一种光谱结合质谱的未知样品中元素的定量分析装置

    公开(公告)号:CN107219214A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710616070.3

    申请日:2017-07-26

    CPC classification number: G01N21/718 G01N27/62

    Abstract: 本发明公开了一种光谱结合质谱的未知样品中元素的定量分析装置。本装置使用激光诱导击穿光谱结合一种二级引出场飞行时间质谱(TOF)的定量分析结构与方法。实现高探测灵敏度、实时、快速、高精度、无接触式、多元素同时检出且样品无需预处理的定量分析装置。其中该装置中的双波长激光,便于再次电离光碎片及分子团簇,提高质谱信号稳定性,增强激光等离子体发射光谱信号;该装置中二级引出场,便于提高TOF质谱分辨率以及优化信号;该装置中的光谱收集系统,可以提高收集等离子体发射光耦合到光纤的能力,并且可以折叠光路,极其有利于仪器集成化,小型化,便于仪器商品化。

    去除多晶硅中硼的方法
    83.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103318894B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310262432.5

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明提供一种去除多晶硅中硼的方法,包括以下步骤:向待提纯硅料中添加金属,制成混合料;将混合料加热至熔融态成为改性的硅液,向改性的硅液中加入SiO2-CaO-X渣剂进行造渣熔炼提纯;熔炼提纯后,倾倒分离渣和硅液,将所述硅液冷却后得到硼含量较低的多晶硅;其中,所述金属为Ti、Sn、Al、Fe、Cu和Mn中一种或多种;所述SiO2-CaO-X渣剂中X为Na2SiO3、Na2CO3、Al2O3、Li2O、BaO、TiO2和CaF2中的一种。本发明步骤科学、合理,克服了现有技术的诸多缺点,采用该方法制备的多晶硅中硼含量符合太阳能级多晶硅的要求。

    一种真空紫外激光清洗托卡马克第一镜的方法及装置

    公开(公告)号:CN102218415B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201110056878.3

    申请日:2011-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种真空紫外激光清洗托卡马克第一镜的方法及装置。采用激光消融的方法清除第一镜上的尘埃杂质沉积层,通过控制激光器的输出能量,使作用于第一镜样品表面的准分子激光束的能量密度处于杂质沉积层的清洗阈值与第一镜表面金属的损伤阈值之间,清除杂质的同时不会伤到第一镜表面金属材料。本发明的真空紫外激光清洗第一镜的方法及装置采用波长为193nm的激光与材料相互作用过程中烧蚀效应小,表面均匀性好,尘埃清洗的干净,效果理想。

    去除多晶硅中硼的方法
    85.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103318894A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310262432.5

    申请日:2013-06-27

    Abstract: 本发明提供一种去除多晶硅中硼的方法,包括以下步骤:向待提纯硅料中添加金属,制成混合料;将混合料加热至熔融态成为改性的硅液,向改性的硅液中加入SiO2-CaO-X渣剂进行造渣熔炼提纯;熔炼提纯后,倾倒分离渣和硅液,将所述硅液冷却后得到硼含量较低的多晶硅;其中,所述金属为Ti、Sn、Al、Fe、Cu和Mn中一种或多种;所述SiO2-CaO-X渣剂中X为Na2SiO3、Na2CO3、Al2O3、Li2O、BaO、TiO2和CaF2中的一种。本发明步骤科学、合理,克服了现有技术的诸多缺点,采用该方法制备的多晶硅中硼含量符合太阳能级多晶硅的要求。

    一种熔炼坩埚用涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN102221293B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201110152133.7

    申请日:2011-06-08

    Inventor: 谭毅 张磊 许富民

    Abstract: 本发明属于制备涂层的技术领域。一种熔炼坩埚用涂层的制备方法,首先对熔炼坩埚进行烘制预处理,然后采用PVP无水乙醇溶液与氮化硅配置悬浊液,将悬浊液均匀喷涂于熔炼坩埚内壁,最后将喷好涂层的熔炼坩埚进行预烧处理,即可在熔炼坩埚内壁得到一层厚度均匀、结构致密的氮化硅涂层。本发明的显著效果是在喷涂前对熔炼坩埚进行烘制预处理及清洗处理,有利于涂层的粘连,涂层悬浊液加入PVP无水乙醇溶液,烘制后无水乙醇蒸发,粘结剂PVP将涂层粘连到坩埚内壁上,涂层的粘连性较大,防止坩埚与熔体的反应粘连,实现铸锭的顺利脱模,同时防止杂质进入熔液,实现熔体的提纯效果,满足了铸造过程中涂层的使用要求。

    一种光谱结合质谱的未知样品中元素的定量分析装置

    公开(公告)号:CN207396353U

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201720911911.9

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 本实用新型公开了一种光谱结合质谱的未知样品中元素的定量分析装置。本装置使用激光诱导击穿光谱结合一种二级引出场飞行时间质谱(TOF)的定量分析结构与方法。实现高探测灵敏度、实时、快速、高精度、无接触式、多元素同时检出且样品无需预处理的定量分析装置。其中该装置中的双波长激光,便于再次电离光碎片及分子团簇,提高质谱信号稳定性,增强激光等离子体发射光谱信号;该装置中二级引出场,便于提高TOF质谱分辨率以及优化信号;该装置中的光谱收集系统,可以提高收集等离子体发射光耦合到光纤的能力,并且可以折叠光路,极其有利于仪器集成化、小型化,便于仪器商品化。

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