公开(公告)号：CN116930741A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310894981.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 孟苓辉 ,  周振威 ,  陈义强 ,  路国光 ,  赵振博 ,  何世烈 ,  刘俊斌 ,  俞鹏飞 ,  余陆斌

IPC: G01R31/327 ,  G06F18/25 ,  G06F18/213 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0499

Abstract: 本申请涉及一种开关器件故障程度诊断方法、装置和计算机设备。该方法包括：获取开关器件在当前时段内的输出数据；通过故障程度诊断模型的特征提取网络，对输出数据进行特征提取，得到当前时段内各时刻的输出初始特征；通过故障程度诊断模型的反注意力机制网络，对各时刻的输出初始特征进行特征放大处理，得到各时刻的输出放大特征；通过故障程度诊断模型的全连接网络，根据各时刻的输出放大特征，确定开关器件的故障程度。通过上述方法可以在不影响关器件所在线路的情况下提高故障诊断灵敏度。

公开(公告)号：CN116930601A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310893484.6

申请日：2023-07-19

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 邵伟恒 ,  何柳兴 ,  陈义强

IPC: G01R19/25 ,  G01R15/20 ,  G01R13/00

Abstract: 本申请涉及一种电信号时域测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：基于探测装置获取待测对象的第一电压和第二电压，其中，所述探测装置包括探头和与所述探头连接的示波器，所述探头用于探测所述第一电压和所述第二电压，所述示波器用于显示所述第一电压和所述第二电压；获取矩阵系数，所述矩阵系数与所述探头的结构参数相关；根据所述矩阵系数、所述第一电压和所述第二电压获取所述待测对象的实际电压和实际电流。采用本方法能够准确测量高频电信号。

公开(公告)号：CN116819417A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310667196.9

申请日：2023-06-06

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 邵伟恒 ,  薛姗 ,  陈义强 ,  周长见

IPC: G01R35/00 ,  G01R31/28

Abstract: 本申请涉及一种近场探头的校准方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：利用矢量分析仪，测量第一同轴线缆的第一散射参数矩阵和第一输出电压、第二同轴线缆的第二散射参数矩阵和第二输出电压，以及近场探头的第三散射参数矩阵；根据第一散射参数矩阵、第二散射参数矩阵和第三散射参数矩阵，以及第一输出电压和第二输出电压，确定近场探头在未施加近场场景下的第三输出电压和第四输出电压；在通过校准件对近场探头施加近场的场景下，根据第三输出电压、第四输出电压和校准件的结构参数，确定近场探头的校准因子；其中，校准因子用于近场探头进行校准。采用本方法能够更加准确的对近场探头进行校准。

公开(公告)号：CN116298639A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310375693.1

申请日：2023-04-10

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 骆成阳 ,  丁瑞 ,  方文啸 ,  陈义强 ,  廖进福

IPC: G01R31/00

Abstract: 本申请涉及一种电磁干扰注入装置、系统以及方法。该电磁干扰注入装置包括：电磁干扰注入探头，包括滤波组件、第一连接器、第二连接器和第三连接器，滤波组件的第一端与第一连接器连接，滤波组件的第二端分别与第二连接器、第三连接器连接，第一连接器用于与脉冲信号发生器连接，第二连接器用于与示波器连接，第三连接器用于与待测器件连接；处理组件，用于获取脉冲信号发生器的第一阻抗、脉冲信号发生器输出的初始脉冲信号的第一参数信息以及示波器接收的目标脉冲信号的第二参数信息，根据第一阻抗、第一参数信息和第二参数信息确定滤波组件的目标参数信息。因此，采用上述电磁干扰注入装置可以确定滤波组件的应采用参数信息。

公开(公告)号：CN116297814A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310406981.9

申请日：2023-04-17

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈义强 ,  刘晓毅 ,  曲晨冰

IPC: G01N27/83

Abstract: 本发明涉及一种硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法。硅通孔结构的缺陷监测结构包括：半导体衬底、硅通孔结构、第一导线层、第二导线层及感应线圈；硅通孔结构包括第一硅通孔结构及第二硅通孔结构，第一硅通孔结构及第二硅通孔结构均包括硅通孔、介质层及导电柱；感应线圈与第一导线层及第二硅通孔结构的导电柱均相连接；天线结构位于具有硅通孔结构的电感结构的上方，与具有硅通孔结构的电感结构具有间距。可以基于天线结构与具有硅通孔结构的电感结构之间的电感耦合，快速确定天线结构对应的散射参数，并基于该散射参数，快速且准确判断硅通孔结构中是否存在缺陷，这样在实现降低成本的同时，快速且准确的实时监测硅通孔结构中是否缺陷。

