一种分级自组装SnO2-SnO复合纳米材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105060242A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510403003.4

    申请日:2015-07-10

    Abstract: 本发明公开了一种分级自组装SnO2/SnO复合纳米材料的制备方法,该方法利用草酸亚锡做锡前驱体,水热条件下六亚甲基四胺提供OH-,通过调控前驱体的浓度、比例、反应温度等条件,制备分级自组装SnO2纳米材料。称取0.1-0.5克的草酸亚锡和0.07-0.3克的六亚甲基四胺置于烧杯中;(2)向上述原料中加入100毫升水,剧烈搅拌;(3)将溶液放入聚四氟乙烯反应釜中,反应釜填充率30%-80%之间,烘箱中80-100℃反应2-5小时,待温度降至室温,取沉淀。本发明的优点在于:水热法制备方法简单,反应温度低,无需后续处理条件即可获得分级组装SnO2/SnO结构,该发明制备的SnO2/SnO可用于气敏传感器、太阳电池光阳极、光催化等。

    一种二氧化锡纳米材料的制备方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN111056566B

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN201911326877.9

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种SnO2纳米材料的制备方法及其产品和应用,以SnCl4·5H2O为前驱体,与络合剂与二甲基甲酰胺和乙醇混合后,向溶液中添加适量ZIF‑8,调节体系pH值至9~10,将溶液移至聚四氟乙烯反应釜中,置于微波合成器中热处理,待温度降至室温,将所得沉淀用去离子水和乙醇各洗涤2次,然后真空干燥;将所得产物置于硝酸水溶液中酸洗,得到SnO2粉末。所得的SnO2纳米材料具有较大的比表面积,制备过程中添加ZIF‑8材料结合后期酸洗过程,可增加SnO2纳米材料的缺陷态、孔隙率及孔隙尺寸,对改善材料的选择性和灵敏度起到非常重要的作用,并且制备方法简单,工艺条件容易实现。

    用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用

    公开(公告)号:CN109338391B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201811217045.9

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用,利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列,制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀;在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒,ZnO半导体与In2S3构建异质结,通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量,从而实现对In2S3光电性能的调控,显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来,构成In2S3‑ZnO异质结,利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能,按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。

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