小型化双层基片集成波导六端口器件

    公开(公告)号:CN109390650B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201811241384.0

    申请日:2018-10-24

    Inventor: 许锋 刘水

    Abstract: 本发明揭示了小型化双层基片集成波导六端口器件,包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层,顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层,底层介质基片的下表面设置有底层金属层;顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔,金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一基片集成波导;金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二基片集成波导;顶层金属层上设置有三个端口并设置有多个互补的开口谐振环;中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔;底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单,六端口稳定输出工作带宽大,结构紧凑,降低了加工难度与加工成本且体积减小。

    一种基于印刷脊间隙波导的四阶Ka波段带通滤波器

    公开(公告)号:CN111799534B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202010510906.3

    申请日:2020-06-08

    Inventor: 许锋 金俊 陈洋

    Abstract: 本发明公开了一种基于印刷脊间隙波导的四阶Ka波段带通滤波器,该滤波器包括设置在介质基板上表面的微带滤波器结构,顶部金属盖板以及位于中间层、用于稳定空气间隙的馈电介质层。微带滤波器结构包含输入、输出端口、两个半波长耦合传输线谐振器以及两个T型谐振器。通过调节两个T型谐振器的纵向长度可获得并调整通带外的两个传输零点,以实现更好的频率选择,且其带内插损、相对带宽、带内平坦度与带外抑制等性能均优于传统Ka波段带通滤波器。本发明同时给出了加工制造方案,测试结果与仿真结果基本吻合。本发明结构简单、尺寸较小、易于加工、性能稳定、一体性强,易于与其他电路进行系统集成,在未来毫米波通信传输应用中有着广阔的应用。

    一种基于印刷脊隙波导技术的滤波器

    公开(公告)号:CN112713372A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202011596354.9

    申请日:2020-12-29

    Inventor: 许锋 李茂娅

    Abstract: 本发明公开一种基于印刷脊隙波导技术的滤波器,从上而下依次包括上层介质接地金属板、上层介质层、下层介质层和下层介质接地金属板;所述上层介质层的下表面印刷上层滤波器,下层介质层上表面印刷下层滤波器。本发明频率选择性好,带外抑制强,在上边带28.6GHz形成‑43dB的带外抑制,在下边带30.7GHz处形成‑49dB的带外抑制;在29.1GHz至30.1GHz范围内,回波损耗低于‑10dB,插入损耗小于3dB,在整个频率范围内变化为±0.5dB。

    基于共面波导的小型化的三阶SD-HMSIW带通滤波器

    公开(公告)号:CN111463525B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202010310347.1

    申请日:2020-04-20

    Inventor: 许锋 俞婷婷

    Abstract: 本发明公开了一种基于共面波导的小型化的三阶SD‑HMSIW带通滤波器,其包括下层金属板,中间层微波介质板,以及上层金属板;上层金属板设有位于三角形直角边的两排金属通孔和等腰直角三角形斜边外的一排金属通孔,输入/输出馈线,第一金属通孔,第二金属通孔,一对共面波导谐振器及其共用的第三金属通孔,以及加载的梯形槽。本发明通过引入第一金属通孔,将TE101模往TE201模靠近,同时,通过引入第二金属通孔,TE202模能够往更高的频率偏移,这便能够产生更宽的阻带。在HMSIW的开路边引入两个四分之一波长共面波导(CPWs),不但可以降低TE201模谐振频率,达到滤波器的小型化的目的,而且能够产生一个传输极点与一个传输零点,进一步改善滤波器的频率选择性。

    基于新型混合馈电网络的超宽带圆极化超表面天线

    公开(公告)号:CN112615148A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011421565.9

    申请日:2020-12-08

    Inventor: 许锋 赵晓飞

    Abstract: 本发明公开了一种基于新型混合馈电网络的超宽带圆极化超表面天线,包含三层金属层和两层介质层,由上至下依次是顶层金属层、上层介质层、中间层金属层、下层介质层和底层金属层。顶层金属层是超表面阵列,中间层金属层是设有正交矩形缝隙的金属层;底层金属层为设计的新型混合馈电网络,包含三个等分二端口功分器和两组由处于不同移相周期耦合线构成的超宽带移相器,两组移相器以结构中轴线为中心呈180°旋转对称,混合馈电网络的四个端口为四个相移为0°、90°、180°和270°的超宽带微带端口,这是实现超宽带圆极化的关键。本发明能使得超表面天线获得超宽带圆极化性能,满足了无线通信因频段增加而对圆极化带宽更高的要求。

    基于人工表面等离子激元的高增益端射天线

    公开(公告)号:CN110380217B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910680912.0

