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公开(公告)号：CN112086537A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010997914.5
申请日：2020-09-21
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/028
摘要： 本文公开了一种高纯锗探测器，本发明实施例以P型高纯锗晶体作为主体的高纯锗探测器，通过包括中心电极和外表面电极的同轴电极形成均匀的可引起载流子倍增的强电场；基于包含电子阻挡层和空穴阻挡层的载流子阻挡层形成阻挡接触，降低载流子扩散电流；通过环形的保护电极收集晶体表面漏电流中的载流子，阻止这些载流子进入载流子倍增的强电场区域；基于上述结构实现了载流子的倍增，阻止了表面漏电流中载流子的倍增，降低了高纯锗探测器的能量阈值。
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公开(公告)号：CN109309131B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811072896.9
申请日：2018-09-14
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
摘要： 石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法，属于半导体探测器领域，解决了现有碳化硅辐射探测器存在的探测效率低、漏电流大的问题。该探测器包括：碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层为双台面结构；设置在碳化硅外延层上的石墨烯透明电极；设置在碳化硅外延层上的二氧化硅钝化层；设置在石墨烯透明电极上的阴极金属电极和阳极金属电极；分别键合在阴极金属电极和阳极金属电极上的电极引线。本发明将石墨烯透明电极应用到辐射探测器中，采用双台面工艺，提供一种具有高有效探测区域、高探测效率、低漏电流、耐高温、耐辐射的石墨烯透明电极双台面碳化硅辐射探测器及其制备方法。
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公开(公告)号：CN112002784A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010941530.1
申请日：2020-09-09
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/028
摘要： 本发明公开了一种自滤光可见盲硅兼容的红外光电探测器，该探测器的结构为：以单晶硅衬底为基底，单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构；在单晶硅衬底的下表面转移有一层石墨烯薄膜，形成硅-石墨烯肖特基结；在石墨烯薄膜的下表面设置有量子点层。本发明的光电探测器具有自驱动、可见光盲、近红外窄带响应、响应速度快等优势，同时还具有兼容性强、稳定性高、易制备、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN111952377A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860333.7
申请日：2020-08-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18
摘要： 一种曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制作方法，该曲面陷光结构的钙钛矿/硅叠层太阳电池包括硅下电池；曲面陷光结构，设置在硅下电池上；载流子复合层，设置在曲面陷光结构上；钙钛矿上电池，设置在载流子复合层上；透明电极，设置在钙钛矿上电池上；以及金属电极，设置在透明电极上。本发明曲面陷光结构不存在锐利的凸起和凹陷结构，不容易导致薄膜中缺陷态的产生；曲面陷光结构相对于尖锐型陷光结构更容易形成均匀、保形、连续的薄膜，因此更利于器件工艺的简化以及大面积扩展。
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公开(公告)号：CN111933729A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010830017.5
申请日：2020-08-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/10 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种低暗电流硅基锗探测器的制作方法，先在硅衬底上刻蚀出硅槽，在硅槽中外延生长纯锗层，并在纯锗层上完成波导结构刻蚀，形成锗波导结构，然后在锗波导结构的锗表面旋涂增附剂和负性光刻胶，并依次进行曝光、烘焙；最后对锗表面进行清洗并制作成硅基锗探测器。本发明中，在形成锗波导结构后，将负性光刻胶覆盖于锗材料表面，利用负性光刻胶的轻微氧化性对锗材料进行腐蚀，去除锗表面的刻蚀损伤层，从而降低由波导刻蚀损伤引入的暗电流；由于负性光刻胶主要与锗表面悬挂键等活性较高的缺陷产生反应，对锗的腐蚀性很小，仅会去除表面的损伤层，并且速率不受锗的掺杂类型影响，腐蚀效果稳定，不会对锗探测器的形貌造成影响。
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公开(公告)号：CN111916525A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010812875.7
