公开(公告)号：CN103489477A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310398912.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。

公开(公告)号：CN103474092A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310397216.1

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固，具有较好的抗辐射特性，且电路结构简单，单元面积小。

公开(公告)号：CN103489477B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310398912.4

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。

公开(公告)号：CN103474092B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310397216.1

申请日：2013-09-04

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 桑红石 ,  王文 ,  张天序 ,  梁巢兵 ,  张静 ,  谢扬 ,  袁雅婧

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4125

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二PMOS管和第三、第四PMOS管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS管和第七、第八PMOS管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余和双路循环反馈技术实现抗单粒子翻转效应加固，具有较好的抗辐射特性，且电路结构简单，单元面积小。