闪烁体阵列
    81.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109031385B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201810588777.2

    申请日:2014-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种闪烁体阵列,包括基元载体和多个闪烁体基元,所述多个闪烁体基元呈阵列结构拼接在所述基元载体上;每个所述闪烁体基元包括基质和掺杂于所述基质中的激活离子,所述基质的材质为陶瓷。该闪烁体阵列由闪烁体基元和基元载体拼接而成,在制备时无需机械切割,简化了制备过程,降低了制备成本;并且,闪烁体基元和基元载体分开制备后进行拼接,无需一起成型,可实现不同材质的闪烁体基元与基元载体的拼接,得到性能更优异的闪烁体阵列。

    一种铝合金结构件的应力动态监测方法

    公开(公告)号:CN111442862A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010333451.2

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本申请公开了一种铝合金结构件的应力动态监测方法,包括:(1)将含有力致发光材料、树脂和引发剂的混合物,涂覆在铝合金结构件的表面,固化,形成固化膜;所述力致发光材料中含有力致发光荧光粉;(2)当铝合金结构件受到外力作用时,所述铝合金结构件表面的固化膜发出探测信息,通过所述探测信息,获得所述铝合金结构件的应力监测信息。本申请利用力致发光材料在外力作用下可产生可见光信号的特点,将其涂覆在铝合金结构件外表面,借助CCD等探测器,能通过发光强弱准确、直观呈现出应力的分布情况,为改进结构设计提供依据。

    一种荧光模组及激光照明系统

    公开(公告)号:CN111076103A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911192493.2

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本申请公开了一种荧光模组及激光照明系统。其中荧光模组包括:荧光层、半导体制冷器件和散热器;半导体制冷器件的冷端与荧光层连接;半导体制冷器件的热端与散热器连接;荧光层为一体成型式荧光层。本发明中的荧光模组,所使用的荧光层是一体成型式荧光层,在制备过程中,即可保证荧光材料在荧光层内的均匀性,使得波长的转换均匀,出射光的色彩和强度均匀,不会形成光斑。同时,一体成型式荧光层,由于致密度高其热导率也较高,其被激光照射时产生的热量可快速传导,散热更快。本发明的激光照明系统,由于使用了上述荧光模组,大幅度提升了发光强度,同时保证出射光光斑均匀。

    一种荧光陶瓷块体、制备方法及其在激光照明中的应用

    公开(公告)号:CN109437900A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811516205.X

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 本申请公开了一种荧光陶瓷块体、制备方法及其在激光照明中的应用,该荧光陶瓷块体选自具有式1所示化学式的化合物中的至少一种。该荧光陶瓷块体与传统粉体材料相比具有好的热稳定性以及高的显色指数。本申请所提供的荧光陶瓷块体的制备方法,可以得到性能优异的荧光陶瓷块体,以满足其在激光照明中的应用。本申请所提供的在激光照明中的应用,其显色指数在80左右,与YAG:Ce3+荧光陶瓷所制激光照明器件相比(显色指数不足70)有显著提升,在照明及显示领域中,有着很好的应用前景。

    陶瓷闪烁体阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN105223602B

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201410232489.5

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 本发明公开了一种陶瓷闪烁体阵列,包括多个陶瓷闪烁体基元,所述多个陶瓷闪烁体基元呈阵列结构排列;每个所述陶瓷闪烁体基元的出光面表面粗糙。本发明的陶瓷闪烁体阵列的出光面具有较高的光出射效率,因此,光子探测设备接收到的光信号更强,有利于提高最终的成像质量;且光出射效率的提高可以降低探测器后端信号接收及处理的难度,降低了探测器匹配设备的制造成本。同时,本发明还提供了一种陶瓷闪烁体阵列的制备方法,该方法将陶瓷闪烁体基元的出光面表面进行粗化处理,提高了陶瓷闪烁体阵列的光出射效率。

    一种应用于LED的长余辉荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN108264898A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201611253862.0

    申请日:2016-12-30

    Abstract: 本发明涉及一种应用于LED的长余辉荧光粉,其化学通式为(A1-xBx)m-yCy(D1-zEz)8-mO12,其中,A为Y、Gd、Tb、Lu中的至少一种;B为La、Yb中的至少一种;C为Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn中的至少一种;D为Ga;E为B、Al、In、Sc中的至少一种;其中,x、y、z、m表示对应元素的摩尔分数,且0≤x≤0.2,0.0001≤y≤0.2,0≤z≤0.8,2.5≤m≤3.5。本发明还提供一种长余辉荧光粉的制备方法,该方法中采用先氧化气氛后还原气氛的二步烧结工艺,得到可被蓝光有效激发,发光强度高、余辉时间长的长余辉荧光粉。该长余辉荧光粉能够满足直流/交流LED的应用要求,具有实际应用价值以及广阔的商业前景。

    真空热压烧结炉
    90.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105783501A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610150330.8

    申请日:2016-03-16

    Abstract: 本发明提供了一种真空热压烧结炉,包括:炉体,炉体中设置有上水冷压头及下水冷压头,上水冷压头与下水冷压头位于炉体的两端并相对设置;液压机构,包括上液压缸及下液压缸;及感应加热机构,包括法兰、感应线圈及热压模具,感应线圈安装于法兰上,且,法兰可拆卸的安装于炉体内,感应线圈缠绕设置于热压模具的外侧,且,上水冷压头与下水冷压头夹紧热压模具。通过感应线圈可拆卸的安装于炉体内,可以根据不同的使用需求更换不同尺寸规格的感应线圈及不同尺寸规格的热压模具,这样能使本发明的真空热压烧结炉的温区的范围可调节,以适应不同尺寸的样品的加工,扩大了适用范围,便于用户使用。

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