公开(公告)号：CN118335691A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410434569.2

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、版图。该制备方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成间隔排布的多个有源结构；其中，每个有源结构包括依次堆叠的第一有源部、绝缘部和第二有源部；对多个有源结构中至少一个目标有源结构进行鳍切处理，直至去除目标有源结构的第一有源部和/或目标有源结构的第二有源部；基于保留的有源结构的第一有源部，形成第一晶体管；基于保留的有源结构的第二有源部，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118116932A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410178650.9

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第一晶体管，第二堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第二晶体管，第二方向和第一方向垂直；第一介电壁和第一电源轨，位于一对第一晶体管之间；第二介电壁和第二电源轨，位于一对第二晶体管之间；其中，第一介电壁、第一电源轨、第二电源轨和第二介电壁沿第一方向依次堆叠；第一电介质层，位于第一电源轨和第一晶体管以及第一电源轨和第二电源轨之间；第二电介质层，位于第二电源轨和第二晶体管以及第一电介质层和第二电源轨之间。

公开(公告)号：CN117995753A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410130550.9

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。上述方法包括：在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；在第一晶体管朝向第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；在第二有源结构和第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；去除第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的一部分，以暴露第一半导体材料层；去除第一半导体材料层，以暴露隔离有源结构；对隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构；去除第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN117936462A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177681.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：提供一衬底；在顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的心轴结构；在心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的侧墙结构；以心轴结构和侧墙结构为掩模，刻蚀衬底，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除心轴结构，并以侧墙结构和介质叉板结构为掩模，依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成正面有源结构、第一中间牺牲层和背面有源结构；基于正面有源结构和背面有源结构，形成正面晶体管和背面晶体管。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN117832173A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311740316.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。