抗辐射加固存储单元电路
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103474092B

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201310397216.1

    申请日:2013-09-04

    CPC classification number: G11C11/4125

    Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路,包括:基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元;其中,基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管;冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管;双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路,还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固,同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固,具有较好的抗辐射特性,且电路结构简单,单元面积小。

    一种宽照度全色成像探测芯片

    公开(公告)号:CN103528675B

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201310431718.1

    申请日:2013-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种宽照度全色成像探测芯片,包括面阵电控双模平面液晶微透镜、面阵全色探测器和驱控预处理模块;面阵全色探测器被划分成多个阵列分布的子面阵全色探测器,每个子面阵全色探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元;面阵电控双模平面液晶微透镜与面阵全色探测器匹配耦合,包括多个阵列分布的单元电控双模平面液晶微透镜,每单元电控双模平面液晶微透镜与一个子面阵全色探测器对应;面阵电控双模平面液晶微透镜基于入射光的强度,对其进行定向汇聚、发散或维持光束的空间传输形态。本发明的探测芯片可实现宽照度范围内的全色图像信息获取,测量精度高,目标和环境适应性好,易与常规光学系统耦合。

    一种基于石墨烯电极的电控液晶光发散微透镜阵列芯片

    公开(公告)号:CN104317116A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410576694.3

    申请日:2014-10-24

    CPC classification number: G02F1/13439 G02F1/13306 G02F1/133723 G02F1/29

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米石墨烯电极的电控液晶光发散微透镜阵列芯片,包括驱控信号输入端口、以及石墨烯液晶散光微透镜阵列,石墨烯液晶散光微透镜阵列为m×n元,石墨烯液晶散光微透镜阵列采用液晶夹层结构,且下上层之间顺次设置有第一基片、图案化石墨烯电极、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、石墨烯电极、第二基片,图案化石墨烯电极和石墨烯电极分别制作在第一基片和第二基片上,图案化石墨烯电极是由m×n个以微圆环隔离并以微线连接的微圆形石墨烯有序排布构成,从图案化石墨烯电极和石墨烯电极分别延伸出一根金属电极引线。本发明器件寿命长,可靠性高,易与常规光学光电机械结构耦合,环境适应性好等特点。

    基于双路电压信号驱控的面阵电控液晶光发散微柱镜芯片

    公开(公告)号:CN104317078A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410576827.7

    申请日:2014-10-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于双路电压信号驱控的面阵电控液晶光发散微柱镜芯片,包括:液晶散光微柱镜阵列、第一驱控信号输入端口、以及第二驱控信号输入端口,液晶散光微柱镜阵列为m×n元,其中m、n均为大于的整数,液晶散光微柱镜阵列采用液晶夹层结构,且上下层之间顺次设置有第一基片、顶层面电极板、电极间绝缘层、顶层图案化电极板、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、网孔状共地电极板、第二基片,顶层面电极板和网孔状共地电极板分别制作在第一基片和第二基片上,顶层图案化电极板由m×n个微长方孔有序排布构成,网孔状共地电极板由多个孔均匀排布构成。本发明结构紧凑,可高效进行束发散投送与精细调变,控制灵活,环境适应性好。

    基于电控液晶红外汇聚平面微透镜的红外波束控制芯片

    公开(公告)号:CN104298028A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410577423.X

    申请日:2014-10-24

    CPC classification number: G02F1/134309 G02F1/13306 G02F1/29

    Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶红外汇聚平面微透镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外汇聚平面微透镜阵列;电控液晶红外汇聚平面微透镜阵列包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成;图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的圆孔或方孔的一层匀质导电膜构成。本发明能实现微聚光点阵的电控构建与电调变,及电控匀质化远场红外透射波束,易与其它红外光学光电结构、电子和机械装置等匹配耦合,环境适应性好。

    基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片

    公开(公告)号:CN104298027A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410577371.6

    申请日:2014-10-24

    CPC classification number: G02F1/134309 G02F1/13306 G02F1/29

    Abstract: 本发明公开了一种基于电控液晶红外发散平面微透镜的红外波束控制芯片。其包括电控液晶红外发散平面微透镜阵列;电控液晶红外发散平面微透镜阵列包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;公共电极层由一层匀质导电膜构成;图形化电极层由m×n元阵列分布的子电极构成,每个子电极均由圆形或方形导电膜构成。本发明能实现特定形态红外波束的电控成形与精细调变,易与其它红外光学光电结构、电子和机械装置等匹配耦合,环境适应性好。

    基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器和制备方法

    公开(公告)号:CN104241433A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410455227.5

    申请日:2014-09-09

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/02161 H01L31/108 H01L31/184

    Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型远红外多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数,每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性,通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于远红外的多个波段。

    基于超材料的毫米波单谱信号探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104241414A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410456538.3

    申请日:2014-09-09

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/0352 H01L31/1085 H01L31/184

    Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的毫米波单谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数,该图形对于特定电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明超材料层中金属开环共振单元的波长选择性和完美吸收特性,具有高灵敏度和高速特性,通过选择特定金属开环共振单元结构可以将探测器工作于毫米波的一个特定波段。

    基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器和制备方法

    公开(公告)号:CN104241401A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410455189.3

    申请日:2014-09-09

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/035209 H01L31/08 H01L31/184

    Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器,包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极;其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列,金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数,每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性,通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段,通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性,通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于太赫兹的多个波段。

    一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法

    公开(公告)号:CN102968765B

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201210454281.9

    申请日:2012-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于sigma滤波器的红外焦平面非均匀性校正方法,该方法对线性校正后的图像进行模板大小为5x5的sigma滤波,在实现边缘保持平滑滤波的同时,完成校正参数迭代步长自适应调整以及异常像素(坏元、冲激噪声)检测与替换,采用变化参考图像实现运动检测,只有当校正图像与变化参考图像的差值大于变化阈值时才对非均匀性校正参数进行自适应迭代步长的更新。本发明将sigma滤波器用于红外焦平面非均匀性校正,利用其边缘保持特性降低非均匀性参数估计误差,增强“鬼影”抑制能力,同时利用sigma滤波器实现自适应迭代步长与异常像素检测与替换,计算复杂度低,适合硬件电路实现。

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