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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113903857B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111475179.2
申请日：2021-12-06
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。
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公开(公告)号：CN110209587B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910480417.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片业务流程的测试方法及装置，所述测试方法包括：导入业务流程用例集；根据所述业务流程用例集中的函数名称对应的代码函数以及输入参数生成第一测试指令；向电能表中的安全芯片发送所述第一测试指令，并根据所述第一测试指令对所述安全芯片进行冒烟测试；根据所述业务流程用例集中的函数名称对应的代码函数以及输入参数生成第二测试指令；以及根据所述第二测试指令对所述安全芯片进行本地业务以及远程业务的自动化交互测试。本实施例提供的安全芯片业务流程测试方法及装置，可以根据业务需求实现远程和本地业务的交互流程测试，实现项目与项目之间的代码共用。
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公开(公告)号：CN110492909B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910818572.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无线隔离型电力线载波通信性能测试方法，包括如下步骤：PC机和程控衰减器上电，打开串口，配置串口和无线通信参数以建立通信连接，并且陪测模块和被测模块上电，建立无线连接，其中，陪测模块、被测模块和程控衰减器均使用UPS电源供电；配置表地址参数，如果被测模块是单相表模块或者三相表模块，被测模块上电后会通过模块串口发送地址请求帧，PC机接收到请求后回复请求对应的地址；设置被测模块的频段参数；发送测试数据帧，并判断测试数据帧的通信是否成功；以及通信过程中自动调节衰减值，PC机通过统计通信成功率的方式来确定被测模块抗衰减性能。本发明实现了物理上的隔离，并通过使用无线通信和UPS电源，提高了系统稳定性。
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公开(公告)号：CN114065674B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210046994.5
申请日：2022-01-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/33
Abstract: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置，属于集成电路技术领域。预测方法包括：确定CMOS器件的基础EOS失效率；确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子；获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果，并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值，其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大；基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值，建立针对EOS失效率的预测模型，以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析，综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素，所得到的EOS失效率的预测值更为精准，从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114371758A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN113851466B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111436654.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种隔离电容及隔离电容的制备方法。所述隔离电容包括衬底、下极板、上极板以及位于所述下极板与所述上极板之间的电介质层，还包括设置于所述下极板与所述衬底之间的隔离层；所述隔离层由介电常数在2~3之间的电介质材料形成，所述隔离层用于降低所述下极板与所述衬底之间的寄生电容。本发明在下极板与衬底之间增加超低介电常数的隔离层，大幅度降低下极板与衬底之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN114050818A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111182262.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及隔离器技术领域，提供一种数字隔离器及芯片。所述数字隔离器包括：调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。本发明通过调制发送模块将输入信号转换为全差分信号，利用有源共模滤波模块过滤全差分信号传输过程中的共模瞬态脉冲，提高了数字隔离器的共模瞬态脉冲抑制能力。
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公开(公告)号：CN113782528B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN113707558B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111257655.3
申请日：2021-10-27
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , G03F1/00
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件，包括提供第二导电类型的衬底；在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区；在漂移区上生长场氧化物；形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；在体区表面形成源区；以及在漂移区表面形成漏区；其中，使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子，使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度，以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。
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