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公开(公告)号：CN118738173A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118738173B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F77/14 , H10F30/29 , H10F77/123 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN118146802A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410129819.1
申请日：2024-01-31
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碲化汞胶体量子点合成方法及其应用，所述合成方法包括以下步骤：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺络合溶液；向该溶液中快速注入三正辛基碲膦和油胺硒脲的混合前驱体溶液，使混合前驱体与卤化汞反应生成硒掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过简单的一步法合成了硒掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN116639665A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211093989.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，该吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，包括：制备第一预设浓度的碲源溶液；制备第二预设浓度的汞前驱体溶液；利用注射泵向汞前驱体溶液按照预设注射速率注入预设体积的碲源溶液，得到量子点溶液；将量子点溶液反应生长预设时长后获得四足状HgTe量子点。本申请通过简单的注射泵泵入的方式合成HgTe量子点，注入速率、注入时间等工艺条件可控、合成工艺重复性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106694681B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710126307.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/14
Abstract: 本发明公开了一种金属管件的电磁成形装置及方法，该装置包括：背景磁场单元，用于在金属管件上产生脉冲背景磁场，脉冲驱动磁场能够在金属管件上产生涡流，金属管件成形驱动线圈，用于在金属管件上产生脉冲驱动磁场。由于脉冲驱动磁场的脉冲宽度远远小于脉冲背景磁场的脉冲宽度，使得脉冲背景磁场在金属管件上产生的涡流可以忽略，同时使得脉冲驱动磁场对金属管件上磁场影响可以忽略，因此，由脉冲背景磁场和涡流相互作用，在金属管件上产生电磁力。通过单独调节脉冲背景磁场和脉冲驱动磁场可以实现增大电磁力，实现高机械强度和低导电率的金属管件成形，同时能够降低成形驱动线圈的设计难度，延长成形驱动线圈的寿命。
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公开(公告)号：CN106694681A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710126307.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/14
CPC classification number: B21D26/14
Abstract: 本发明公开了一种金属管件的电磁成形装置及方法，该装置包括：背景磁场单元，用于在金属管件上产生脉冲背景磁场，脉冲驱动磁场能够在金属管件上产生涡流，金属管件成形驱动线圈，用于在金属管件上产生脉冲驱动磁场。由于脉冲驱动磁场的脉冲宽度远远小于脉冲背景磁场的脉冲宽度，使得脉冲背景磁场在金属管件上产生的涡流可以忽略，同时使得脉冲驱动磁场对金属管件上磁场影响可以忽略，因此，由脉冲背景磁场和涡流相互作用，在金属管件上产生电磁力。通过单独调节脉冲背景磁场和脉冲驱动磁场可以实现增大电磁力，实现高机械强度和低导电率的金属管件成形，同时能够降低成形驱动线圈的设计难度，延长成形驱动线圈的寿命。
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公开(公告)号：CN105735314A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610268698.4
申请日：2016-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁打桩装置，包括基座、地面线圈组、桩体、夹桩机构和桩体线圈组。本发明利用线圈组之间产生的电磁排斥/吸引力，可完全替代传统打桩中所产生的冲击力/静压力；通过设计不同的电流波形实现对电磁打桩力的灵活控制，从而达到最佳的打桩效果；通过电流波形选择，可提高单次打桩速度，提升打桩效率，对周围土体的振动和影响较小。在此基础上，本发明提出一种电磁打桩方法以及一种电磁拔桩方法。本发明无污染，低噪声，安装方便，施工简单，适应性和可扩容性强，安全系数高，不受土质和桩类型影响，特别适合城市施工和夜间施工需要，尤其是建筑物密集处、高层建筑、狭小空间建筑物的桩基础工程。
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公开(公告)号：CN206925192U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720206041.5
申请日：2017-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: B21D26/14
Abstract: 本实用新型公开了一种金属管件的电磁成形装置，该装置包括：背景磁场单元，在金属管件上产生脉冲背景磁场，成形驱动线圈，在金属管件上产生脉冲驱动磁场,脉冲驱动磁场能够在金属管件上产生涡流。由于脉冲驱动磁场的脉冲宽度远远小于脉冲背景磁场的脉冲宽度，使得脉冲背景磁场在金属管件上产生的涡流可以忽略，同时使得脉冲驱动磁场对金属管件上磁场影响可以忽略，因此，由脉冲背景磁场和涡流相互作用，在金属管件上产生电磁力。通过单独调节脉冲背景磁场和脉冲驱动磁场可以实现增大电磁力，实现高机械强度和低导电率的金属管件成形，同时能够降低成形驱动线圈的设计难度，延长成形驱动线圈的寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205688439U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620367706.6
申请日：2016-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电磁打桩装置，包括基座、地面线圈组、桩体、夹桩机构和桩体线圈组。基座设在地面，用于安装地面线圈组，支撑夹桩机构；地面线圈组安装在基座沟槽中；夹桩机构包括夹持机构和支架，夹持机构通过支架固定在基座或地面上；桩体线圈组整体环绕固定在夹持机构外部，其与地面线圈组同轴设置。本实用新型可通过电流波形选择，可提高单次打桩速度，提升打桩效率，对周围土体的振动和影响较小。本实用新型无污染，低噪声，安装方便，施工简单，适应性和可扩容性强，安全系数高，不受土质和桩类型影响，特别适合城市施工和夜间施工需要，尤其是建筑物密集处、高层建筑、狭小空间建筑物的桩基础工程。
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