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公开(公告)号：CN107123842A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710455197.1
申请日：2017-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01P1/16
CPC classification number: H01P1/16
Abstract: 本发明提供了一种带中心孔盘荷波导多频可控模式转换器，同轴圆波导内沿同轴圆波导轴线方向设置有将同轴圆波导均分为两部分的金属平板，所述其中一部分波导填充有周期可调的带中心孔盘荷波导，一部分为180度扇形同轴波导。同轴圆波导内频率为f的TEM模式微波被所述金属平板均分为两部分，并且各自在其对应部分的波导内传输，通过调节与微波频率f相对应的带中心孔盘荷波导周期，经过距离mp的传输，两部分波导内传输的微波产生180度相位差，频率为f的微波由TEM模式转换为TE11模式。本发明采用上述结构和方法，通过调节边缘盘荷波导周期，实现多频点从低频至高频的顺序由TEM模式转换为TE11模式。
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公开(公告)号：CN110954770B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201911291492.3
申请日：2019-12-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种防护模块强电磁脉冲综合防护性能自动化测试系统与方法，所述系统包括：强电磁脉冲综合发生系统、自动化程控系统、防护模块功能监测系统和数据采集系统；所述强电磁脉冲综合发生系统用于提供激励；所述自动化程控系统用于控制各分系统的运行；所述防护模块功能监测系统用于监测防护模块的功能状态；所述数据采集系统用于数据的采集、存储与后处理，实现对强电磁脉冲综合发生系统发射激励的监测和残余信号的检测，最终获得防护模块对强电磁脉冲的防护性能指标参数。本发明克服了目前测试平台功能单一，测试指标不全的问题，实现使用一个测试系统即可获得防护模块综合防护性能参数指标的目的。
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公开(公告)号：CN115267353B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210777393.1
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种管状电磁屏蔽材料高功率微波屏蔽效能测试装置及方法，该装置包括高功率微波信号产生装置、屏蔽效能测试主平台和信号接收装置。本发明通过比对未装载管状电磁屏蔽材料时测试线感应的电磁信号与装载有管状电磁屏蔽材料时测试线感应的电磁信号来获取其高功率微波屏蔽效能，可实现100MHz～40GHz频段内、不同场景下高功率微波辐射场作用下管状电磁屏蔽材料屏蔽效能测试，通过协同调节可调衰减器和功率放大器以及设置管状电磁屏蔽材料最优测试尺寸，实现测试系统动态范围的有效提高，整体动态范围90dB以上，填补了管状电磁屏蔽材料高功率微波防护性能测试技术领域空白。
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公开(公告)号：CN118137124A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410440999.5
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种脉冲峰化天线，包括：第一辐射部件，具有第一辐射部和第二辐射部；第一辐射部与第二辐射部相间隔地设置，以在第一辐射部与第二辐射部之间形成第一辐射空隙；第二辐射部件，具有第三辐射部和第四辐射部；第三辐射部与第四辐射部相间隔地设置，以在第三辐射部与第四辐射部之间形成第二辐射空隙；第一辐射部、第二辐射部、第三辐射部和第四辐射部均与脉冲发生器连接；第一辐射部件与第二辐射部件围成放射口面；沿脉冲发生器靠近放射口面的方向，第一辐射部与第三辐射部之间的最大距离逐渐增大，第二辐射部与第四辐射部之间的最大距离逐渐增大，解决了相关技术中脉冲天线无法对脉冲发生器输出波形进行压缩峰化且有效测试区域小于天线口面的技术问题。
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公开(公告)号：CN114611899B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210194503.1
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G06Q10/0631 , G06F30/20 , G06N3/047
Abstract: 本发明提供一种电子系统强电磁脉冲防护指标量化分配方法包括：建立体现电子系统失效因果关系的分层结构模型；计算电子系统满足某种强电磁脉冲环境适应性要求下的各电子设备的目标生存概率；获取各电子设备加固前在要求强电磁脉冲环境下的敏感度分布函数；获取各电子设备加固前耦合电磁干扰的分布函数；计算各电子设备加固后应达到的目标敏感度分布函数；计算获得各电子设备的防护指标。本发明采用概率推导将系统脉冲适应性要求转化为设备脉冲适应性要求，引入统计参数取代确定性参数来描述设备耦合干扰和敏感度，实现系统防护指标到设备防护指标的量化分解，避免系统级试验成本高和样本量小带来的指标分配输入数据置信度不高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113899962B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110973341.7
