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公开(公告)号:CN1156271A
公开(公告)日:1997-08-06
申请号:CN96103153.0
申请日:1996-03-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F1/465
Abstract: 一个内部电源电路,包括一个第一输出金属氧化物半导体晶体管(Q1),用于传送第一基准电压(Vref),一个内部基准电压发生电路(10),用于从(Q1)的输出电压产生一个第二基准电压,以及输出金属氧化物半导体晶体管(Q2),它根据第二内部基准电压工作在源极跟随器方式。内部基准电压发生电路(10)具有消除输出金属氧化物半导体晶体管(Q2)和第一金属氧化物半导体晶体管(Q1)的阈电压对输出结点(4)上的内部电压VINT的影响。
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公开(公告)号:CN1151613A
公开(公告)日:1997-06-11
申请号:CN96113004.0
申请日:1996-09-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/0629 , H01L27/105 , Y10S257/905 , Y10S257/908
Abstract: 相似于DRAM存储单元,N型杂质区(2d-2i)制作在N阱(10)的表面处。对应于储存节点的导电层(6c-6d)以及对应于单元板的导电层9a和9b为杂质区(2d-2i)中的预定的杂质区而制作。导电层(9a和9b)彼此直流电隔离,且分别连接于电极节点VA和VB。由预定数目的通过N阱并联连接的存储单元电容器构成的电容器组被串联连接。其结果是,可实现利用存储单元电容器特性的具有优良面积利用率的电容器。
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公开(公告)号:CN1835365B
公开(公告)日:2014-03-05
申请号:CN200610058828.8
申请日:2006-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M3/07 , G09G3/3696 , G09G2330/028 , H03B19/14
Abstract: 本发明对采用低温多晶硅工艺的驱动电路一体型显示装置,提供工作容限大的分频电路。构成分频电路(50)的级联的单位分频电路FD1~FDn之中,对初级单位分频电路(FD1)附加电平移位器(60)和电荷泵电路(70)。电荷泵电路(70)基于点时钟信号(信号DCLK)将输入电压升压并生成升压电压,并向初级单位分频电路(FD1)供给,初级单位分频电路(FD1)用升压电压来驱动,因此提高了电流驱动能力。通过提高被输入频率较大的点时钟信号的初级单位分频电路(FD1)的驱动能力,能够增大分频电路(50)的工作容限。
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公开(公告)号:CN1674442B
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN200410102130.2
申请日:2004-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H03K19/0185 , G09G3/20 , G11C19/18 , G11C27/02
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2310/027 , G09G2310/0289 , G09G2310/0294 , H03K19/01855 , H03M9/00
Abstract: 在对输入信号进行取样后激活并进行电平变换的时钟控制式反相器的输入部分,设置接收与取样时钟信号互补的时钟信号的MOS电容器。与时钟控制式反相器的激活并行地进行该MOS电容器的充电动作。
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公开(公告)号:CN1841935B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610079261.2
申请日:2003-03-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H03K19/0185 , G09G3/36 , H03K3/356
CPC classification number: H03K3/356113 , G09G3/3648 , G09G3/3685 , G09G2310/0289 , H03K3/356147
Abstract: 该电平转换器(3)包含:锁存第一及第二输出结点(N5、N6)的电平的第一及第二P型TFT(5、6);设定第一及第二输出结点(N5、N6)的电平的第一及第二N型TFT(7、8);以及包含有响应输入信号(VI)的上升沿及下降沿、将比第一及第二N型TFT(7、8)的阈值电压(VTN)高的电压分别加在第一及第二N型TFT(7、8)的栅极源极之间的第三~第八N型TFT(9~14)、第一及第二电容器(15、16)及电阻元件(17)的驱动电路。因此,在输入信号(VI)的振幅电压(3V)比第一及第二N型TFT(7、8)的阈值电压(VTN)低的情况下,也可以正常工作。
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公开(公告)号:CN100565711C
公开(公告)日:2009-12-02
申请号:CN200710085854.4
