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公开(公告)号：CN101738664A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910262348.7
申请日：2009-12-17
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 在平面光栅制作过程中精确控制光栅常数的方法，采用的装置包括：光源和依次位于所述光源的光路上的：空间滤波器；凹面镜；第三反射镜和第四反射镜；凸透镜，位于曝光位置处；接收屏，位于所述凸透镜的后焦面上；所述方法包括：通过第三反射镜和第四反射镜使产生的干涉条纹的两束平行光通过所述凸透镜，在位于所述凸透镜焦距处的接收屏上产生两个汇聚焦点光斑；测量这两个焦点光斑的距离L，根据下公式计算出所需的光栅常数d，调整所述第三反射镜和第四反射镜所形成的两束平行光束的角度α以改变接收屏上两光斑的距离L，得到不同的光栅常数d。本发明对于制作不同周期的光栅调节方便，并且控制光栅周期精度高。
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公开(公告)号：CN100507616C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710171361.2
申请日：2007-11-29
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 填充型亚波长导模共振滤光片的制备方法，首先在石英基片上采用掩模光刻和反应离子束蚀刻的方法制作初始的空气填充型亚波长光栅，然后以它为基片进行镀膜和刻蚀，其特点是：a)用物理真空沉积方法镀膜，膜的材料为光栅槽里待填充的材料，膜的厚度为亚波长光栅槽深的2倍；b)用反应离子束刻蚀镀膜后的亚波长光栅，光栅槽脊上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的2倍且光栅槽沟上的材料刻蚀厚度为亚波长光栅槽深的1倍。本发明要在纳米尺度的光栅槽内填充厚度精确到纳米量级的材料，无疑是该类滤光片中制备难度最大的一种。本发明结合镀膜技术和蚀刻技术，提供一种实际可行的刻蚀制备方法，可以方便地制备出填充型亚波长导模共振滤光片。
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公开(公告)号：CN101339920A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810041823.3
申请日：2008-08-18
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H01L27/148 , H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 增强硅基成像器件紫外响应的有机金属薄膜制备方法，其特征在于：选取经预烘烤的有机金属配价物Alq3粉末作为镀膜材料，采取真空蒸镀法在硅基成像器件光敏元表面将紫外变频材料蒸镀成膜。所述的经预烘烤的有机金属配价物Alq3粉末烘烤时间为6－12小时，温度：300℃。所述制备变频薄膜的真空蒸镀法，蒸镀条件为：真空度：2×10－3Pa；光学监控波长：500nm；薄膜厚度：光学厚度125nm；蒸发电流：20A；烘烤温度：200℃。该薄膜不但有效提高了硅基成像器件紫外响应的能力，而且克服了有机变频薄膜随时间衰减老化的问题。
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公开(公告)号：CN201364396Y
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200920068533.8
申请日：2009-03-06
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种全息凹面光栅曝光衍射效率实时监测系统包括He－Ne激光器、全息凹面光栅、凸透镜、带串口连接的光功率计、计算机、He－Cd激光，通过实时监测全息凹面光栅曝光时的负一级的衍射光光强来控制全息凹面光栅制作过程中曝光的最佳曝光量，达到制作完成后的全息凹面光栅具有最佳负一级衍射效率的目的。具有光强利用率高，装置简单，容易拆卸，没有复杂的光路调节的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203616497U
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201320816327.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 上海理工大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本实用新型提供了一种亚波长光栅偏振器，包括光栅部和至少具有两个相对向的表面的基底部，其特征在于：其中，光栅部具有多个光栅单元，光栅单元至少分布在一个表面上,光栅单元具有多层台阶层，随着台阶层数的增加每层台阶层的占空比呈规律性变化。与传统的亚波长金属光栅偏振器相比，本实用新型所提供的亚波长光栅偏振器在近红外波段透过率最大可提高约15%，同时对应的消光比大于目前公认消光比阈值C=20dB，符合偏振器消光比的要求。
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公开(公告)号：CN202421053U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201120372366.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 一种紫外传感增强薄膜变频效率测试装置，包括光源、瞄准器、单色仪、分束镜、可见光滤光片、样品台、紫外光滤色片、功率计、计算机，其特征在于：光源、瞄准器、单色仪、分束镜依次排列通过光连接，分束镜分出的两束光垂直方向分别通过暗室光孔进入两个暗室，一束光经过可见光滤色片、样品台，通过暗室对称侧光孔进入光功率计一，另一束光经过紫外光滤色片、经暗室对称侧光孔进入光功率计二，样品台、紫外光滤色片分别设有转动轴，该转动轴分别与一个步进电机主轴连接，计算机的输出端与步进电机控制电路连接。采用本测试装置，不仅大大减小了误差，有效提高了测量的准确性，而且操作方便，稳定性强。
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公开(公告)号：CN201270249Y
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200820152199.X
申请日：2008-08-21
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 一种基于无机材料增强紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在光电器件光敏面基片的光入射面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Zn2SiO4:Mn膜层；与硅基成像器件光敏面基片致密结合。该膜层将紫外光转化为可见光；所述的Zn2SiO4:Mn膜层，Zn2SiO4和Mn的质量比为Zn2SiO4∶Mn＝100∶2.4。本实用新型所制备的硅基成像器件紫外响应无机薄膜具有较好的转化效率，其发射峰值波长为525nm，恰好在CCD等探测器的最敏感响应波段；无机变频薄膜克服了随时间衰减老化的问题，能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度。
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公开(公告)号：CN201247776Y
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200820152099.7
申请日：2008-08-18
Applicant: 上海理工大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 一种具有紫外响应的硅基成像器件，其特征在于：在硅基成像器件光敏元基片的一面镀一层可将紫外辐射转换为可见光的Alq3材料的变频薄膜，与硅基成像器件光敏元基片致密结合。所述的变频薄膜，Alq3材料是经过预烘烤后的有机金属配价物Alq3粉末作为镀膜材料。所述的变频薄膜厚度：光学厚度125nm。本实用新型不但有效提高了硅基成像器件紫外响应的能力，而且克服了有机变频薄膜随时间衰减老化的问题。能够有效增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，将探测区域拓展到紫外波段。
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公开(公告)号：CN205304872U
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201521131056.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 上海理工大学
Abstract: 一种面向远程终端设备的云控制系统，涉及远程控制技术领域，所解决的是现有系统的设备接入受限制大的技术问题。该系统包括云服务器，及至少一个智能移动设备，至少一个终端网络；所述终端网络包括终端服务器，及多个智能终端设备，所述终端服务器内置有Wifi通信模块、zigbee通信模块、蓝牙通信模块；每个智能终端设备或通过Wifi通信方式与终端服务器互联，或通过zigbee通信方式与终端服务器互联，或通过蓝牙通信方式与终端服务器互联；所述云服务器及各个终端服务器均连入INTERNET，各智能移动设备通过无线网络连入INTERNET。本实用新型提供的系统，具有接入广域性及广泛接入性。
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