一种压接型高压大功率芯片结构及功率器件

    公开(公告)号:CN113421875B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202110696913.1

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明涉及一种压接型高压大功率芯片结构,所述功率芯片结构包括:芯片半导体和四个金属保护层结构;四个所述金属保护层结构分别设置在所述芯片半导体的终端区结构的四个倒角区域。本发明的压接型高压大功率芯片结构在电场强度集中区域,即芯片半导体的终端区结构的四个倒角区域设置金属保护层结构,以改善压接型高压大功率芯片结构的电场分布,提升外部封装整体的绝缘能力。

    一种并联电容器组叠层母排的寄生电感建模和测量方法

    公开(公告)号:CN117034678A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310841712.5

    申请日:2023-07-11

    Abstract: 并联电容器组叠层母排的寄生电感建模和测量方法,包括:建立并联电容器叠层母排的基本结构;建立叠层母排自感和互感的电路模型;对叠层母排中的自感和互感进行解耦,建立电感计算模型。本发明提出的多个电容器并联叠层母排寄生电感计算模型的建立方法,实现了对叠层母排各回路自感和回路间互感的解耦,可以对任意数量电容器并联的叠层母排的寄生电感进行计算;通过有限元仿真设计了一种可抵消对叠层母排寄生电感测量影响的夹具,消除了夹具在测量时与叠层母排之间产生互感的影响;提出多电容器并联叠层母排寄生电感的测量方法,实现了多电容器并联叠层母排寄生电感的直接测量。

    一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN115113014B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211036455.X

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法,包括:充放电回路、测试回路和关断失效装置电路保护逻辑单元;充放电回路包括直流电压源、充电功率器件、充电电阻、隔离二极管、放电功率器件、放电电阻和电容;测试回路包括续流二极管,负载电感,至少一个被测功率器件、至少一个栅极驱动电阻和栅极驱动信号单元;关断失效装置电路保护逻辑单元,用于根据获取的被测功率器件的集电极电压和被测功率器件的栅极电压判定被测功率器件的工作状态进而控制充电功率器件和放电功率器件放电。通过关断失效装置电路保护逻辑单元仅获取被测功率器件的集电极电压与栅极驱动电压实现保护控制,无需借助电流信号,保护逻辑可靠且简单。

    多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法

    公开(公告)号:CN113484711B

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202110776550.2

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法,包括栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO、计算机主机、LED显示屏、加热装置、多器件测量主板、继电器供电电池;所述栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO分别通过USB传输线、GPIB传输线、网线与计算机主机相连,实现通讯连接和远程控制;所述NI数字IO与多器件测试主板上的9pin接线端子相连,进而为继电器的状态切换提供相应的动作信号;所述继电器供电电池为继电器提供工作电压;所述加热装置中的加热片贴合于被测器件上,并配合温控使用,给被测器件加热,提供高温条件。

    一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统

    公开(公告)号:CN113805023A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202010460936.8

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种压接型功率半导体器件及其温度分布测量系统。压接型功率半导体器件,将每一半导体芯片的栅极分别连接于PCB板的接口端子上,以便于对压接型功率半导体器件中的每一半导体芯片的结温进行测量,进而提高温度分布测量的准确性。压接型功率半导体器件的温度分布测量系统,通过采用时序驱动电路使得待测压接型功率半导体器件进行周期开断,以模拟压接型功率半导体器件在不同工况下的发热情况。且通过与测量支路开关的时序配合,能够实现各半导体芯片的结温分布的时序准确测量,突破了现有测量方法仅能获得各半导体芯片平均结温的局限性。

    多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法

    公开(公告)号:CN113484711A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202110776550.2

    申请日:2021-07-09

    Abstract: 多器件并行的高温栅偏测试平台及其测试方法,包括栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO、计算机主机、LED显示屏、加热装置、多器件测量主板、继电器供电电池;所述栅偏电压源、功率器件分析仪、NI数字IO分别通过USB传输线、GPIB传输线、网线与计算机主机相连,实现通讯连接和远程控制;所述NI数字IO与多器件测试主板上的9pin接线端子相连,进而为继电器的状态切换提供相应的动作信号;所述继电器供电电池为继电器提供工作电压;所述加热装置中的加热片贴合于被测器件上,并配合温控使用,给被测器件加热,提供高温条件。

    基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器及其应用和方法

    公开(公告)号:CN113341199A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110623698.2

    申请日:2021-06-04

    Abstract: 基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器,由多种低温共烧陶瓷瓷带层组成,在瓷带层表面印刷导带并按照一定顺序堆叠而成;所述低温共烧陶瓷瓷带层包括顶盖、顶部功率连接层、顶部信号连接层、铁氧体磁环包覆层、铁氧体磁环外部垂直连接层、铁氧体磁环、铁氧体磁环中央垂直连接层、底部信号连接层、底部信号汇集层、底部基板层。本发明提出了基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术和铁氧体磁环线圈方法的高温电流传感器,可实现在高温环境下功率模块的电流测量,具有测量准确、成本低、用性强、易集成易推广等诸多优点。

    一种硅凝胶灌封腔体
    90.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113281623A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110525921.X

    申请日:2021-05-14

    Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体,所述硅凝胶灌封腔体包括:绝缘腔体、钨针和低压端金属电极;所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端;所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上;在进行测试时,待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面;向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体,待硅凝胶液体固化后,所述钨针输入正极性重复方波,所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面,不会在腔体上发生放电,而且本发明设置了钨针,以为沿面放电界面构建极不均匀电场,本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。

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