公开(公告)号：CN108463894B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201680076949.7

申请日：2016-12-28

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： 秉权·丹尼尔·曾 ,  安达千波矢

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明是一种有机电致发光元件，其具有至少依序积层阳极(2)、发光层(3)、阴极(4)的构造，且发光层(3)含有第1主体材料、第2主体材料及作为掺杂剂的发光材料，第1主体材料及第2主体材料均具有高于发光材料的最低激发三重态能级的最低激发三重态能级。该元件能够抑制驱动时经时性的性能劣化，寿命长。

公开(公告)号：CN110603657A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880013186.0

申请日：2018-02-21

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  国家科研中心 ,  D′AIX-马赛大学

Inventor： J-C·里贝里 ,  S·D·A·桑达纳亚卡 ,  金垈炫 ,  安达千波矢 ,  A·德阿莱奥 ,  F·法格斯 ,  E·扎波罗瓦

IPC: H01L51/50 ,  C07F5/04 ,  C09K11/06 ,  H01S5/36

Abstract: 本发明提供一种由下述式(1)表示的化合物，其为优异的近红外线发射器。R1～R6为H或取代基，且R7由下述式(2)表示。Ar11为芳基，R11为除芳基以外的取代基，且n11为1以上。

公开(公告)号：CN110366548A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201880013706.8

申请日：2018-02-23

Applicant: 国立大学法人九州大学 ,  九州有机光材股份有限公司

Inventor： 中野谷一 ,  野田大贵 ,  安达千波矢 ,  能塚直人 ,  铃木善丈

IPC: C07D209/86 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 只要使用通式：(A)m-L-(D)n所表示的化合物，则能够提供发光效率高的发光元件。L为m+n价的芳香族连接基团，A为哈米特(hammett)的σp值为正的基团，D为哈米特的σp值为负的基团，m为1以上的整数，n为2以上的整数。多个D中的2个在特定的芳香环上的取代基条件彼此不同。

公开(公告)号：CN109792134A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201880003730.3

申请日：2018-02-07

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： S·D·A·桑达纳亚卡 ,  松岛敏则 ,  F·本切克 ,  合志宪一 ,  J-C·里贝里 ,  安达千波矢 ,  藤原隆

IPC: H01S5/36

Abstract: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。

公开(公告)号：CN108475643A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680079184.2

申请日：2016-11-16

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： 松岛敏则 ,  秦川江 ,  安达千波矢

IPC: H01L21/368 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。

公开(公告)号：CN108463894A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201680076949.7

申请日：2016-12-28

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： 秉权·丹尼尔·曾 ,  安达千波矢

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明是一种有机电致发光元件，其具有至少依序积层阳极(2)、发光层(3)、阴极(4)的构造，且发光层(3)含有第1主体材料、第2主体材料及作为掺杂剂的发光材料，第1主体材料及第2主体材料均具有高于发光材料的最低激发三重态能级的最低激发三重态能级。该元件能够抑制驱动时经时性的性能劣化，寿命长。

公开(公告)号：CN106537630A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038597.1

申请日：2015-07-17

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： 中野谷一 ,  古川太郎 ,  安达千波矢

IPC: H01L51/50 ,  C07D209/86 ,  C07D213/38 ,  C07D251/24 ,  C07D405/04 ,  C07D487/14 ,  C07D491/147 ,  H01S5/36

Abstract: 包含满足ES1(H)＞ES1(F)＞ES1(D)的主体材料、延迟荧光材料及发光材料的有机发光元件的发光效率高。ES1(H)表示主体材料的最低激发单重态能级，ES1(F)表示延迟荧光材料的最低激发单重态能级，ES1(D)表示发光材料的最低激发单重态能级。

公开(公告)号：CN106103440A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580015946.8

申请日：2015-04-15

Applicant: 保土谷化学工业株式会社 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 安达千波矢 ,  安田琢麿 ,  志津功将 ,  高桥岳洋

IPC: C07D471/14 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D401/14 ,  C07D471/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5096

Abstract: [课题]作为高效率的有机电致发光器件用的材料，提供发射荧光和迟滞荧光的化合物，进而使用该化合物，提供有机光致发光器件、高效率、高亮度的有机电致发光器件。[解决手段]一种通式(1)所示的具有四氮杂苯并菲环结构的化合物；一种有机电致发光器件，其为具有一对电极和夹在其间的至少一层有机层的有机电致发光器件，其特征在于，使用该化合物作为至少1个有机层的构成材料。

公开(公告)号：CN105121595A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480005878.2

申请日：2014-01-22

Applicant: 国立大学法人九州大学

Inventor： 平田修造 ,  坂井由美 ,  益居健介 ,  志津功将 ,  田中启之 ,  安达千波矢

IPC: C09K11/06 ,  C07D403/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0072 ,  C07D403/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1059 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/5012

Abstract: 在发光层具有下述通式所表示的化合物的有机发光元件在发光效率方面较高。通式(1)中，R1及R2表示咔唑基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基；R5及R6表示烷基；R7、R8及R9表示芳基、烷基、咔唑基；R10表示咔唑基，该咔唑基也可经咔唑基、芳基、杂芳基、烷基、环烷基取代；n1、n2、n6及n7表示0～4中的任一整数；n5表示0～3中的任一整数；n8及n9表示0～5中的任一整数；n10表示0或1。

公开(公告)号：CN102194998B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110050041.8

申请日：2011-03-02

Applicant: 株式会社理光 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 加藤拓司 ,  山本谕 ,  匂坂俊也 ,  田野隆德 ,  篠田雅人 ,  后藤大辅 ,  松本真二 ,  毛利匡贵 ,  油谷圭一郎 ,  安达千波矢 ,  鸟居昌史

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0051 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I。