公开(公告)号：CN1581509A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。