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公开(公告)号：CN103539940A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310437530.8
申请日：2013-09-24
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种聚2,6-二氟苯胺纳米结构的制备方法，包括以下步骤：配料：将2,6-二氟苯胺单体和模板剂加入去离子水中搅拌形成乳液，另取引发剂溶于另一盛有去离子水的烧杯中，再以两秒每滴的速度加入之前配制的乳液中，混合液颜色逐渐变蓝再变黑；恒温反应：混合溶液室温下持续搅拌24～48小时；洗涤；干燥。本发明工艺简单，易于大批量合成，合成材料的微观形貌可通过模板剂控制，合成的纳米结构的聚2,6-二氟苯胺可应用于传感器、防腐和微波吸收涂层、超级电容器、电催化、电致变色等领域。
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公开(公告)号：CN103361066A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264847.6
申请日：2013-06-28
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C09K11/88
Abstract: 一步法合成CdSe/CdS核壳结构量子点的制备方法，包括如下步骤：将镉前驱体与油酸、十八烯混合，加入油胺和三辛基氧化膦（TOPO），在氩气氛围中将溶液加热；注入三辛基膦化合物前驱体，加入由乙基黄原酸镉与硬脂酸镉组成的Cd前驱体，保持温度，得到由CdS包覆的核壳量子点。制备的微粒具有结晶性好、尺寸分布均匀、颗粒直径可调等优点所得到的核壳结构量子点稳定性好，荧光效率高；该方法没有中间过程，使合成核壳结构量子点的操作步骤简单，成本低，且可以一次合成大批量的核壳结构量子点，使II-VI族半导体纳米材料适合实际应用甚至是工业批量生产。
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公开(公告)号：CN103359773A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264503.5
申请日：2013-06-28
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌纳米棒的制备方法，包括如下步骤：配氢氧化钠，或氢氧化钾水溶液；按十六烷基三甲基溴化铵和氢氧化钠的摩尔比为0.001:1～1:1称取十六烷基三甲基溴化铵，加入氢氧化钠溶液中；按碳酰二胺和氢氧化钠摩尔比为0.05:1～1:1称取碳酰二胺加入所配溶液，搅拌；按锌前驱体和氢氧化钠摩尔比为0.03～3:1称取锌前驱体，配浓度为0.3～1M的锌前驱体溶液；加热，搅拌；离心得到白色粉末，干燥，得到氧化锌纳米棒。该方法操作简单，制备出来的ZnO棒尺寸可调，由于ZnO棒尺寸小，因此具有很大的比表面积，适合在光催化剂和气敏传感器中应用。
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公开(公告)号：CN103268825A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310167014.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池复合结构光阳极材料及制备方法，其结构包括玻璃基底、在玻璃基底上的Al掺杂ZnO透明导电薄层、在此导电薄膜基础上ZnO纳米线阵列，以及在ZnO纳米线阵列表面均匀沉积的TiO2纳米薄膜，上述结构可简化为AZO透明导电薄玻璃、以及在导电薄膜基础上形成的TiO2/ZnO核壳结构纳米线阵列。利用AZO代替ITO或者FTO，制备ZnO阵列的时候减少了制备ZnO种子层的过程，简化了制备流程；ALD技术的利用，一方面使得高性能的AZO透明导电薄膜可以很容易的获得，另一方面制备TiO2/ZnO核壳结构过程中，可以确保TiO2在全表面均匀覆盖。
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公开(公告)号：CN103265700A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310166645.8
申请日：2013-05-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C08G73/02
Abstract: 本发明涉及一种聚氟苯胺纳米线的制备方法，包括以下步骤，配料：将氟苯胺单体溶于与水不互相溶的有机溶剂中；将引发剂溶于去离子水中，再将两溶液混合，得到有清晰界面互不相溶的两相混合液；恒温反应；洗涤；干燥。本发明工艺简单，易于大批量合成，合成材料的形貌控制稳定，合成的聚氟苯胺纳米线可应用于气敏传感器、生物传感器、防腐涂层、微波吸收涂层、超级电容器、二次电池、电催化、电致变色等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103171187A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110435160.5
