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公开(公告)号：CN102517632A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201210006512.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和La源分别为四甲基庚二酮钆Gd(dpm)3和四甲基庚二酮镧La(dpm)3，以MOCVD方法在Si衬底上沉积Gd2-xLaxO3金属氧化物薄膜，将沉积好薄膜的衬底放于快速退火炉中退火后即得到成品。本发明采用MOCVD工艺，在（100）Si衬底上成功制备了外延的（111）Gd2-xLaxO3栅介质薄膜。本发明工艺简单，外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜在微电子领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101838812B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010017126.1
申请日：2010-01-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种清洗钝化Ge衬底表面的方法，首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗，然后将锗衬底移到5-20％(重量比)的氢溴酸水溶液中，室温下清洗3-15分钟，接着用高纯氮气吹干，再放入15-50％(重量比)的硫化铵水溶液中，将硫化铵加热到60-80℃，钝化10-20分钟，最后冲洗锗表面并吹干。本发明采用氢溴酸溶液清洗Ge衬底表面，有效地去除了Ge表面的氧化物，然后再采用加热硫化铵溶液钝化Ge衬底表面，形成了稳定的钝化层。之后在钝化过的Ge衬底上沉积氧化铝或者氧化铝/氧化铪纳米叠层或堆栈结构等栅介质薄膜，可以发现明显改进了栅介质薄膜与Ge衬底之间的界面质量，并改善了栅介质薄膜的电学性能。
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公开(公告)号：CN102231365A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201010579216.X
申请日：2010-12-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/285 , H01L29/792 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。
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公开(公告)号：CN102194685A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110087697.7
申请日：2011-04-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，首先对锗衬底进行清洗，吹干。接着放入ALD反应室中，沉积以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，且最终沉积的薄膜中Al/Ti的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；将沉积薄膜后的锗衬底进行退火，即得到成品。本方法中，当Al/Ti的摩尔比率减小时，积累态电容增大；漏电流上升。而且，随着Al/Ti比率增大，Al2O3/TiO2在Ge上的价带和导带补偿以及带隙都会同时增大。这些结果说明：ALDAl2O3/TiO2纳米叠层结构能够有效地调节栅介质与Ge之间的界面质量和能带结构，从而改善MOS器件的工作性能。表明此方法在Ge基MOSFET制备中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101718691B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910232603.3
申请日：2009-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了监测含铁电纳米晶聚合物极化取向度及弛豫特性的方法，利用分光光度计检测不同温度下含铁电纳米晶聚合物薄膜透射谱随时间变化情况并生成变化曲线；通过测量含铁电纳米晶的复合聚合物薄膜在极化前后在可见光波长透射率的变化，计算出相应的极化取向度，通过测量极化后的聚合物复合薄膜在可见光波长透射率随时间的变化曲线，得到极化取向的弛豫特性，从而获知极化取向稳定性。本发明采用商业化的可见-紫外分光光度计作为检测仪器，方法简单、监测成本低廉，数据吻合性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101109070A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710024813.4
申请日：2007-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺度氧化锌二维周期半球壳点阵的制备方法，它包括以下步骤：制备蛋白石结构模板；采用垂直沉积方法或者提拉法在衬底材料上生长组装材料，获得多层或者单层的胶体晶体，得到蛋白石模板；采用RF高真空磁控溅射装置，将制得的蛋白石模板固定在样品托上，靶材为氧化锌；调节样品托架位置使模板与氧化锌靶的距离符合要求；选择合适的生长条件，得到大尺度氧化锌的不同厚度的二维周期半球壳点阵。本发明制备方法简单，成本低，效率高，制备的球壳结构质量高，重复性好，在光栅、光催化和光致发光领域有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101007647A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710019415.3
申请日：2007-01-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳微别针形态的氧化锌的方法，将醋酸锌溶解在乙二醇中形成2－15毫摩尔浓度溶液，反应过程采用磁力搅拌，反应温度130－200℃，时间30－120分钟；反应生成物采用离心法分离；再使用清洗剂清洗分离物3－5次，即获得氧化锌纳微别针样品。清洗剂是甲醇、乙醇、丙醇、水或它们的混合液。获得的样品可以在乙醇中保存，也可以烘干获得粉末样品，还可经退火获得高结晶度的粉末样品。本发明成功制备了具有良好单分散性和特殊形态的氧化锌纳微别针，该工艺合成温度低、工艺简单，产物纯度高，别针由5－15纳米晶组成，长度在1－3μm之间，具有较高的比表面积，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1749445A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510041578.2
申请日：2005-08-23
Applicant: 南京大学
IPC: C30B5/00
Abstract: 本发明公开了一种控制胶体微球自组装及制备二维、三维光子晶体的方法，首先选择模板材料；在一片模板上滴上适量溶剂，待溶剂膜铺展整个模板后，再与另一片模板对合在一起，在模板间形成一均匀液膜；然后将胶体微球溶于溶剂中，制成微球悬浊液；再将微球悬浊液装入生长容器内；最后将制成的带有均匀液膜的模板放入生长容器内，模板下端浸入悬浊液中，得到大面积单畴高质量的光子晶体，调节溶剂膜厚度和胶体粒子悬浊液浓度，可以改变光子晶体的层数。本发明工艺简单，成本低，效率高，制备的模板质量高，具有较强的可操作性和较好的重复性，本发明在光集成、光通讯领域具有广阔的应用前景和极大的实用价值。
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公开(公告)号：CN1204292C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01137309.1
申请日：2001-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: C23C20/08
Abstract: 外加电场控制胶体粒子自组装及三维光子晶体的制备方法：首先对制备的二氧化硅等径微球悬浮液调节pH值4-12，然后通过在微球悬浮液中施加直流外电场，电场强度为50-500V/cm，使带某种特定电荷的微球在外电场的作用下，在平板导电玻璃等平板上定向沉积，从而形成三维周期性排列长程有序结构的模板。本发明可以制备出长程排列有序的三维周期性模板。沉积时间短，效率高，制备的三维周期性排列长程有序结构的模板质量高。
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公开(公告)号：CN1563194A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410014335.5
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 含铁电纳米晶的电光极化聚合物及其制备方法：铁电纳米晶均匀分布在透明的薄膜聚合物内。铁电纳米晶材料：铌酸锶钡、锆钛酸铅、掺镧的锆钛酸铅、钛酸钡BaTiO3，铌酸锂LiNbO3或钽酸锂LiTaO3，纳米晶粒径为20～80nm。聚合物基体材料：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、和聚酰亚胺类和热塑性聚酰胺酸。可以在聚合时将含铁电纳米晶共聚在聚合物内。亦可以将聚合物基体材料溶解在极性溶剂内，再将铁电纳米晶的前体溶液与此溶剂混和，再以甩胶法或浸渍法沉积薄膜。本发明通过将无机的铁电纳米晶和有机聚合物进行复合，既具有较大的电光系数，又具有优异的线性电光品质电光极化聚合物复合薄膜。
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