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公开(公告)号：CN102417375B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110237500.3
申请日：2011-08-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 一种炭/炭复合材料SiC/ZrB2-SiC/SiC涂层及其制备方法。包括内涂层、外涂层和中间涂层，内涂层的厚度为20～50μm，外涂层的厚度为30～80μm，中间涂层的厚度为50～80μm。通过包埋发法制备SiC内涂层，降低中间层ZrB2-SiC与C/C复合材料的热应力。通过超音速等离子喷涂制备ZrB2-SiC中间层，ZrB2-SiC为C/C复合材料提供良好的高温烧蚀、中低温抗氧化及隔热性能。通过沉积法制备SiC外涂层，有效愈合涂层表面缺陷，阻止氧气的渗入，为C/C复合材料提供良好的高温氧化保护。同时在中低温氧化过程中，ZrB2的氧化产物B2O3可有效愈合涂层中的缺陷，为涂层试样提供良好的中温氧化保护。
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公开(公告)号：CN103232256A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310064735.6
申请日：2013-03-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明涉及一种提高炭/炭复合材料—锂铝硅陶瓷接头连接性能的方法，将中间连接层设计为梯度成分结构，缓解了C/C复合材料与LAS基体的热膨胀不匹配问题，从而提高了接头的界面结合力。通过真空热压烧结工艺制备的梯度连接层C/C-LAS接头，相对于未设计梯度结构的接头，平均剪切强度由15.8MPa提高到24.0MPa，增幅达到51%。本发明的有益效果：提高C/C–LAS连接接头的抗剪切性能，缓解界面处由于热膨胀系数不匹配产生的热应力，提高接头的界面结合力和连接强度。
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公开(公告)号：CN103214268A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310105833.X
申请日：2013-03-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明涉及一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，在C/C复合材料表面制备了多孔SiC纳米线层，利用SiC纳米超高的强度和弹性模量以及其于SiC涂层基体的良好结合力，有效提高了SiC涂层的断裂韧性，从而降低了SiC涂层高温磨损率，有利于增强涂层的耐磨性能。添加SiC纳米线后，SiC涂层在800℃下的磨损率从1.51×10-3mm3·N-1·m-1降低至1.83×10-4mm3·N-1·m-1，降低了一个数量级。
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公开(公告)号：CN103145122A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310098028.9
申请日：2013-03-25
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂石墨烯的制备方法，属于材料合成化学领域。该制备方法通过水热处理水合肼与氧化石墨烯的混合溶液，以水合肼作为还原剂和氮源，制备氮掺杂石墨烯。控制反应条件如原料质量比、反应温度、反应时间，可以制备不同氮含量的氮掺杂石墨烯。该方法所制备的氮掺杂石墨烯的氮含量为3.9～5.7wt.%，碳氧比为12～16%。本发明提供的制备方法流程简单，能耗低，产率高，易控制，易重现，极易推广使用。
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公开(公告)号：CN102965638A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210469672.8
申请日：2012-11-19
Applicant: 西北工业大学
IPC: C23C16/26 , C22C49/14 , C22C101/12 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法，技术特征在于：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，采用HfCl4-C3H6-H2-Ar体系沉积HfC-C晶须。本发明的有益效果：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，而且设备简单易于操作。另外采取一步法制备，可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须，有望改善增强体的界面结合，以提高HfC晶须的增强效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116119651B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202211600904.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 西北工业大学
