公开(公告)号：CN101149974A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710088991.3

申请日：2007-03-29

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 陈威仲 ,  何达能 ,  陈俤文 ,  陈威铭

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 提供一种非易失性存储器的制造方法。首先，提供一待编码存储器，具有排成阵列的多个待编码存储体。接着形成一植入阻抗层于待编码存储器上。设置一屏蔽于待编码存储器上，屏蔽的开孔下方的部分待编码存储体的数量少于其余待编码存储体的数量。以屏蔽形成一图案化植入阻抗层，并离子植入露出的待编码存储体，以定义出第一存储体及第二存储体，第一存储体及第二存储体分别具有一第二位状态及一第一位状态。然后反向定义待编码存储器，使第一存储体及第二存储体分别具有第一位状态及第二位状态。

公开(公告)号：CN101136250A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610128742.8

申请日：2006-09-02

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C17/10

摘要： 本发明提供了一种三维存储模块(3D－MM)，它在存储容量和外部尺寸方面优于同期微硬盘(CMD)。基于三维存储器(3D－M)的3D－MM((3D)2－MM)在生产成本上还优于同期微硬盘。基于三维掩膜编程存储器(3D－MPM)的3D－MM为便携式多媒体资料库－尤其是视频资料库－提供一个具有超大容量的存储体。

公开(公告)号：CN101101785A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710096988.6

申请日：2007-04-26

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 森俊树

IPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/06 ,  G11C17/10 ,  G11C16/26

CPC分类号： G11C16/24 ,  G11C16/28

摘要： 在用于对读取周期中读取位线上的剩余电荷放电的半导体存储器装置中，位线在除读取操作期间以外的全部时间均处于复位状态。当选择并且连接到用来读取的读取电路时，取消位线的复位状态并且通过所选的位线读取存储在所选存储器单元中的信息。在完成存储器单元读取后，所选位线与所述读取电路之间断开连接并复位，从而在下一周期读取操作以前完成读取位线中的剩余电荷放电。这样确保在下一读取周期的读取决定操作期间，所选的位线电势不会随着前一读取周期的位线剩余电荷放电而改变。

公开(公告)号：CN101038791A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710088613.5

申请日：2007-03-16

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 仓田胜一 ,  林光昭

IPC分类号： G11C17/18 ,  G11C17/10

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/28

摘要： 本发明涉及一种半导体存储装置，在现有的半导体存储装置中使用空位线构成的复制电路在将空位线充电时，因非导通漏泄电流而不能充电到所希望的电位。其结果是，由于向空位线充电的时间或放电的时间也与所希望的时间不同，故不能进行最佳的动作定时的设定。为解决该问题，本发明提供一种半导体存储装置，通过在虚拟存储元件阵列中在相同定时用与空位线充电电路相同结构的充电电路将虚拟存储元件的源极线充电，由此抑制非导通漏泄，从而生成合适的定时。

公开(公告)号：CN1967723A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610153562.5

申请日：2002-09-30

申请人： 张国飙

发明人： 张国飙

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C17/10 ,  G11C16/02

摘要： 本发明提出一种基于3D－M进行自测试的集成电路。三维存储器(3D－M)堆叠在被测试集成电路(CUT)上方，并存储CUT的测试数据或籽数据。与3D－M集成后，CUT可实现自测试。同时，由于3D－M与CUT之间有很大带宽，该自测试支持同速测试。

公开(公告)号：CN1473336A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01818530.4

申请日：2001-10-11

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： P·马赫拉

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C11/00 ,  G11C17/10

CPC分类号： G11C29/822 ,  G06F12/0638 ,  G11C17/10

摘要： 用于只读存储器的扩展使用的存储管理逻辑单元。本发明允许将经济的只读存储器与可重写存储器一起使用。为达此目的，一个存储管理逻辑单元(2)与一个控制单元(1)、一个只读存储器(3)和一个可重写存储器(4)相互作用。所述只读存储器(3)的特定存储区域中的数据被所述可重写存储器(4)中的数据取代。如果所述控制单元(1)访问所述只读存储器(3)中的被取代的数据，则所述存储管理逻辑单元(2)将此访问转向至所述可重写存储器(4)中的相应的数据。