申请日：2021-08-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种后门防护装置高功率微波防护效能测试系统与方法，所述系统包括高功率微波注入系统、I/O隔离箱、输入/输出电流测量系统和光传输控制系统；高功率微波注入系统包括高功率微波脉冲源、发射天线、触发器、接收天线和注入电流环；I/O隔离箱包括隔离箱主体以及设置在隔离箱主体上的共形隔离窗；共形隔离窗用于放置被测防护装置；输入/输出电流测量系统包括示波器、输入电流探头、输出电流探头、输入探头衰减器和输出探头衰减器；光传输控制系统包括电/光转换器、光/电转换器和控制计算机。本发明采用隔离箱设计避免了输入端辐射对输出端电流的干扰，并且通过一次辐射测量实现防护效能计算，能够提高测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN107121600B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710421591.3
申请日：2017-06-07
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/10
Abstract: 本发明公开了一种测试天线辐射场均匀性的自动测试装置，包括一个规则的几何框和与几何框分离的支撑杆，所述几何框上设置有若干个能沿着几何框的内框方向移动的定位杆，所述每一根定位杆指向几何框的中心且能伸缩，所述支撑杆的一端垂直于几何框截面并指向几何框中心，所述支撑杆的一端和定位杆上均设置有用于测试天线辐射场的探头；本发明设计巧妙，结构简单易于实现，使用方便且制作和维护费用较低，具有突出的实质性特点和显著进步，在天线测量与电磁波领域适合大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN111240205B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010057828.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种信号传输链路传递函数计算方法，包括如下步骤：(1)测量信号传输链路输入端的信号x，以及相应的输出端信号y；(2)计算输入信号x和输出信号y的采样点数n；(3)通过输入信号x，构建传递函数计算矩阵H；(4)对计算矩阵H进行奇异值分解，得到中间计算矩阵U、S、V；(5)利用中间计算矩阵S计算参数集λ；(6)利用中间计算矩阵U、S、V，以及参数集λ，计算参数集μ；(7)以λ为横坐标，μ为纵坐标画离散图；(8)对离散图进行曲线拟合，得到连续光滑曲线z；(9)根据曲线z计算z取最大值时对应的λm；(10)根据输出信号y，中间计算矩阵U、S、V，以及λm计算传递函数L。本发明仅需一组输入、输出数据即可完成系统传递函数的估计，方便快捷。
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公开(公告)号：CN115047255A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210661147.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明提供一种基于三极管的总场强计算电路及全向强电磁脉冲场传感器，所述基于三极管的总场强计算电路包括参考电压调节运算放大器A1、参考电压调节电阻R1、平衡电容C1、电压‑电流转换三极管T1、T2、T3、平衡电阻R2、R3、R4、1#分压调节电阻R5、R7、R9、2#分压调节电阻R6、R8、R10、温度平衡调节三极管T4、信号转换调节运算放大器A2以及电流‑电压转换电阻R11。本发明只需单个光纤通道即可实现测试信号的传输，对后端采集设备的要求低，所构成的测试系统简单、成本低；且可实现数GHz高频强电磁脉冲环境全向测试，传感器应用范围更广。
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公开(公告)号：CN114836039A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210234871.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种低电导率非磁性太赫兹屏蔽复合材料及其制备方法。该复合材料包括有机硅橡胶与MXene的混合基底层和超薄导电铜层；超薄导电铜层为铜纳米粒子构成的金属层。本发明采用热压成型、自催化化学镀等技术手段，制备出一种具有三明治结构的“(有机硅橡胶与MXene混合体)‑Cu‑(有机硅橡胶与MXene混合体)”复合材料；所制备的复合材料电气绝缘性优异且无磁性，但具有良好的太赫兹屏蔽性能；由于铜层与MXene层的协同复合作用，使得在未引入磁性金属的情况下，制备的太赫兹屏蔽复合材料在0.1‑2.2THz范围内具有超过38dB的平均屏蔽效能，而电导率低至0.7S/m。
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