公开(公告)号：CN116204768A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310120357.2

申请日：2023-02-14

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 孟苓辉 ,  谢锦阳 ,  陈义强 ,  路国光 ,  周振威 ,  刘俊斌 ,  何世烈 ,  俞鹏飞 ,  余陆斌

IPC: G06F18/10 ,  G06F18/213 ,  G06F18/24 ,  G06F18/241 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请涉及一种故障诊断方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：对电子电路的当前故障信号进行时频域分析，得到当前故障信号的时频域特征；分别根据时频域特征中各维度子特征对故障分析的贡献度，以及各维度子特征之间的时序特性，对时频域特征进行解析，得到电子电路的第一诊断结果和第二诊断结果；根据第一诊断结果和第二诊断结果，确定电子电路的目标诊断结果。通过上述方法可以实现对电子电路中细小故障的诊断，且增加了故障诊断精准性。

公开(公告)号：CN115712044A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211276897.1

申请日：2022-10-18

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  刘昌 ,  王铁羊 ,  施宜军

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种SiC MOSFET功率循环试验的阈值电压监测电路。包括：待测的目标SiC MOSFET、第一试验电路、第二试验电路以及测试电路；目标SiC MOSFET的栅极、第一试验电路以及目标SiC MOSFET的源极可形成第一回路，目标SiC MOSFET的漏极、第二试验电路以及源极可形成第二回路，以及漏极、测试电路以及源极可形成第三回路，以通过第一回路、第二回路和第三回路对目标SiC MOSFET进行功率循环试验；漏极和栅极可形成短路回路，以供测试电路在功率循环试验的过程中，且在短路回路和第三回路导通的情况下，测量目标SiC MOSFET的阈值电压。本申请通过快速导通不同的电路，避免传统方法存在的阈值电压测试不准确问题，能够更准确地监测SiC MOSFET器件在功率循环试验的阈值电压。

公开(公告)号：CN115144721A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210854129.3

申请日：2022-07-13

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 徐新兵 ,  陈义强 ,  陈媛 ,  施宜军 ,  韦覃如 ,  贺致远

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种功率器件的短路测试装置。本申请涉及半导体器件可靠性测试技术领域。所述装置包括：控制器、储能电路、供电电源、待测功率器件以及计算机设备；控制器，用于接收计算机设备发送的周期性的测试指令，并根据测试指令，控制待测功率器件关断以及供电电源对储能电路充电；控制器，还用于若储能电路的充电电压大于等于预设电压阈值，则停止对储能电路充电，并控制待测功率器件导通，并在预设时长内通过储能电路对待测功率器件进行放电得到短路测试结果。采用本装置能够对功率器件自动重复进行短路测试，提高短路测试效率。

公开(公告)号：CN109596961B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201811234489.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 贺致远 ,  陈义强 ,  方文啸 ,  苏伟 ,  肖庆中 ,  恩云飞

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请涉及一种GaN器件的可靠性测试方法、装置和系统。可靠性测试方法通过获取GaN器件的瞬时电流曲线；其中，瞬时电流曲线为GaN器件经施加脉冲信号得到；脉冲信号为脉冲宽度小于或等于1微秒的信号。基于瞬时电流曲线进行分析，得到GaN器件的可靠性分析结果。脉冲宽度小的脉冲信号可向GaN器件施加短脉冲电应力，GaN器件的栅极区域可以施加较大的瞬态累加电压应力；同时，实时监测、分析每个短脉冲电应力后GaN器件的电流波形，可获取器件退化、失效的动态全过程行为。本申请实施例的测试方法简单、易操作，在短脉冲的条件下，可施加比传统测试方法更高的电压强度，能够分析器件的可靠性，比对不同器件结构参数之间的优劣性。

公开(公告)号：CN113358991A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110366120.3

申请日：2021-04-06

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 陈媛 ,  来萍 ,  张鹏 ,  贺致远 ,  陈义强 ,  刘昌 ,  徐新兵

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。