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公开(公告)号：CN101919076B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200980100861.4
申请日：2009-04-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3086 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的氮化镓基半导体膜的III族氮化物半导体器件。III族氮化物半导体光器件(11a)具备：III族氮化物半导体支撑体(13)、GaN基半导体区域(15)、有源层(17)和GaN基半导体区域(19)。III族氮化物半导体支撑体(13)的主面(13a)显示相对于与基准轴(Cx)正交的基准平面(Sc)倾斜的非极性，基准轴(Cx)沿III族氮化物半导体的c轴方向延伸。GaN基半导体区域(15)设置在半极性主面(13a)上。GaN基半导体区域(15)的GaN基半导体层(21)例如包含n型GaN基半导体，在n型GaN基半导体中添加有硅。GaN基半导体层(23)的氧浓度为5×1016cm-3以上时，在GaN基半导体层(23)的主面上后续生长的有源层(17)的结晶品质变得良好。
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公开(公告)号：CN102714397A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080009778.9
申请日：2010-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种在六方晶系III族氮化物的c轴朝m轴的方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有较高的振荡良率的激光共振器的III族氮化物半导体激光元件。成为激光共振器的第1及第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。因此，可利用能够成为低阈值电流的带间跃迁的发光。在激光构造体13中，第1面13a为第2面13b的相反侧的面。第1及第2割断面27、29从第1面13a的边缘13c延伸至第2面13b的边缘13d为止。割断面27、29并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或a面等以往的裂面不同。
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公开(公告)号：CN101567518B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910137023.6
申请日：2009-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/30 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S2302/00 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法。在工序S110中向生长炉供给TMG、TMIn及NH3，在温度T1下进行膜厚DW1(DW1＜DW0)的InGaN薄膜的堆积。该薄膜厚度为1nm。在工序S111中向生长炉供给TMIn及NH3，并且将温度从温度T1变更为T2(T1＜T2)。在工序S112中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度保持为温度T2。在工序S113中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度从T2变更为T1。通过工序S111～S113对堆积的InGaN薄膜改性，提高了改性后的InGaN薄膜的组成的均匀性。阱层由改性后的3层1nm的InGaN薄膜构成。
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公开(公告)号：CN102549859A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043433.5
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN101083220B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710108828.9
申请日：2007-05-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种衬底检测方法，通过确定多个层的质量来检测全部多个衬底，每一衬底在其表面上设有多个层，以及提供了使用该衬底检测方法来制造衬底和元件的方法。该衬底检测方法包括制备在其主表面设有多个层的衬底的步骤，膜形成步骤，局部刻蚀步骤和检测步骤或成分分析步骤。在步骤中，通过去除外延层的至少部分从而在衬底主表面的设有外延层的区域中形成凹陷。在该检测步骤中，对凹陷中暴露的层进行检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102474075A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031730.8
申请日：2010-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2302/00
Abstract: 本发明提供包含具有良好表面形态的半极性外延膜的III族氮化物半导体元件。包含III族氮化物半导体的支撑基体13的主面13a沿着与基准轴Ax正交的基准平面RSUB延伸，所述基准轴Ax相对于该III族氮化物半导体的c轴以规定的角度ALPHA倾斜。基准轴Ax沿着从该III族氮化物半导体的c轴朝向m轴的方向以10度以上且小于80度的范围内的第一角度ALPHA1倾斜。主面13a显示出半极性。基准轴Ax从该III族氮化物半导体的c轴向a轴的方向以-0.30度以上且+0.30度以下的范围内的第二角度ALPHA2倾斜。基准轴Ax在主面13a的法线方向上延伸。外延半导体区域15的最表面15a的形态包含多个凹坑，该凹坑的凹坑密度为5×104cm-2以下。
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公开(公告)号：CN102460866A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026837.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/2004 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/309 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2302/00
Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。
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公开(公告)号：CN102422495A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020691.1
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。
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公开(公告)号：CN102318152A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156981.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。
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公开(公告)号：CN102150287A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201080002548.X
申请日：2010-09-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 京野孝史
Abstract: 本发明提供一种可使多个波长的光稳定地发光的结构较简易的发光器件。发光器件(1)具备：复合衬底(3)以及设置于复合衬底(3)上且具有发光层(9)的氮化镓系半导体层(5)。复合衬底(3)具有基体(19)与氮化镓层；氮化镓系半导体层(5)设置于氮化镓层的主面上；氮化镓层的c轴方向与氮化镓层的主面(S1)的法线(N1)的方向所成的角度(θ)处于50度以上、且130度以下的范围内；发光层(9)发出偏光度的绝对值处于0.2以上的范围内的光；基体(19)包含通过自发光层(9)发出的光而发光的萤光材料。根据这种结构，可发出由自发光层(9)发出的蓝色光和通过使自发光层(9)发出的蓝色光入射至基体(19)而发出的黄色光所合成的白色光。
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