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公开(公告)号：CN115659837A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211415053.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本申请涉及基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统，所述基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法包括：获取基于器件真实工艺状态的辐射损伤实际参数，根据所述辐射损伤实际参数，得到界面态和氧化物电荷，根据所述界面态、所述氧化物电荷和所述辐射损伤实际参数构建辐射损伤仿真模型；通过微观反应方程和反应势垒，获取界面态和氧化物电荷，对其进行仿真训练，得到辐射损伤仿真模型。本申请的方法通过辐射损伤仿真模型，能够快速模拟辐射损伤。
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公开(公告)号：CN115656762A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211410967.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种异质结双极晶体管缺陷检测方法，包括：获取异质结双极晶体管在预设电压时的C‑V曲线和1/C2‑V曲线；确定所述C‑V曲线和所述1/C2‑V曲线在第一预设电压范围内的变化情况；根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C‑V测试模块或I‑V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。本发明的有益效果：通过控制深能级瞬态谱的不同的测试模块对异质结双极晶体管的缺陷种类和缺陷状态进行检测，能够深入分析异质结双极晶体管内部缺陷性质和辐射损伤机制。
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公开(公告)号：CN115640699A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211410719.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F113/08
Abstract: 本发明提供了一种氢气杂质缺陷演化仿真方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：构建所述硅基双极型器件的SiO2和SiO2/Si界面结构模型；获取发生总剂量效应时所述硅基双极型器件中缺陷演化的基本物理过程；根据所述基本物理过程，构建对应的计算模型；根据氢分子在所述基本物理过程中的具体情况，获取氢分子的相关参数；根据所述氢分子的相关参数、氢气浓度及所述计算模型，获取所述硅基双极型器件氧化层中氢气杂质缺陷演化的仿真结果。本发明提供的氢气杂质缺陷演化仿真方法、装置、设备及存储介质能够获取准确的定量仿真结果，降低了试验成本，能够对氢气引入对总剂量效应的影响机理的研究提供重要的理论依据。
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公开(公告)号：CN115420190A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211145034.0
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B7/16 , G06F30/20 , G16C60/00 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供一种基于高能电子辐照提高柔性传感器性能的分析方法，包括：获取柔性传感器；构建柔性传感器的仿真模型；对仿真模型进行高能电子辐照仿真，获取入射范围大于柔性传感器厚度的第一辐照能量；采用不同辐照注量的高能电子对所述柔性传感器进行辐照；测试辐照前后柔性传感器的基础性能和缺陷结构；根据初始状态下柔性传感器的基础性能和缺陷结构，以及，辐照后柔性传感器的基础性能和缺陷结构，分析高能电子辐照对柔性传感器性能的影响效应及机制。本发明提供的分析方法能够通过辐照前后柔性传感器的表征分析高能电子对柔性传感器性能的影响效应及机制，从而为高能电子辐照技术应用于提高柔性传感器性能提供理论依据。
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公开(公告)号：CN111766451B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735273.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供了一种高精度电容参数测试的系统及方法，涉及测试技术领域，包括：获取注入微弱高频信号后的被测电容的调制电压和调制电流，其中，高精度电容参数测试系统的信号注入电路用于产生微弱高频信号，高精度电容参数测试系统的检测电路用于检测检测电压和检测电流，高精度电容参数测试系统的IQ调制电路用于对检测电压和所述检测电流进行IQ调制输出调制电压和所述调制电流；根据调制电压和调制电流，确定被测电容的电容值。本发明提供微弱高频信号注入的方法可以实现电容在线测量，简化了测试环境搭建过程，同时，对检测电流和检测电压进行同步IQ变换，利用其零频信息进行信息获取，实现高精度和高速度兼备的电容测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115374225A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210885626.X
申请日：2022-07-26
Applicant: 中船重工奥蓝托无锡软件技术有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出了一种空间环境效应数据库和数据库工作方法，包括：数据装载模块，用于对航天器材料与器件数据包括自身特性参数和使用损耗参数，在自身特性参数中通过分别对航天器部件参数，位置信息、试验工况进行实时获取操作；数据管理模块，用于航天器材料与器件数据进行动态筛选建模，将筛选后的相应数据进行工况模拟，对工况数据进行实时数据维护，并对维护的数据进行分类操作；数据应用模块，用于对工况模拟后分类的工况数据信息进行属性匹配，匹配的航天器材料与器件数据建立应用数据表，对应用数据表所显示的任何内容进行应用场景导入，在场景导入过程中进行航天器材料与器件的位置信息对应。
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公开(公告)号：CN115248977A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210759791.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , C23C16/40 , C23C16/56 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于化学沉积技术模拟碳化硅单晶表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，具体包括以下步骤：步骤S1：建立单晶碳化硅的模型，在所述模型中所述单晶碳化硅表面增设真空层，运用分子动力学的反应力场使碳化硅原子处于初始状态；步骤S2：加热所述单晶碳化硅至反应温度后，使所述单晶碳化硅在反应温度下平衡，在所述真空层内，重复模拟Si原子和O2分子在所述单晶碳化硅表面上充分反应并沉积的过程，得到沉积在所述单晶碳化硅表面的氧化层；步骤S3：优化所述单晶碳化硅及所述氧化层中的原子位置，得到氧化薄膜，获取所述氧化薄膜的结构数据。本发明能够获得氧化薄膜原子层面结构，且实验成本低，周期短效率高。
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公开(公告)号：CN115204010A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210759741.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F9/50 , G06F111/08 , G06F113/28
Abstract: 本发明提供了一种基于多核并行的原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述基于多核并行的原子氧或紫外通量的蒙特卡罗模拟方法包括：获取航天器仿真软件运行平台的核数，根据所述核数确定并行任务数；根据计算项目类别，为参与并行计算的各个核分别建立子线程并分配计算任务，并根据所述计算项目类别为各个所述子线程分配统计空间；航天器仿真软件运行平台的主线程建立共享变量，且所述主线程根据各个所述子线程对所述计算任务的完成结果，对所述共享变量加锁或放锁；所述主线程根据所有所述子线程对所述计算任务的完成结果输出计算结果。与现有技术比较，本发明能够提高CPU/内存利用率，大幅削减计算时间。
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公开(公告)号：CN115203923A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210770226.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/17 , G06F111/10 , G06F113/26 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种自主获取方式下航天器表面材料掏蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法以自主选择获取掏蚀效应影响参数的方式实现原子氧与紫外协同作用下材料掏蚀效应的仿真计算，所述掏蚀效应影响参数包括多边形网格参数、原子氧参数、紫外参数、被掏蚀材料参数及保护层参数。本发明基于原子氧与紫外协同作用，可以实现自主自由选择掏蚀效应影响参数的获取方式，实现在不同剂量原子氧和紫外辐照下材料掏蚀效应的模拟仿真实验，既能准确模拟实际情况，又能加速、精确评估原子氧与紫外协同作用下材料掏蚀效应。
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公开(公告)号：CN115186580A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759867.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种不同类型空间辐照入射粒子的作用效应预测方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述预测方法包括：获取数据库中的样本数据，所述样本数据包括入射粒子的参数信息以及相应的作用效应信息；将所述样本数据划分为训练集和测试集，并分别定义所述训练集和所述测试集中的自变量和因变量；根据所述自变量和所述因变量建立回归模型，并通过所述回归模型进行所述自变量与所述因变量之间的关联分析。本发明基于回归算法，对拥有不同参数类型的入射粒子对航空航天半导体器件辐照损伤所造成的作用效应进行智能预测，为半导体器件的材料选取提供重要依据和思路，且预测效率高、成本低。
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