一隧穿氧化层、多晶硅掺杂导电层以及第二隧穿氧化层；其中，多晶硅掺杂导电层和第一隧穿氧化层的至少部分区域形成有多个间隔布置的孔洞，各孔洞贯穿多晶硅掺杂导电层，并延伸至第一隧穿氧化层中；第二隧穿氧化层至少填充各孔洞的位于第一隧穿氧化层中的部分。本发明能够改善钝化接触结构的表面钝化效果，降低表面复合，提升太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN117423763A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311748107.X
申请日：2023-12-19
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明公开了太阳能电池及其制备方法和太阳能电池组件，太阳能电池包括：半导体衬底、第一衬底掺杂层、第二衬底掺杂层、第一钝化层和第一掺杂半导体层，半导体衬底具有第一面，第一面包括沿第一方向相邻设置的第一区域和第二区域，第一衬底掺杂层设在第一区域，第二衬底掺杂层设在第二区域，第一衬底掺杂层与第二衬底掺杂层相连，第一钝化层设在第二衬底掺杂层的远离半导体衬底的一侧，第一掺杂半导体层设在第一钝化层的远离半导体衬底的一侧。本发明降低了太阳能电池的光电转换效率衰减，且减少了太阳能电池正面的光吸收损失，从而提高了太阳能电池的短路电流和光电转化效率。同时，还降低了太阳能电池的制备成本。
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公开(公告)号：CN117352566A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311645077.X
申请日：2023-12-04
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本申请提供了一种杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法，包括半导体衬底，具有相对的衬底正面和衬底背面，其中，衬底正面更靠近电池的向光面，衬底背面更靠近电池的背光面；至少两个复合层，位于衬底正面的一侧，每个复合层包括沿逐渐远离衬底正面的方向依次排布的隧穿层和掺杂多晶硅层的叠层结构。本申请提供的杂化异质结太阳能电池及电池组件和制备方法能够在电池表面获得稳定的钝化效果，并且能够降低电池非金属区域的光吸收，同时实现更好的工艺流程控制。
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公开(公告)号：CN116913998A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310983658.8
申请日：2023-08-04
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/18
摘要： 本申请涉及一种光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括：硅基底层，具有背离向光侧的背光面，所述硅基底层内形成有掺杂类型不同的内发射极区与背表面场区，所述内发射极区与所述背表面场区均自所述背光面沿第一方向朝所述硅基底层内部延伸，所述内发射极区与所述背表面场区背离所述背光面的端面平齐，且所述内发射极区与所述背表面场区沿第二方向空间间隔，其中，所述第一方向为所述光伏电池的厚度方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。上述光伏电池，能够在不开设沟槽的前提下实现内发射极区和背表面场区的隔离，从而能尽量保证电池的强度，降低电池断裂的风险。
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公开(公告)号：CN116845137A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310875580.8
申请日：2023-07-17
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/068
摘要： 本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。可以提高隧穿氧化层的均匀性，从而提高电池钝化效果和光电转换效率。一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括：硅基底以及设置于所述硅基底上的隧穿氧化层，所述制备方法包括：采用湿法氧化法或气体氧化法，在所述硅基底的表面生长第一氧化层；采用热氧化法，在第一氧化层上继续生长第二氧化层，制备隧穿氧化层。
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公开(公告)号：CN112701187B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202011579262.X
申请日：2020-12-28
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种切片电池边缘钝化方法及设备，其中方法可包括采用激光对太阳电池划片并裂片，得到多个电池切片；对每一个电池切片，通过腐蚀溶液对所述电池切片的切割边缘进行刻蚀；对所述切割边缘进行清洗；以及对所述电池切片进行烘干，并在所述切割边缘生成一层氧化层。
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