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公开(公告)号：CN111599745B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202010484913.0
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明适用于太赫兹技术领域，提供了一种太赫兹二极管电路装配板及其制备方法，该太赫兹二极管电路装配板包括：用于装配太赫兹二极管的电路基板，还包括：多个太赫兹二极管定位桩；其中多个太赫兹二极管定位桩设置于电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧，用于固定所述太赫兹二极管。本发明通过设置在用于装配太赫兹二极管的电路基板上，位于电路基板的太赫兹二极管预置位置的两侧的多个太赫兹二极管定位桩，有利于太赫兹二极管装配位置的定位，可以将太赫兹二极管准确且牢固地固定到电路基板上，有利于由太赫兹二极管装配构成的最终电路性能的稳定。
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公开(公告)号：CN112993054A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。本发明提供的倍频单片和倍频器均采用了上述GaN太赫兹二极管。
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公开(公告)号：CN112993042A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160011.6
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/207 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型GaN层和低掺杂N型GaN层，以及欧姆接触电极和肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管采用金刚石衬底层作为器件衬底结构，能够提高GaN太赫兹二极管的散热性能，降低器件内部结温和内部寄生电容，提升GaN太赫兹二极管的耐功率水平。本发明提供的倍频单片采用了上述GaN太赫兹二极管。
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公开(公告)号：CN112289865A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011084999.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。
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公开(公告)号：CN112289791A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011085015.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105958944B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201610347864.X
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装置技术领域。所述倍频电路包括射频输入波导、石英基板和输出波导，在石英基板上倒装焊接两个分立的多管结GaAs基倍频二极管组件作为非线性倍频器件，两个GaAs基倍频二极管组件采用直流反向串联的形式，可以根据倍频电路的频率高低选择单管2管芯或者单管4管芯，通过在石英电路上对传输的电场进行模式转换，构成了一个二倍频平衡式电路。所述倍频电路中的肖特基二极管组件与输入波导分离，管结数量不再受制于输入波导的宽度，与传统平衡式倍频电路相比，承受输入功率的能力有所增加。
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公开(公告)号：CN109150111A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810988050.3
申请日：2018-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种倍频电路及其倍频器，倍频电路包括输入电路、输出电路和高电子迁移率晶体管；倍频器包括倍频电路、输入端波导、输出端波导、电路基板和主腔体；高电子迁移率晶体管通过倒装焊接工艺设置在电路基板上；本发明能承受更大输入功率和输出功率，并且本发明的倍频器信号传输损耗低，倍频效率高。
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公开(公告)号：CN107689776A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710556856.0
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明一种太赫兹倍频器，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹倍频电路；输入端波导结构包括一个第一标准波导；输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导；太赫兹倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、第一低通滤波器、肖基特二极管和第二E面微带探针。本发明可实现既减小了太赫兹倍频器输入端波导结构和太赫兹倍频电路的尺寸，以有利于太赫兹倍频器结构的小型化，同时输出端波导结构采用依次互相连接的多级波导结构减小了电路损耗。
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公开(公告)号：CN107395125A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710556845.2
申请日：2017-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明一种太赫兹奇次平衡式倍频器，包括：输入端波导结构、输出端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路；输入端波导结构包括一个第一标准波导，第一标准波导为输入端波导结构的末级波导；输出端波导结构包括依次连接的至少一个第二标准波导和至少一个第一减高波导，输出端波导结构一端的一个第一减高波导为输出端波导结构的末级波导；太赫兹奇次平衡式倍频电路包括通过传输线依次连接的第一E面微带探针、肖基特二极管和第二E面微带探针。本发明既能够减小输入端波导结构和太赫兹奇次平衡式倍频电路的尺寸，以有利于太赫兹奇次平衡式倍频器结构的小型化，同时输出端波导结构采用依次互相连接的多级波导结构减小了电路损耗。
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公开(公告)号：CN107170680A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710370209.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构的GaN基肖特基二极管制备方法，属于半导体器件技术领域。其是在生长衬底上外延生长高掺杂N‑型GaN层；在N‑型GaN层上外延生长高掺杂N+ GaN层；在所述的N+ GaN层上制作欧姆接触；在所述的N‑层上形成肖特基接触，通过空气桥将肖特基接触引到阳极。本发明能够降低器件的串联电阻，提高工作频率，解决电流拥挤的问题。
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