公开(公告)号：CN102237165A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010162229.7

申请日：2010-04-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘新宇 ,  蒲颜 ,  庞磊 ,  陈晓娟 ,  武伟超

IPC: H01C17/12

Abstract: 本发明公开了一种与MMIC工艺结合的50欧姆TaN薄膜电阻的制作方法，该方法包括：步骤10：在SiC衬底上等离子体增强化学汽相沉积PECVD厚度为的Si3N4隔离介质；步骤20：在Si3N4隔离介质上旋涂光刻胶，并通过光刻、显影形成TaN薄膜电阻图案；步骤30：在预溅射和正式溅射时采用一定比例的气体Ar和N2，同时溅射Ta金属，得到TaN薄膜电阻；步骤40：将光刻胶上的TaN薄膜电阻进行剥离，得到所需要图形上的TaN薄膜电阻。本发明制作的TaN薄膜电阻具有很好的物理和化学稳定性，温度系数小，可靠性高，并且与MMIC工艺具有很好的兼容性。

公开(公告)号：CN102214555A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010145284.5

申请日：2010-04-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 汪宁 ,  陈晓娟 ,  罗卫军 ,  庞磊 ,  刘新宇

IPC: H01L21/02 ,  B28D5/00

Abstract: 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。

公开(公告)号：CN101667675A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200810119585.3

申请日：2008-09-03

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈晓娟 ,  刘新宇 ,  阎跃鹏 ,  陈中子 ,  袁婷婷 ,  陈高鹏

IPC: H01P5/12

Abstract: 本发明公开了一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构，该波导结构包括波导腔和波导内腔两个部分，该波导腔由两段并行的标准方波导构成，该两段并行的标准方波导通过波导内腔连接，每段标准方波导具有两个端，每端作为该波导结构的一个端口，该波导结构共具有四个端口，信号从任一端口输入，从另外三个端口输出。利用本发明，可以有效的实现功率的空间合成，而且损耗低，驻波性能好，频带宽，加工简单，具有可定制的特点。

公开(公告)号：CN101661921A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910307518.9

申请日：2009-09-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 蒲颜 ,  罗卫军 ,  陈晓娟 ,  魏珂 ,  刘新宇

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si 3 N 4 层和第二Si 3 N 4 层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si 3 N 4 介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。