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公开(公告)号：CN103855173A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210517170.8
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽标记；在划槽标记处制作凹槽；在传感晶片背面制作第三钝化层；在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔；制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面；制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端；在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
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公开(公告)号：CN102569032B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201210012849.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。
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公开(公告)号：CN103794544A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210419100.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , C23C28/00 , C25D5/02
Abstract: 本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜层；最后去除所述图形掩膜及所述图形掩膜覆盖的种子层，以完成制作。本发明具有以下有益效果：本发明首先可以消除电镀铜与溅射铜界面的孔洞，其次可以消除高温退火时形成的孔洞。由此电镀铜的方法获得电镀铜具有无孔洞，电阻小等特点。此工艺改进适于半导体、集成电路等使用电镀铜的方法制作铜引线的领域。
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公开(公告)号：CN103794513A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102570018B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110434081.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电材料的厚度，溅射一层种子层，电镀金，作为天线的地平面；在槽中填充介电材料，控制温度进行固化；然后打Au柱作为过孔引出地线；再涂覆一层BCB介电材料，固化后进行CMP减薄抛光，增加表面平整度，并使过孔露出；最后在BCB上光刻电镀出天线的图形。此种制作方法使天线和集成电路做在一起，减小了体积，提高了可靠性，同时减小了天线发射模块和天线之间的传输距离，减小了传输损耗。
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公开(公告)号：CN103367863A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210100299.9
申请日：2012-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种集成宽频带天线及其制作方法，通过在Si衬底上制作接地平面，在接地平面上制作具有流动性的有机介电材料并固化作为天线的基板，在该基板上制作天线图形，并在天线图形对应的区域刻蚀所述Si衬底形成介质空腔。本发明的集成宽频带天线克服了硅基集成天线介质基板较薄的缺点，与传统硅基集成天线相比，显著增加了天线的带宽并提高了天线的性能。本发明的制作工艺流程与埋置型芯片封装兼容，所制作出来的天线可以和芯片一起封装，与传统的外接天线方法相比，减小了信号线的传输距离，从而减小了损耗。同时，天线与芯片集成在一起，提高了可靠性，减小了体积，符合现代集成电路封装的趋势。
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公开(公告)号：CN103187324A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449963.6
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B23K1/00
CPC classification number: H01L2224/13 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种焊点制备方法及其结构，该方法包括以下步骤：步骤一，在硅片(1)正面溅射金属层(2)，作为电镀种子层；步骤二，在所述金属层(2)上涂光刻胶(3)并前烘；步骤三，图形化光刻胶并后烘；步骤四，使用图形化光刻胶做掩膜，电镀铜以形成铜层，直到该铜层的厚度超过光刻胶层的厚度，并形成伞状铜柱结构（4）；步骤五，继续使用光刻胶(3)做掩膜，电镀锡以形成包裹伞状铜柱结构（4）的锡层（5）；步骤六，回流，形成包含该伞状铜柱的焊点结构。本发明提供的焊点结构具有成本低，剪切力、热机械可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN102903673A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210424949.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明涉及一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，首先在硅片正反两面淀积氧化硅绝缘层，然后在正反两面的光刻胶上形成TSV图形，将TSV图形转移至硅片上；进行湿法腐蚀直至形成穿硅通孔；随后，湿法腐蚀掉硅片两面的氧化层；再次使用热氧化工艺在硅片正反两面以及TSV侧壁同时淀积一层氧化硅绝缘层；采用磁控溅射工艺在硅片的一面上沉积金属层TiW/Au。再在硅片的另一面同样通过溅射工艺沉积金属层TiW/Au；然后通过硅片的双面电镀工艺，整个TSV被金属层完全覆盖实现了双面导通。本发明与干法刻蚀的垂直侧壁形貌的TSV互连技术相比，该技术具有可靠性高，良品率高的等关键优势，并且由于湿法腐蚀出的TSV侧壁形貌呈斜坡状，非常有利于后续的薄膜沉积和电镀沉积，因此操作极为简单，成本低，适合于工业化生产。
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