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公开(公告)号:CN109792134B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201880003730.3
申请日:2018-02-07
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
IPC: H01S5/36
Abstract: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号:CN115152108A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202080097467.6
申请日:2020-12-25
Applicant: 株式会社考拉科技 , 国立大学法人九州大学
Inventor: F·本切克 , 藤原隆 , J·C·M·里比耶勒 , A·C·威特卡 , 安达千波矢
IPC: H01S5/36
Abstract: 公开了一种有机固态激光装置的模拟建模用程序,其包括电传输模块、热模块(thermic module)、光学模块及速率方程模块,其中,该等四个模块能够单独使用或彼此耦合使用。
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公开(公告)号:CN109792134A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201880003730.3
申请日:2018-02-07
Applicant: 国立大学法人九州大学
IPC: H01S5/36
Abstract: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间,激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号:CN115102034A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210882367.5
申请日:2018-02-07
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
Abstract: 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管,其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层,所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅,或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
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公开(公告)号:CN113615016A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202080020775.9
申请日:2020-03-11
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
Inventor: S·D·A·桑达纳亚卡 , 松岛敏则 , F·本切克 , J-C·里贝里 , 小松龙太郎 , 寺川忍 , 金钟旭 , A·M·C·塞内维拉斯 , 安达千波矢 , A·德阿莱奥 , 藤原隆
Abstract: 本发明公开了一种电驱动有机半导体激光二极管,其包括一对电极、具有分布反馈(DFB)结构的光学谐振器结构及包含由有机半导体构成的光放大层的一个或多个有机层,其中,所述分布反馈结构由1阶布拉格散射区域、二维分布反馈或循环分布反馈构成。
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