申请日:2007-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于抑制移位寄存器电路输出的同步的2个输出信号之间的影响。本发明的移位寄存器电路设有:栅线用输出端子(OUT)和时钟端子(CK)之间的晶体管(Q1);进位信号输出端子(OUTD)和时钟端子(CK)之间的晶体管(Q2);以及进位信号输出端子(OUTD)和第1电源端子(s1)之间的晶体管(Q2D)。晶体管(Q2、Q2D)的栅极相互连接。另外,连接在晶体管(Q1)的栅极和第2电源端子(s2)之间的晶体管(Q3)和连接在晶体管(Q1D)的栅极和第2电源端子(s2)之间的晶体管(Q3D)的栅极共同连接在输入端子(IN)上。
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公开(公告)号:CN100530438C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200610004613.8
申请日:2006-01-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G11C19/184
Abstract: 提供可防止泄漏电流导致的误动作的移位寄存器电路以及搭载它的显示装置。在移位寄存器电路的输出级,具有在输出端子OUT-第1时钟端子A间连接的晶体管T1和在输出端子OUT-地GND间连接的晶体管T2。晶体管T1的栅极(结点N1)-地GND间连接有串联连接的晶体管T4、T7。晶体管T4、T7间的结点N3经由晶体管T8与电源VDM连接。由于晶体管T8的栅极与结点N1连接,若晶体管T4、T7截止,结点N1的电平上升,则晶体管T8导通,对结点N3施加规定的电压。
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公开(公告)号:CN100530337C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200710087993.0
申请日:2007-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2310/027 , G11C19/28 , H03K23/50
Abstract: 本发明目的在于防止移位寄存器电路的误工作,提高工作可靠性。移位寄存器电路包括:输出端子(OUT)和第1时钟端子(A)之间的晶体管(Q1);输出端子(OUT)和第1电源端子(s1)之间的晶体管(Q2);以及将晶体管(Q1)的栅极所连接的节点(N1)作为输入端并将晶体管(Q2)的栅极所连接的节点(N2)作为输出端的倒相器。该倒相器包括:串联连接在节点(N2)和第1电源端子(s1)之间并分别具有与节点(N1)连接的栅极的晶体管(Q7A、Q7B);连接在节点(N2)和第3电源端子(s3)之间并具有与该第3电源端子(s3)连接的栅极的晶体管(Q6);以及连接在作为晶体管(Q7A)和晶体管(Q7B)的连接节点的第3节点和第4电源端子(s4)之间并具有与节点(N2)连接的栅极的晶体管(Q8)。
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公开(公告)号:CN100472956C
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200410088189.0
申请日:2004-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
IPC: H03F3/34 , H03F3/45 , G01R19/165
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2001/0041
Abstract: 本发明提供一种电压发生电路。将基准电压(VR)作为输入信号使电荷泵电路(5)的输出电压(Vo)的电平判定用的差动放大器(1)以电压跟随器模式操作,通过其输出电压对电容元件(C1)进行充电。之后,进行对应于输出电压的被比较电压(Vod)和充电到电容元件中的电压的比较操作,生成输出信号,根据差动放大器(1)的输出信号,选择性地激活电荷泵电路的电荷泵操作。提供稳定地产生期望电压电平的内部电压的电源电路。
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公开(公告)号:CN100472596C
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN03801711.3
申请日:2003-07-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 飞田洋一
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3241 , G09G3/3283 , G09G3/3291 , G09G2300/0408 , G09G2300/0809 , G09G2310/0254 , G09G2310/027 , G09G2320/043 , G09G2330/028
Abstract: 包含在电压发生电路114中的第1放大电路(132)包含:由P型TFT元件(P101,P102)以及N型TFT元件(N101,N102)构成的差动电路;恒流电路(150a;150b);和N型TFT元件(N103)。恒流电路(150a;150b)由P型TFT元件(P132a;P132b)、电容器(C132a;C132b)、开关(S104a~S106a;S104b~106b)和电阻元件(R132a;R132b)构成。电容器(C132a;C132b)保持在电压设定时即向二极管连接的P型TFT元件(P132a;P132b)提供电流时的节点(204;208)的电压。
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