申请日：2020-08-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/028 , H01L31/18 , H01L21/265
摘要： 本发明公开了一种锗波导探测器侧壁浅结离子注入工艺，先在锗波导上光刻出N型侧壁注入区和第一接触区，然后采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对N型侧壁和第一接触区进行N型注入，之后在锗波导上光刻出P型侧壁注入区和第一接触区，再采用固定靶盘倾角的大束流离子注入设备分别对P型侧壁和第一接触区进行P型注入。本发明中，通过调整注入设备的注入倾角和旋转角，分别对侧壁和接触区进行小偏角注入，从而大大降低了对设备的注入剂量要求，使用普通的固定靶盘倾角的大束流离子注入设备即可完成侧壁浅结离子注入工艺，降低了工艺设备的成本，且注入效果和大偏角一体注入的效果相当。
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公开(公告)号：CN111883607A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010668120.4
申请日：2020-07-13
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/028
摘要： 本发明涉及一种基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器的构筑方法。通过设计石墨烯/锗复合结构、利用石墨烯/锗复合结构能高效分离光生激子和锗对石墨烯的掺杂效应，并控制器件预处理和退火温度与时间以进行界面和材料优化，该类器件具备显著增强的侧向光伏效应和位置探测灵敏度。该方法成功构筑了对可见光响应理想的基于石墨烯/锗复合薄膜的高灵敏度位置探测器。
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公开(公告)号：CN107004618B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201580067881.1
申请日：2015-10-20
申请人： 奥罗拉太阳能技术(加拿大)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L31/028 , H01L31/18
摘要： 本发明提供用于光伏产品的制造过程控制的方法和系统。一些实施方案涉及追踪用于光伏产品的晶片关于哪个制造工具处理它们和它们在该制造工具中的位置的方法。一些实施方案涉及测量和表征部分完成的光伏产品的品质关键性参数，所述部分完成的光伏产品由所讨论的制造工具产生。一些实施方案涉及所测量的参数在计算机屏幕上的显示和可视化，使得各制造单元的参数可在以下范围中直接观察：哪个制造工具处理它们、在处理期间它们位于具体制造工具内的哪个位置、和哪个批次或在连续处理的情况下何时单元被处理。
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公开(公告)号：CN111830011A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910316868.5
申请日：2019-04-19
申请人： 中国计量大学
IPC分类号： G01N21/71 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/0352
摘要： 本发明公开了一种等离子体诱导透明超材料传感器，属于石墨烯材料在中红外波段传感器件，利用了石墨烯表面等离子体特性及等离子体诱导透明理论。该传感器件为三维周期性结构，其结构组成为：顶层为石墨烯开口谐振环和石墨烯双纳米带结构，中间层为二氧化硅介质，底层为掺杂硅基底层，由上往下堆叠而成的三层结构。本发明主要通过有限元方法计算模拟出等离子体诱导透明超材料传感器的谐振光谱，对传感器结构进行优化，具有在中红外频段激发出等离子体诱导透明共振的能力，并可以有效调谐等离子体诱导透明共振的线形和谐振频率。本发明结构简单、紧凑合理，便于加工。
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公开(公告)号：CN111312830B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010382078.X
申请日：2020-05-08
申请人： 南京晶碳纳米科技有限公司 , 南京微米电子产业研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/074 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种碳纳米管/石墨烯范德华异质结光电器件、其构筑方法和应用，属于半导体光电器件技术领域。包括：绝缘性基底，设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对，位于电极对之间的图形化石墨烯，位于图形化的石墨烯间定向排布且密度可控的半导体性碳纳米管。与现有技术相比，本发明采用图形化石墨烯与定向排布的半导体性碳纳米管形成范德华异质结构，可以充分利用石墨烯与半导体性碳纳米管超高的载流子迁移率和半导体性碳纳米管的吸光能力。更重要的是，可以通过调节半导体性碳纳米管排布密度、图形化石墨烯尺寸等方式实现增大器件光电响应率的同时大幅度降低器件暗电流，进而提高器件的比探测率。
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