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公开(公告)号：CN114029601B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111501410.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用金箔中间层低温扩散连接Ti3SiC2陶瓷的方法，涉及一种连接Ti3SiC2陶瓷的方法。为了解决现有的Ti3SiC2陶瓷扩散连接方法的连接温度高的问题。方法：Ti3SiC2陶瓷的焊前切割、打磨和清洗处理；金箔平整、打磨和清洗；装配得到装配件；真空扩散连接。本发明采用金箔中间层进行低温扩散连接，Au元素较低温度下与Ti3SiC2相陶瓷中的Si元素、Al元素发生取代使得金箔中间层与Ti3SiC2陶瓷在600～650℃发生剧烈的互扩散，从而实现Ti3SiC2陶瓷的低温扩散连接。采用金箔作为中间层扩散连接得到的接头具有良好的抗腐蚀性。本发明适用于连接Ti3SiC2陶瓷。
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公开(公告)号：CN115673452A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211437099.2
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00
Abstract: 一种碲化铋热电材料与电极的钎焊连接方法，涉及一种热电材料与电极的钎焊连接方法。目的是解决当前碲化铋热电材料与电极钎焊连接过程中碲化铋与电极之间元素扩散及钎焊接头强度低的问题。方法：在碲化铋热电材料的待焊面电镀Ni镀层，在Ni镀层上电镀NiMo合金镀层，将钎料片置于碲化铋热电材料的待焊面和电极的待焊面之间进行装配，进行钎焊。本发明通过在碲化铋表面电镀Ni/NiMo复合阻隔层，采用锡基钎料对碲化铋与电极进行钎焊连接，Ni/NiMo复合阻隔层与碲化铋结合致密，有效解决了现有碲化铋热电材料与电极焊接中碲化铋与电极之间易产生元素扩散及接头强度低的问题。
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公开(公告)号：CN115502538A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211138061.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或MXene内部极其微弱，而在晶界处扩散速度较快，并且不会形成连续的脆性化合物。并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
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公开(公告)号：CN115415656A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211138051.1
申请日：2022-09-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以Fe‑Cr‑Mo/W为阻隔层的方钴矿热电材料与铜电极的连接方法，涉及一种热电材料与电极的连接方法。为了解决方钴矿与铜电极连接过程中元素扩散以及焊接接头强度低的问题。本发明中阻隔层原料进行熔炼后吸铸到水冷铜模模具中进行快速凝固，创新的采用非平衡凝固原理将Fe‑Cr合金中的大尺寸Mo/W元素固溶度大幅度提高，降低元素扩散，减小了接头残余应力，提高接头强度。采用扩散焊、钎焊、纳米银烧结等方法对方钴矿与铜电极进行连接，操作方便，工艺灵活，可根据实际使用需求选择合适的方法，成本较低。
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公开(公告)号：CN114346519A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210212390.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种TiAl合金钎焊用高熵钎料及其制备方法和应用，属于焊接技术领域，具体涉及一种高熵钎料及其制备方法和应用。本发明高熵钎料由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni、Co组成，或由Ti、Zr、Hf、Cu、Ni组成，高熵钎料中各元素的原子百分比相同。制备方法：按化学成分称取原料，制备高熵钎料锭，吸铸得到细棒状高熵钎料锭；切割成箔片。应用为利用高熵钎料钎焊TiAl合金。本发明借助高熵合金的理论，采用高熵钎料钎焊TiAl合金，利用高熵效应和迟滞扩散效应对于钎焊过程中母材与钎料的互扩散以及接头中的金属间化合物具有重要的抑制作用。接头中母材的溶解现象得到抑制，脆性化合物含量减少，接头高温强度的稳定性得到提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109851388B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910208022.X
申请日：2019-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 表面改性辅助钎焊SiO2‑BN与Invar合金的方法，涉及一种钎焊SiO2‑BN与Invar合金的方法。目的是解决SiO2‑BN陶瓷与Invar合金的钎焊连接时可靠性差的问题。方法：采用等离子体增强化学气相沉积法在SiO2‑BN陶瓷母材表面原位垂直生长石墨烯，采用钎料对SiO2‑BN陶瓷母材和Invar合金进行钎焊。本发明石墨烯在陶瓷基底直接原位生长出来可以保证石墨烯的完整结构，有较少的缺陷，陶瓷表面生长的石墨烯具有一定的化学活性，有助于提高接头的高温力学性能。本发明适用于钎焊SiO2‑BN与Invar合金。
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公开(公告)号：CN113430414A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110714583.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用三维网络增强相提高AgCu合金高温抗氧化性的方法，涉及一种提高AgCu合金高温抗氧化性的方法。目的是解决现有的银铜基钎料高温抗氧化性能较差的问题。方法：制备石墨烯海绵，AgCuTi焊膏的制备与成型得到片状的固态AgCuTi焊膏，将石墨烯海绵置于两片固态AgCuTi焊膏之间得到待熔渗试件，在真空条件下进行熔渗得到三维网络TiC增强的AgCu合金，最后打磨去除Cu2Ti化合物聚集层。本发明制备的三维网络TiC纳米片增强相在AgCu合金可以对氧的内扩散形成有效的连续的多重阻隔，解决了在制备抗氧化性涂层的常规方法中因表面涂层的磨损破坏而导致抗氧化功能失效的问题。本发明适用于制备AgCu合金。
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公开(公告)号：CN110270729B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910659487.7
申请日：2019-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以石墨烯阻隔层辅助钎焊Ti‑Al系合金和陶瓷的方法，涉及一种钎焊Ti‑Al系合金和陶瓷的方法。目的是解决采用含铜钎料对Ti‑Al系合金和陶瓷钎焊连接时，接头内会产生的脆性相导致接头抗剪强度低的问题。方法：采用液相转移的方法在Ti‑Al系合金的待焊面上制备石墨烯阻隔层，然后在Ti‑Al系合金的待焊面与陶瓷待焊面之间放置含铜钎料箔片，最后进行钎焊。本发明在钎焊过程中引入层状石墨烯作为阻隔层，有效减弱了Ti‑Al系合金和陶瓷钎之间产生反应和Ti‑Al系合金的溶解，以及避免了接头内脆性相的产生，保证了反应层的厚度，力学性能优异。本发明适用于钎焊Ti‑Al系合金和陶瓷。
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公开(公告)号：CN112427759A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011163385.5
申请日：2020-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，涉及一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。目的是解决现有ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊时钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解、以及接头残余应力大的问题。方法：Cu粉中加入ZrH2粉末，在Cu粉表面生长石墨烯，在加入ZrH2进行压片得到钎料箔片；组装后进行钎焊。本发明在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，降低了钎缝中脆性化合物占比，缓解了接头残余应力，提高了钎料对母材润湿性。避免了脆性化合物的生成，解决母材过度溶解的问题。本发明适用于ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊。
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公开(公告)号：CN111014929A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911384113.5
申请日：2019-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K103/18
Abstract: 一种用于方钴矿热电材料与电极的快速扩散焊连接方法，涉及一种扩散焊连接方法。目的是解决现有方钴矿热电材料与电极连接时存在Sb元素挥发和元素扩散的问题。方法：取电极并对待焊面进行清理，在电极待焊面表面电镀合金阻隔层，方钴矿热电材料待焊面清理，进行扩散焊。本发明在电极侧通过电镀法制备阻隔层，再与方钴矿热电材料在相对较低的压力和相对较低的温度下实现扩散焊，过程中不存在焊缝元素与方钴矿的元素扩散，能够防止Sb元素挥发和元素扩散的发生。本发明适用于方钴矿热电材料与电极焊接。
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