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公开(公告)号：CN117286712A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210686840.2
申请日：2022-06-16
IPC: D06M11/74
Abstract: 本发明公开一种复合纤维及其制备方法。所述复合纤维包括氧化铝纤维及形成在所述氧化铝纤维表面的石墨烯碳材料层，所述碳材料层包含石墨烯和/或石墨。本发明的复合纤维通过化学气相沉积法直接生长获得，该方法无需借助催化剂即可完成绝缘基底上石墨烯的生长，可以根据生长时间得到不同性能的复合纤维。通过本发明方法得到的复合纤维优异的导电性与机械性能，且所述的制备方法简单，可批量制备复合纤维，所制备的复合纤维具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117270099A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311262518.8
申请日：2023-09-27
Abstract: 本发明公开一种光纤和包含该光纤的全光调制器及其调制方法。所述光纤为空芯光纤，所述光纤内壁设置有异质结层，所述异质结层由紧邻所述光纤内壁的石墨烯层和设置在所述石墨烯层内侧的氮化硼层组成，所述石墨烯层与所述氮化硼层的厚度比为1：20～60。本发明的包含二维材料异质结的复合反谐振光纤，通过调控外层二维材料的厚度，改变谐振条件，可以增强光与内层二维材料的相互作用，从而可以提高全光纤型全光调制器的调制深度。本发明的异质结与光纤的复合方法具有良好的可扩展性，包含该光纤的器件对基于纳米功能材料的全光器件的设计产生启发，有望扩大纳米材料在光子学中的应用。
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公开(公告)号：CN116936786A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210362225.6
申请日：2022-04-07
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯修饰铝箔的制备方法，将铝箔放入处理液中，使铝箔表面的氧化铝层与处理液发生腐蚀反应，控制反应时间，使表层部分氧化铝反应溶解，形成粗糙的表面结构；通过控制处理液的种类和反应时间，可确保铝箔表面在形成粗糙结构的同时，氧化铝层不被完全腐蚀溶解。在后续气相沉积生长石墨烯时，裂解的碳易与氧化铝中的氧形成C‑O‑Al共价键，C‑O‑Al共价键显著提升石墨烯层和铝箔的界面粘合力，提升石墨烯层的剥离强度。
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公开(公告)号：CN116791199A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210247183.1
申请日：2022-03-14
Abstract: 本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116675220A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210160381.4
申请日：2022-02-22
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种批量制备石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：R1，将衬底与隔层相互交叠放置，形成叠层结构；R2，使用化学气相沉积法(CVD)生长石墨烯薄膜。通过对隔层材料种类及结构进行合理设计，既可避免高温下相邻衬底间的粘连，也可促进前驱体在衬底表面的扩散与传质。生长得到的各层石墨烯畴区直径可达几百微米，且具有较高的结晶质量。为进一步提升石墨烯的生长速度，可在R1步骤前在叠层结构表面实现催化剂的负载。通过催化剂的助催化，进一步加快衬底表面石墨烯的生长。这一方法的使用，可同时兼顾石墨烯的生长速度与单批产能，进而为石墨烯薄膜的批量制备提供了一条新的途径。
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公开(公告)号：CN115010124A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686941.X
申请日：2022-06-16
IPC: C01B32/194 , C01B32/198 , C01B32/174 , C01B32/15
Abstract: 本发明提供一种调控烯碳材料红外发射率的方法及应用，通过对烯碳材料进行掺杂来调控烯碳材料的红外发射率。本发明提出的一种调控烯碳材料红外发射率的方法有望适应烯碳材料在不同场景中的应用，同时推动烯碳在材料发射率标定等新型领域的应用。
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公开(公告)号：CN111394833B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010454498.4
申请日：2020-05-26
IPC: D01F9/12
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管/石墨烯复合纤维及其制备方法，该制备方法包括：将具有含氧官能团的碳纳米管与石墨烯在溶液相中配制得到纺丝液；通过湿法纺丝工艺将所述纺丝液注入凝固浴中形成凝胶纤维；以及对所述凝胶纤维进行后处理，得到碳纳米管/石墨烯复合纤维。本发明所制备的碳纳米管/石墨烯复合纤维结构致密，具有优异的柔韧性和良好的导电、导热性，在高温下可稳定存在，在智能穿戴、电磁屏蔽、能源储存与转换等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111232964B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010061392.8
申请日：2020-01-19
Applicant: 北京石墨烯研究院
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法、石墨烯晶圆及鼓泡体系，该方法包括：提供一带有金属基底的石墨烯晶圆；以及，采用电化学鼓泡工艺将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离；其中，所述电化学鼓泡工艺中的鼓泡体系包括水相和有机相，所述水相包括电解质水溶液，所述有机相位于所述水相的下方。本发明一实施方式的石墨烯晶圆的转移方法，大大减少了转移过程中石墨烯薄膜的破损，提高了所得石墨烯薄膜的质量。
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公开(公告)号：CN113913779A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111171970.4
申请日：2021-10-08
IPC: C23C16/26 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/517
Abstract: 本发明公开一种高红外元件的制备方法，包括：提供一金属材料；及在所述金属材料表面通过化学气相沉积生长得到石墨烯涂层。还公开了该方法制备的高红外元件及包含该高红外元件的装置。本发明通过在金属材料基底生长石墨烯红外辐射增强涂层的方法简单有效，便于推广至大规模生产；同时，石墨烯有效增强金属材料的红外发射能力，使辐射温度大幅增加且石墨烯涂层与基底结合紧密不易脱落。本发明的方法形成的高红外辐射元件有望在航空航天、工业窑炉、冶金制造、建筑涂层等领域得到广泛应用。
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