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公开(公告)号：CN113884472B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202111059987.0
申请日：2021-09-10
Abstract: 本发明涉及一种基于发光颜色判读的湿度探测器，包括激发光源层以及钙钛矿量子点叠层；所述激发光源层由可激发钙钛矿叠层的电致发光源组成；所述钙钛矿量子点叠层由对环境湿度敏感度有差异的钙钛矿量子点层叠组成，其中下方的钙钛矿量子点层材料不能激发上方的钙钛矿量子点层材料，不同层的钙钛矿量子点材料均可被底部的激发光源发出的光激发，并且在出射过程中混色。本发明实现根据发光颜色判读的湿度探测。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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公开(公告)号：CN113409721B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110428676.0
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/32 , G09G3/34 , G09G3/3225
Abstract: 本发明提供了一种发光器件电场驱动调制装置，其特征在于，包括发光器件、绝缘层、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极；所述第一驱动电极与调制电极位于发光器件的一侧，所述第二驱动电极位于发光器件的另一侧；所述发光器件、第一驱动电极、第二驱动电极以及调制电极相互之间设有所述绝缘层；其中，向驱动电极施加驱动信号为所述发光器件的发光提供能量，向调制电极施加调制信号在所述发光器件周围形成调制电场；通过施加电信号于驱动电极和调制电极形成不同电场耦合方式，对所述发光器件进行驱动调制。本发明有利于缩小发光像元尺寸，降低器件制备复杂度。
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公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN113299239B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110428547.1
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种电场调控的有源阵列显示器件。行电极阵列和列电极阵列垂直交叉形成的阵列像元区域；阵列像元区域中的每一像元区域均设有一像元和公共电极；像元包括发光体、驱动电极、选择电极、控制电极；驱动电极与公共电极电气连接，选择电极与所述行电极电气连接，所述控制电极与列电极电气连接；对驱动电极施加交流电压信号，为发光体的发光提供能量；控制电极和选择电极形成调制电场，实现对发光体发光亮度的调控。本发明有源阵列显示器件在每一个像元位置采用电场开关，该电场开关仅通过电场调控就可以实现发光器件的亮度调节，有利于缩小像元尺寸，降低器件制备复杂度、成本，有望实现具有亚微米级甚至纳米像元的极高分辨率显示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112436096B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN111834506B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010536751.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法，包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层；第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上；其中，第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构；第一接触电极设置于第一半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第二接触电极设置于第二半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第三接触电极设置于第四半导体层上，并与其形成欧姆接触；第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，具有较大的放大系数，可实现用小功率输入信号驱动半导体发光。
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公开(公告)号：CN111834502B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
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公开(公告)号：CN113471092A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110532077.3
申请日：2021-05-17
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提出一种LED芯片无接触检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、位移装置、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一基板尺寸不大于待测LED芯片的尺寸，且不与待测LED芯片发生接触；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述位移装置用于控制第一基板和第二基板的相对位置；所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；所述供电系统分别连接第一导电板和第二导电板。每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
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公开(公告)号：CN113436806A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110519898.3
申请日：2021-05-13
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
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