IPC: C01B32/162 , C08G83/00 , H01M4/90 , H01M4/96 , H01M4/88
Abstract: 本发明涉及一种氧乙炔火焰处理MOF阵列表面原位快速生长CNTs的方法，首先在基底上制备MOF阵列，既作为CNTs生长的基底，又为CNTs生长提供催化剂；CNTs生长的碳源来源于MOF自身热解产生的含碳小分子气体以及火焰燃烧剩余的乙炔。通过调控碳源与氧气比例、处理时间、距离等工艺参数，实现MOF阵列的快速碳化并保证阵列结构完整性，CNTs的原位快速生长。此外，CNTs与基底间具有良好的结合力。本发明相比与传统方法利用MOF制备碳纳米催化材料，该工艺制备的碳纳米催化材料保持阵列化特征，不仅可以避免后续应用中使用导电添加剂等，结构也具有良好的稳定性、大的比表面积、多的活性位点；同时，CNTs可以增大碳纳米催化剂的比表面积，暴露更多活性位点，提高导电性。
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公开(公告)号：CN119383776A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411811980.3
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 西北工业大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种电加热薄膜及其制备方法。所述电加热薄膜包括石墨烯导电织物层、电极、织物过渡层以及陶瓷封装涂层；所述石墨烯导电织物层由蒙烯纤维编织而成；所述织物过渡层分别层叠设置在所述石墨烯导电织物层的上下两个表面，并且所述织物过渡层为绝缘纤维织物层；所述陶瓷封装涂层设置于所述织物过渡层远离所述石墨烯导电织物层的表面且部分所述陶瓷封装涂层嵌入到所述石墨烯导电织物层和所述织物过渡层中；所述电极与所述石墨烯导电织物层电连接。本发明采用陶瓷封装涂层对石墨烯导电织物进行封装可以解决电加热薄膜无法实现高温下长时间加热的缺陷。
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公开(公告)号：CN118596662A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410821292.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 西北工业大学
IPC: B32B9/04 , C09D129/04 , C09D7/61 , B32B15/20 , B32B7/12 , B32B37/24 , B32B37/06 , C22C27/04 , C23C26/02 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种涂层‑基体改性一体化C/C‑W‑Cu复合材料及制备方法，属于超高温复合材料技术领域。复合材料包括由上至下依次设置的表涂层、改性基体层和基体层；表涂层为W‑Cu复合涂层，改性基体层为改性C/C‑W‑Cu基体层，基体层为C/C基体层；表涂层与改性基体层的界面处呈梯度结构，改性基体层和基体层的界面处形成钉扎结构。向C/C复合材料内引入适量W‑Cu金属材料，采用金属改性C/C复合材料，采用涂层‑基体改性一体化设计，在试样表面制备致密的防护涂层，用以解决现有技术存在单一难熔金属材料密度过高难以满足轻量化设计要求、超高温陶瓷改性组元脆性大和断裂韧性低、基体改性试样表面缺陷多和在高速粒子冲击下易产生裂纹以及单一涂层与基体热物理性质差异大和高温下易剥离的问题。
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公开(公告)号：CN118047622A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410124490.X
申请日：2024-01-29
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/83 , C04B35/52 , C04B35/80 , C04B35/56 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明公开了一种多组分碳纤维增强复合材料及低温熔渗制备方法，采用反应熔渗技术，以低熔点熔渗剂作为载体，将高熔点组元低温引入C/C复合材料，根据各组分与热解碳的反应速率差异，出现不同组分在不同区域富集的特征，降低低熔点相内部含量，提高抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN117682862A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311601832.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B35/66
Abstract: 本发明涉及一种聚合物衍生纳米碳的抗烧蚀陶瓷涂层及其制备方法，其结构特征在于采用聚合物转化陶瓷法制备复相陶瓷中含有均匀分散的纳米碳材料，通过等离子喷涂法制备含聚合物衍生纳米碳的抗烧蚀陶瓷涂层。由于在前驱体中加入含不饱和键的有机碳源，通过聚合物分子结构的前端设计使其在无机化转变过程中原位生成富含纳米碳的复相陶瓷，实现纳米碳材料在陶瓷中的均匀分布，提高制备陶瓷涂层的导热性能，降低复合材料在烧蚀环境中由于气动加热造成的热量累积，实现高效散热提高抗烧蚀防护寿命。
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