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公开(公告)号：CN111615499B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980008795.1
申请日：2019-01-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C03B37/014 , C03B37/018 , G02B6/028 , G02B6/036
Abstract: 以实现光纤的低损失化为目的，光纤母材的制造方法包括：第一工序，在第一工序中，制作芯母材，芯母材在由透明玻璃构成芯部的外周具备添加有氟的第一包层；以及第二工序，在第二工序中，在第一包层的外周形成由折射率比第一包层高的玻璃构成的第二包层，第一包层在与第二包层的边界面的至少附近处通过氟浓度的分布而形成第一折射率分布形状，所述第一折射率分布形状是如下形状：随着相对于与第二包层的边界面的距离变小，第一包层的折射率与第二包层的折射率的折射率差变小。
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公开(公告)号：CN113056344B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201980073624.7
申请日：2019-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使利用压接工具将热管热连接至基块，从基块向热管的热传递性和热管对于基块的固定稳定性仍优异的热管结构体、具有该热管结构体的散热器。热管结构体具有：基块，具有能够与发热体热连接的背面部；热管，固定在所述基块的正面部，并具有沿着所述基块的平面方向配置的受热筒部，所述基块具有长度方向和宽度方向，并具有容纳所述受热筒部的凹部，所述热管的容器部压接固定在所述凹部，在所述凹部与所述容器部的外表面之间形成有第一金属部，所述第一金属部含有熔点为130℃以上且400℃以下的第一金属以及/或者熔点为130℃以上且400℃以下的第一金属合金。
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公开(公告)号：CN112654908B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201980058384.3
申请日：2019-09-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/44 , C03C25/104
Abstract: 本发明提供一种光纤芯线和光纤线缆，即使是微弯曲灵敏度高的光纤也能够抑制传输损耗(微弯曲损耗)。本发明提供的光纤芯线(1)由于使式(I)所示的第一层(11)的自由度和式(II)所示的第二层(12)的刚性分别成为特定范围，所以即使在使用光纤的有效芯截面积Aeff大的、BI光纤等的微弯曲灵敏度高的光纤(10)的情况下，也能够抑制传输损耗。本发明能够广泛用于构成光纤带芯线的光纤芯线(1)、收纳于光纤线缆的光纤芯线(1)。此外，具备上述光纤芯线(1)的光纤线缆享有所述光纤芯线(1)所起到的效果。βP×PISM≥600×10－6……(I)、(S/P)×(SISM/PISM)≤1000……(II)。
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公开(公告)号：CN108207116B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201780003496.X
申请日：2017-03-27
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 河田晓
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J133/00
Abstract: 一种半导体加工用粘合片，其在基材膜上具有粘合剂层，频率0.01～10Hz下的损耗系数为0.08以上且小于0.15，基材膜为1层，相对于基础树脂100质量份包含苯乙烯系嵌段共聚物5～39质量份，苯乙烯系嵌段共聚物为选自苯乙烯‑氢化异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑氢化丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯‑氢化异戊二烯/丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物中的至少一种树脂，基础树脂为选自聚丙烯、聚乙烯等特定树脂中的至少一种树脂。
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公开(公告)号：CN115702317A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180044371.8
申请日：2021-06-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 上久保将大
IPC: F28D15/04
Abstract: 热输送设备1在具有封入有工作流体F的内部空间S的容器2中具备：使工作流体F蒸发的蒸发部4；配设在与蒸发部4分开的位置并使工作流体F冷凝的冷凝部5；和配设在蒸发部4与冷凝部5之间的中间部6，在容器2中形成有从冷凝部5经中间部6连续延伸至蒸发部4为止的至少1条主槽3，至少1条主槽3中的一部分或全部的主槽3为具有倾斜槽底32的倾斜槽30，其中，在沿着主槽3的延伸方向X的剖面中观察时，倾斜槽底32随着从位于冷凝部5的槽部分的槽底位置33朝向位于蒸发部的槽部分的槽底位置34而与热输送设备1的底面11接近的方式倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115698620A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040276.0
申请日：2021-06-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 田中贤吾
IPC: F28D15/02
Abstract: 均热板在形成于第1金属片材与第2金属片材之间的内部空间中具有工作流体，上述第1金属片材具备凹部流路和至少1个以上的突出部，上述凹部流路设置于上述第1金属片材的内表面，上述突出部从上述第1金属片材的内表面朝向上述第2金属片材突出，且上述突出部的顶面与上述第2金属片材抵接，上述均热板具备至少1个以上的顶面接合部和间隙流路部，上述顶面接合部将上述突出部的上述顶面的一部分与上述第2金属片材接合，在上述间隙流路部中，上述顶面与上述第2金属片材分离。
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公开(公告)号：CN115697622A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039511.2
申请日：2021-06-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: B23K26/21 , B23K26/067 , H01M50/531
Abstract: 在焊接方法中，例如通过对在金属构件的第一面上沿第一方向重叠的多个金属箔从金属构件的相反侧照射激光，从而将金属构件与多个金属箔焊接，激光包括800[nm]以上且1200[nm]以下的波长的第一激光以及500[nm]以下的波长的第二激光，将激光照射于多个金属箔中的在第一方向上最远离金属构件的金属箔的与金属构件相反的一侧的第二面上。另外，在焊接方法中，也可以是，第二激光的波长为400[nm]以上且500[nm]以下。
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公开(公告)号：CN110326062B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201880013591.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 古河电气工业株式会社(JP)
Abstract: 一种在基材(1)的单面侧形成有氧化物超导导体层(3)的两根超导线材(10A、10B)彼此间的超导线材的连接结构(100)，在两根超导线材(10A、10B)的连接端部处，氧化物超导导体层被面对面地接合，以在超导线材的厚度方向上从一方的超导线材(10A)遍及至另一方的超导线材(10B)的方式设有加强用埋入件(6)。利用该加强用埋入件(6)，提高了相对于连接端部处的剪切方向上的应力的强度，与此相伴，线材的连接强度提高。
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公开(公告)号：CN109937479B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201780068101.4
申请日：2017-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社(JP) , 古河精密金属工业株式会社(JP)
Abstract: 本发明提供引线框材料(10)，其具有：导电性基体(1)、和包括在该导电性基体(1)的至少单面上直接或经由中间层由多个粗化颗粒的突起物(4)形成的至少一层粗化层(2)的粗化覆膜(3)，所述突起物(4)具有以下形状：在所述粗化覆膜(3)的厚度方向截面测定时的最大宽度相对于在位于比该最大宽度的测定位置更靠近所述导电性基体(1)侧的下侧部分测定时的最小宽度，为1～5倍。
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公开(公告)号：CN109716502B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201780050928.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , B23K26/38 , C09J201/00
Abstract: 提供一种掩模一体型表面保护带，其为等离子体切割方式用，所述掩模一体型表面保护带在薄膜化程度大的背面磨削工序中的半导体晶片的图案面的保护性、表面保护带的掩模材料层从基材膜的剥离性优异，残胶少，不良芯片的产生少。另外，提供一种无需光刻工艺的掩模一体型表面保护带。
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