    申请日:2019-07-26

    Inventor: 许锋 江涛 杨玲

    Abstract: 本发明揭示了一种基于人工表面等离子激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPPs)的高增益端射天线,包含了介质基片、上层金属贴片和下层金属贴片;所述的上层金属贴片位于介质基片的上表面,包括微带传输线、渐变形过渡槽、SSPPs传输线、偶极子的一部分以及引向器;所述的下层金属贴片位于介质基片的下表面,包括接地面、渐变形过渡槽、SSPPs传输线以及偶极子的一部分。该结构采用人工表面等离子体激元波导传输能量,在终端利用偶极子实现辐射,并且在天线的末端引入八木天线的引向器,利用接地面代替八木天线的反射器,从而提高增益。本发明优化了传统的偶极子端射天线,设计结构简单,工作带宽增大,减小了天线间的互耦,大幅度提高了天线增益。

    基于基片集成波导的双频双工器

    公开(公告)号:CN110212273B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910541156.3

    申请日:2019-06-20

    Abstract: 本发明揭示了一种基于基片集成波导的双频双工器,该双频双工器包括滤波器介质基板以及分别设置在滤波器介质基板上表面的顶层金属层、滤波器介质基板下表面的底层金属层,设置在滤波器介质基板上表面与滤波器介质基板下表面中间的金属层,在滤波器介质基板上表面和滤波器介质基板下表面的金属层上均设有T形输出端口,中间的金属层设置有输入馈电网络。本发明设计结构简单,易于工业加工,首先引入一个小型化的双频SIW双频双工器,较大程度地解决了滤波器具有相对较大尺寸的问题。其次,引入中间金属层输入馈电网络结构,进一步增大了基于SIW滤波器的增益,为双频SIW滤波器通带增益的提高和回波损耗的改善打下了基础。

    基于双层基片集成波导的多层双通带小型滤波器

    公开(公告)号:CN111162357A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN202010007416.1

    申请日:2020-01-03

    Inventor: 许锋 李玉颖

    Abstract: 本发明揭示了一种基于双层基片集成波导的多层双通带小型滤波器,该多层双通带小型滤波器包括滤波器介质基片,以及分别设置于滤波器介质基片上表面的滤波器顶层金属层、下表面的滤波器底层金属层,滤波器顶层金属层上设置有输入端口,滤波器顶层金属层和滤波器底层金属层上分别设置有T形输出端口,滤波器顶层金属层和滤波器底层金属层上各设置有三个腔体结构。本发明结构简单,易于工业加工;首先引入一个小型化的SIW多层双通带小型滤波器,较大程度地解决了滤波器具有相对较大尺寸的问题。其次,第一个腔体上下层耦合多模结构,进一步增大了基于SIW滤波器的增益,为双频SIW滤波器通带增益的提高和回波损耗的改善打下了基础。

    一种基于新型人工磁导体的毫米波3dB定向耦合器

    公开(公告)号:CN111129684A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911246482.8

    申请日:2019-12-06

    Inventor: 许锋 金俊 陈洋

    Abstract: 基于新型人工磁导体的毫米波3dB定向耦合器,采用垂直方向紧密贴合的三层结构,底层为微带电磁耦合结构,中间层为空气腔层,顶层为人工电磁导体周期结构,微带电磁耦合结构设置于介质基板的上表面,空气腔层由设有镂空槽的介质板构成,人工电磁导体周期结构设置于电磁带隙介质基板上,微带电磁耦合结构上表面与空气腔紧密贴合,人工电磁导体周期结构的下表面与空气腔紧密贴合。利用人工磁体导体周期结构在高频段的电磁波阻带特性,抑制来自微带线的杂散辐射,实现对谐振点性能的改善,与现有技术相比,具有更加易于调节的参数化特性,得到的电磁带隙更加精准,拥有更好的频率选择性。

    基片集成非辐射介质波导阶梯型功分器

    公开(公告)号:CN106953152B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201710238548.3

    申请日:2017-04-13

    Inventor: 许锋 千金诺

    Abstract: 本发明公开了一种基片集成非辐射介质波导阶梯型功分器,是一种由一层共面波导到槽线的过渡结构和三层基片集成非辐射介质波导构成的等分功分器。基片集成非辐射介质波导通过在三层介质板上设计对称阵列式空气通孔实现;共面波导到槽线的过渡结构集成在中间层介质板上,通过三角形渐变结构接入基片集成非辐射介质波导;设计两个对称空气通孔,和三角形渐变结构一起实现阻抗匹配;设计一排空气通孔,实现等分功分器。本发明能顺利实现由共面波导到槽线的过渡结构接入基片集成非辐射介质波导,激励起辐射性能更优良的高阶模,从而形成了等分功分器,同时实现了微波毫米波混合集成多层电路,有利于毫米波频段电路的发展,制作工艺简单,成本低廉。

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