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公开(公告)号：CN102009976A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010607317.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 一种石墨烯薄膜的制备方法，将氧化石墨或可膨胀石墨放入加热炉中，然后迅速升温至700℃~1500℃，并维持0.5~30min，自然冷却，得到絮状的石墨，取一定量絮状石墨直接或研磨成粉放入盛有液体的烧杯中，静置或搅拌或超声，然后静置一段时间，即可在液面上形成石墨烯薄膜。本方法利用高温还原氧化石墨所得的石墨烯作为成膜原料，具有还原效果好，薄膜导电性好的优点，同时利用石墨烯和液体的表面张力之间的相互作用，得到了非常薄的薄膜，透明性非常好。
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公开(公告)号：CN116377391A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310424226.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 东南大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/18 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法，所述的半导体电极接触的设备包括在真空腔体(7)中的控温单元(3)、热界面黏附层(4)、衬底(5)、沉积源(6)、进气口(1)、出气口(2)；将氩气通过进气口管道引入真空腔体中，氩气流动经过衬底位置，从出气口排出；控温单元控制衬底温度在更低的温度区间，利用氩气分子缓冲降低金属原子沉积至样品前的动能，控温单元使衬底附近氩气分子和沉积金属原子迅速降温，从而达到金属原子在半导体材料晶格上软着陆，本发明具有较低的样品温度，使得沉积的金属颗粒过冷细化，更易沉积形成平整的金属薄膜，获得堆叠更紧密的金属‑半导体界面。
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公开(公告)号：CN113652744B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110916531.5
申请日：2021-08-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种原子尺度精度调控硒化锗单晶原子层厚度的方法，即金表面辅助剥离少层或单层GeSe，然后金表面诱导少层GeSe退化调控层数的方法。这种方法的特点是：1.通过金薄膜辅助获得大面积的少层或者单层GeSe薄片，依托于现有的GeSe单晶制备或CVT法GeSe薄膜制备，其产率接近于GeSe制备工艺水平；2.通过控制退化时间来精确调控需要的GeSe层数，对剩下的少层或单层GeSe无结构性破坏；3.调控获得的GeSe样品同样可通过刻蚀衬底然后转移，实现进一步的器件应用。通过这种方法可以精确获得所需的GeSe原子层厚度，克服了传统减薄方法的随机性和原子层厚度不均匀性，方便后续的器件应用。
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公开(公告)号：CN113417002A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110702453.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种厘米尺寸六方氮化硼单晶的生长方法，所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将一定配比的三元合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使合金熔融，保持一段时间，后以极低速度降温，在保持高温与缓慢降温的过程中，晶体会在金属合金表面生长，最终生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前阻碍二维材料六方氮化硼研究的主要问题就是高质量高产量的体单晶难以制备，成本高，而该方法结构简单，其关键工艺为合金成分以及比例，本方法使用的合金成分主要为铁、镍、铬三种，稳定配比情况下，生长效果显著，成本较低，对于推进六方氮化硼的广泛应用具有很大积极意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。
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公开(公告)号：CN109544977B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811608955.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种智能停车管理系统及方法，其中远端服务器用于系统管理；APP客户端用于注册绑定身份信息；一种薄膜自供电感知设备用于检测车辆上的身份信息，并通过远端服务器传送给APP客户端，并向其发布指令操作，APP客户端在收到指令操作后，用于根据实际情况操作并反馈需要至远端服务器；超声测距辅助设备用来辅助停车，并用来定向监控车辆位置；监控设备将用户需求通过远端服务器反馈至APP客户端；区域交互总机用于接收薄膜自供电感知设备发射的“满”或“空”信息，同时更新对应信息至远端服务器。本发明忽略排队购票过程，实现了检测设备自供电，具有低成本，使用便捷，节约土地资源以及绿色节能环保等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107833839B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710951518.7
申请日：2017-10-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米棒结构的按插式键合单元，由相对设置的上衬底层和下衬底层组成；其中，所述上衬底层下表面上生长有上纳米棒电极，所述下衬底层上表面上生长有下纳米棒电极，上纳米棒电极与下纳米棒电极通过相互嵌扣形成载体通路，所述上衬底层通过载体通路与下衬底层电互连。本发明基于纳米棒结构的按插式键合单元能实现快速高效的键合和拆键，可为后续得到一种用于键合的通用型纳米棒结构提供研究基础，有利于实现通用型键合技术。
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公开(公告)号：CN109544977A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811608955.X
申请日：2018-12-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种智能停车管理系统及方法，其中远端服务器用于系统管理；APP客户端用于注册绑定身份信息；一种薄膜自供电感知设备用于检测车辆上的身份信息，并通过远端服务器传送给APP客户端，并向其发布指令操作，APP客户端在收到指令操作后，用于根据实际情况操作并反馈需要至远端服务器；超声测距辅助设备用来辅助停车，并用来定向监控车辆位置；监控设备将用户需求通过远端服务器反馈至APP客户端；区域交互总机用于接收薄膜自供电感知设备发射的“满”或“空”信息，同时更新对应信息至远端服务器。本发明忽略排队购票过程，实现了检测设备自供电，具有低成本，使用便捷，节约土地资源以及绿色节能环保等优点。
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公开(公告)号：CN105668561B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610198221.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 东南大学
Inventor： 万能
IPC: C01B32/184 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤10）在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20）对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5‑200分钟，从而制得高取向性石墨烯纳米结构。该方法可以获得高取向性的石墨烯纳米结构。
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公开(公告)号：CN104614079B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510069980.5
申请日：2015-02-10
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/34
Abstract: 本发明提供一种红外传感器，敏感材料具有湿敏特性和温敏特性，即：固定温度条件下，水蒸气浓度越高，电容值越高；固定水蒸气浓度条件下，温度越高，电容值越低；所述中空腔体内部充满浓度大于跃变阈值的水蒸气；当水蒸气浓度取大于跃变阈值时，由敏感材料构成的传感器的感温特性曲线的变化率大于0.01pF/mK；所述感温特性曲线指：固定水蒸气浓度条件下，电容值随温度变化的曲线。本发明将同时具有温敏特性和湿敏特性的敏感材料充分暴露于一定水蒸气浓度的环境中，当敏感材料接收到红外辐照后表面温度上升，其电容随之产生变化，通过这一原理来对红外辐射进行探测，方便可靠，且受环境影响小，适用的工作温度范围广。
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公开(公告)号：CN104451828B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410650520.7
申请日：2014-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明提供一种制备垂直取向氧化石墨烯薄膜的方法，具体步骤如下：配置氧化石墨烯分散液；选取两块绝缘电极板，平行放置，相背面制备导电电极，导电电极导线连接外部电压；在步骤(2)所述的电极板之间注入氧化石墨烯分散液，静置，使得溶液完好的浸润电极板内壁；随后开启外部电压，控制所述电压在两块绝缘电极板之间产生的场强小于介质的击穿场强而大于能够使氧化石墨烯产生取向的最小场强；进行氧化石墨烯分散液中氧化石墨烯片的重定向，完成氧化石墨烯片层的取向；在保持外部电压开启的情况下进行溶液挥发，使得氧化石墨烯干燥成膜；取下电极板，获得自支持的垂直取向的氧化石墨烯薄膜。
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