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公开(公告)号：CN102290595B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110180043.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/136 , H01M4/58 , H01M4/1397 , H01M10/058 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及其制作方法，其特征在于薄膜锂电池组成为：①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜；②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜，作为阳极薄膜，氮化镍钴薄膜的组成通式为ComNi1-mN(0＜m＜1)；③在氮化镍钴薄膜的表面溅射沉积组成通式为Li1+xMxTi(PO4)3薄膜(0＜x＜2)，M为Al、Sc、Y、Fe或Cr；④在Li1+MxTi(PO4)3薄膜上沉积一层金属锂薄膜；⑤在Li薄膜沉积Ni薄膜作为阴极集电极；⑥在Li薄膜表面覆盖封装后，且分别在阴极和阳极集电极处引出Au处。且具有制备工艺简单，不需要高温退火过程，电池按国标测定充放电循环次数达1500次，且保持电池容量80％，且可通过沉积多层膜方法实现高电压输出，在微能源、传感器以及网络方面有广泛应用。
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公开(公告)号：CN103346373A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310225123.0
申请日：2013-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集总参数的宽带180度耦合器，包括四个电容和四个电感，其中，四个电容和三个电感连接构成双回路；另一个电感一端接第三连接点，一端接地，形成感性耦合，用以提高耦合器的工作带宽；第一连接点接第一端口；第二连接点接第二端口；第四连接点接第三端口。本发明的集总参数宽带180度耦合器，其使用元件少，占用面积小，实现成本低，可以在非常宽的频带范围内保持很好的输出幅度平衡度和相位平衡度，适用于目前的手持式移动射频无线通信系统中。
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公开(公告)号：CN103338016A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310222432.2
申请日：2013-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明涉及一种集总参数的具有谐波抑制功能90度正交耦合器，包括五个电容和三个电感，相互连接构成双回路四端口网络；其中一个电容和一个电感构成谐振单元提供传输零点，以实现谐波抑制的功能。本发明的集总参数带谐波抑制功能90度正交耦合器，其使用元件少，占用面积小，实现成本低，可以在较宽的频带范围内保持很好的输出幅度平衡度和相位平衡度，并且具有良好的高次谐波抑制功能，适用于目前的手持式移动射频无线通信系统中。
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公开(公告)号：CN102117699B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010590616.0
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。
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公开(公告)号：CN102868367A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210398919.1
申请日：2012-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明提供一种双平衡式三倍频器。该双平衡式三倍频器至少包括：工作在基波频段的90°第一输入电桥；均工作在基波频段且分别连接所述90°第一输入电桥的一个输出端的两个90°第二输入电桥；分别连接一个90°第二输入电桥的一个输出端的4个倍频电路；均工作在三次谐波频段且分别与两个倍频电路输出端连接的两个-90°输出电桥；以及连接两个-90°输出电桥输出端的合路器。本发明的双平衡式三倍频器具有结构简单、易于集成和工艺能力要求低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779846A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201110123487.9
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种双异质结双极晶体管结构，其依序包括：包含磷与铟的化合物构成的集电区层、基区层、及包含磷与铟的化合物半导体构成的发射区层，其中，所述基区层的材料包含多种都由铟、镓、砷及锑所组成的化合物，且每一种化合物包含的铟、镓、砷及锑组份与其他种化合物所包含的铟、镓、砷及锑都不相同，且每一种化合物中铟的组份与镓的组份比为∶（1-），砷的组份与锑的组份比为∶（1-），且所述基区层的能带结构从发射结处到集电结处由宽变窄，其中，，。该双异质结双极晶体管结构可以在降低发射结导带势垒、缓解阻挡电子注入问题的同时，在基区形成从发射结到集电结的内建电势差，有效减小电子在基区的渡越时间，有利于提高器件的频率特性。
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公开(公告)号：CN102110884A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010617940.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种采用无源加载方式控制副瓣电平的有源相控阵天线，其特征在于所述的有源相控阵天线的阵面是由有源加载单元和无源加载单元共同组成，无源加载单元位于有源加载单元的四周；每个有源加载单元通道由独立的矢量调制器和低噪声放大器控制，每个矢量调制器同时控制馈源的幅度和相位，进而改变天线单元表面电流的幅度和相位，以控制波束扫描角度和抑制波束的副瓣电平；其中有源相控阵发射天线包括64个辐射单元，采用同轴连接器激励的方式，通过改变天线孔径上的相位分布来实现空间波束扫描，改变每个辐射单元上表面电流的幅度来获得所需要的波束形状。利用了阵元间的互耦，在降低了馈源成本的基础上，使天线俯仰方向的副瓣电平比方形满阵口径馈电降低5dB。
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公开(公告)号：CN101325007B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810040953.5
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于毫米波交通雷达的公路背景识别与公路背景抑制方法，利用同时含有车辆信息和背景信息的交通雷达回波信号实现了公路背景功率谱自动识别和实时更新，并完成了公路背景抑制。该方法以侧向毫米波交通雷达的时域数字回波信号作为信号输入，应用周期图法得到随时间变化的雷达回波功率谱时间序列；在每个频点处将功率谱时间序列按照功率谱幅度升序排列；选择部分幅度有序功率谱序列作为公路背景功率谱估计的有效数据；对有效幅度有序功率谱序列进行相干平均；利用自学习方法实现公路背景功率谱的实时更新；进行公路背景抑制。本发明能准确实时地识别公路背景功率谱，并能够很好的抑制公路背景，大幅度提高了雷达回波信号的信噪比。
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公开(公告)号：CN100574004C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510110329.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种补偿型微带谐振单元及其构成的环行耦合器，其特征在于所述的补偿型微带谐振单元由四个螺旋形微带开路线组成，在螺旋带谐振单元的中心各有一个长环带状和短环带状的微带开路线补偿结构，所述的环行耦合器是由六个补偿型螺旋微带谐振单元替代传统的四分之一波长微带线，长环带状和短环带状微带开路线分别位于环形耦合器的内部，其特征阻抗为70.7Ω，在基频处该谐振单元是传输线，在二阶和三阶谐波处有很强的抑制作用，所构成的环行耦合器具有谐波抑制，减小电路面积，插入损耗小等优点。
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公开(公告)号：CN101231341A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710036889.9
申请日：2007-01-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型直接检测和测速的集成车流量雷达装置，由一个信号处理单元和多个雷达前端构成，采用单频连续波体制，能准确测量目标车辆速度，对雷达回波采用射频检波的方法，获得车道车流量信息和车辆通过时间，进而结合车辆速度获得车型信息，通过对射频检波产生的直流电平进行硬件去抖动，能有效消除在车道堵塞时由于零信号带来的车流量统计不准的问题。本发明具有全天候工作特性，可检测静止车辆，正向方式安装，无需破坏路面。本发明的多个雷达前端共用一个信号处理单元，可根据车道数放置相应的雷达前端。本发明的信号处理单元对各雷达前端输出信号进同时采集，信号处理简单且稳定性高。
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