申请日：2011-12-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B32B15/04 , B32B15/20 , B32B9/04 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C14/18 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供一种三明治式结构的透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜的模系氧化锌/铜/氧化锌。所述氧化锌薄膜的厚度为20-400nm，所述铜膜的厚度为2-8nm。本发明还提供一种三明治式结构的透明导电薄膜的制备方法，即运用原子层沉积或磁控溅射方法制备高质量的氧化锌薄膜作为底层薄膜和上层薄膜，运用磁控溅射方法制备铜薄膜作为中间层。铜膜厚度在2-8nm范围时，这种三明治式透明导电薄膜，同时具有优异的电导性能和良好的光学透过率，技术参数达到可商业化应用的水平。
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公开(公告)号：CN102994975A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110272637.2
申请日：2011-09-15
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将反应腔抽真空并加热，用纯度为5N的高纯氮清洗各条气体管路及反应腔；向反应腔通入锌源前驱体脉冲，再清除多余的前驱体；然后通入水蒸汽脉冲，再清洗掉多余的水蒸汽，至此完成一个循环的氧化锌的沉积；同上完成一个循环的氧化铝的沉积；在完成氧化锌和氧化铝循环沉积后，通入高纯氢气，然后清除多余氢气，到此完成一个氢气氛条件下铝掺杂氧化锌薄膜沉积过程；完成铝掺杂氧化锌透明导电氧化物薄膜的制备。较低的制备温度可使AZO薄膜在高分子聚合物等低熔点、柔性衬底上沉积，大大扩展了在AZO薄膜应用范围。
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公开(公告)号：CN102899701A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210337502.4
申请日：2012-09-13
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种Al2O3陶瓷基底上TiO2纳米管有序阵列的制备，该方法包括：（1）使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜；（2）配置阳极氧化溶液；（3）将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化，获得高度有序的TiO2纳米管阵列。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷，而是使用磁控溅射的方法获得很薄的一层钛膜，并对此进行阳极氧化而获得高度有序的TiO2纳米管阵列。本发明操作简便，反应条件温和，并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀，可用于大面积制备薄膜，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102051594A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201110030298.7
申请日：2011-01-28
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种光电材料技术领域的原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，通过将基片加热后依次进行多组复合沉积、每组复合沉积由多次ZnO沉积和Al掺杂沉积组成，得到原子层沉积制备的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。本发明制备得到的透明导电薄膜均匀性优异；导电性好，电阻率可低至7.2×10-4cm；可见光透过率高，可达90％以上。
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公开(公告)号：CN101974734A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010565287.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明涉及一种具有多层复合无机防护膜的基底材料的制备方法。该方法的具体步骤为：将基底材料放入反应室加热至100ºC～500ºC；将三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体在0.1托～10托压力下通入反应室，时间为0.2秒～5秒；将氮气或惰性气体通入反应室，以清除未被基底化学吸附的三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3残余气体；在0.1托～10托压力下，将臭氧或水蒸汽反应气体通入反应室，时间为0.2秒～5秒，在基底上形成一层氧化铝原子层的沉积，并使基底上覆盖的氧化铝层的厚度达到2nm～100nm；以氯硅烷、六氯乙硅烷或正硅酸四乙酯为硅源，取代三甲基铝或Al(CH3)N(CH2)5CH3前驱体，重复上述，在氧化铝层上覆盖二氧化硅层；二氧化硅层的厚度为2nm～100nm；最终得到一个厚度为5～120nm的具有Al2O3/SiO2双层结构复合无机防护膜的基底材料。该方法能够精确控制薄膜厚度，薄膜厚度可以在1～100nm直接精确可控，并且具有极好的抗氧化、防气体渗透性能。同时还能够控制Al2O3与SiO2的比例。
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