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公开(公告)号：CN110426974B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910729459.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 一种基于正交相位选通的等效采样控制电路，其中，触发信号产生电路采用VCO产生5GHz精准频率信号，依次经过2分频、4分频、8分频电路，形成基于5GHz的相分8分频625MHz信号，由FPGA控制电路控制时钟选通电路对8路分频时钟信号进行选通控制，按照同一周期内的相序逐次驱动ADC采样时钟，从而实现对反射脉冲的8个周期不同相位的信号幅值进行采样，高速ADC电路预先设置接收信号频率为6.25MHz，则每路触发信号经过100个周期可以完成一个周期的采样，然后离散波形重构电路对这些样本值按照采样时间和触发相位顺序组合形成完整的回波信号。本发明具有数字集成度高，探测速度快，分辨率高等特点。实现了对回波信号的良好接收，采样效率提高80%。
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公开(公告)号：CN114124100B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN113746464B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117038704A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310969940.0
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/51 , H01L21/328 , H01L21/334
Abstract: 本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN117012807A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310924658.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了基于指型介质的分布式峰值电场横向功率器件，属于基本电气元件的技术领域。通过在功率器件的漂移区内部引入长度不一的指型介质区域，并按照一定的规则进行排布设计。指型介质区域的指尖位置能够形成新的峰值电场，错峰设计也能防止相邻介质产生的电场峰值叠加而导致器件在指尖位置提前击穿，从而使得器件承受更高的耐压。在器件的正向导通阶段，所引入的指型介质能够提高漂移区掺杂浓度，这有助于增强器件载流子的漂移能力，增强器件的正向导通性能。采用该结构制造的硅基、SOI基、碳化硅基、氮化镓基横向功率器件具有击穿电压高、比导通电阻低等优良的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116825817A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311019567.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN116595286A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310561666.3
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种共聚物有机半导体器件载流子浓度的提取方法，包括步骤1、计算共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结的界面最大电场；步骤2、计算反向偏置肖特基结降低的势垒高度；步骤3、构建饱和泄漏电流的函数模型；步骤4、构建载流子浓度计算模型；步骤5、通过测试共聚物有机半导体器件中反向偏置肖特基结在不同温度和不同外置电压下的饱和泄漏电流，并绘制反向偏置肖特基结在不同温度下的电流‑电压曲线，从而得到不同温度下的斜率；步骤6、将温度和对应斜率代入构建的载流子浓度计算模型中，求解得到共聚物有机半导体器件载流子浓度。本发明能对共聚物有机半导体的载流子浓度进行定量分析，且不会改变载流子浓度和空间分布。
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公开(公告)号：CN116562173A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310827829.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F119/08 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟退火算法的半导体器件结终端几何参数设计方法，包括S1：确定除待设计结终端结构几何参数以外的器件参数并设为定值；S2：确定待设计的结终端结构几何参数的取值空间；S3：定义基于电学性能指标的优化函数，搭建基于模拟退火算法的器件结终端结构几何参数设计框架；S4：定义循环设计周期，运行步骤3中搭建好的设计框架；S5：输出定义循环周期内使优化函数达到极值的器件结终端结构几何参数和对应最优的电学性能。本发明基于模拟退火算法，对器件的结终端结构几何参数进行设计，无需人工参与，可实现器件的电学性能的提升。该方法优化设计后的结终端结构，可大幅提升器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN116317692A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310419108.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电容复用技术的多压电源能量收集前端电路，包括压电换能电路、过零检测电路、脉冲产生电路、压电换能器选择电路、脉冲排序电路、开关驱动电路、电源管理电路、翻转电容电路和储能电容电路；本发明在环境中存在较弱振动时，通过多压电换能器提高能量收集前端电路的输出功率，同时，为解决多压电换能器面临的接口电路储能元件的线性增加，通过电路设计实现多压电换能器复用同一翻转电容，最终实现输出功率提升的同时减小压电能量收集前端电路的尺寸，在复用翻转电容减小电路尺寸的基础上实现更高的输出功率。
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公开(公告)号：CN115933795B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310016707.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域，包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路，工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工艺角变化；负温度系数偏置产生电路用于产生与绝对温度负相关的电压；电流基准输出级电路用于输出基准电流，从而针对不同工艺角的变化引入基于栅极补偿MOS管阈值电压温度系数的电流基准，既得到了pA级的基准电流，也减小了芯片面积，提高了系统的工作性能。
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