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公开(公告)号：CN115491713A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211162847.0
申请日：2022-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/23
Abstract: 本发明提供一种基于Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料的制备方法，属于单原子材料制备的技术领域。发明首先对通过阳离子交换法获得Ni掺杂的Ni/Zn金属有机骨架前驱体，然后在固相研磨加入NaCl和KCl，在氩气气氛下进行碳化处理，得到Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料。该方法操作简单，合成的Cl掺杂的Ni‑N‑C单原子材料具有高的比表面积和多级孔结构，可以暴露更多的活性位点；同时Cl掺杂诱导Ni‑N‑C单原子材料Ni原子中心配位环境和电子结构的改变，可以改变电催化二氧化碳还原反应中COOH*关键中间体的吸附能，加快动力学过程。此外，该方法合成工艺简单，适合规模化生产和应用。
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公开(公告)号：CN115436820A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210950945.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: G01R31/385 , G01R1/04
Abstract: 本发明公开了一种动力电池模组采样测试连接结构，涉及电池模组测试技术领域。该动力电池模组采样测试连接结构，包括承重架、固定机构、布线机构和传动机构，承重架的顶部固定安装有支撑板，所述固定机构包括设置于支撑板前侧的驱动组件、移动组件和夹持组件，移动组件与夹持组件相连接，移动组件可通过驱动组件驱动夹持组件相对于支撑板进行横向移动，所述布线机构设置于支撑板的上方。该模组采样测试连接结构，通过转动杆、齿辊、回形齿板、滑块A、放置槽、弹簧、横向齿板、L形板A和滑块B的配合使用，可在电池模组放置在放置槽的内部时，通过电池模组自身的重量来对电池模组进行固定限位。
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公开(公告)号：CN114032576B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202111310489.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/075 , C25B11/031 , C25B3/26 , C25B3/07 , C25B3/03 , C25B1/23
Abstract: 本发明涉及一种缺陷纳米纤维碳载体耦合铁单原子催化剂的制备方法，属于新能源纳米材料领域及催化技术领域。主旨在于解决现有催化剂比表面积低，而导致的CO2RR反应活性较低的问题。主要方案包括采用Fe掺杂的金属有机骨架、聚丙烯腈、N，N‑二甲基甲酰胺通过静电纺丝反应制备具有一维纳米纤维材料，然后通过保护气氛下的高温热处理制备Fe单原子负载在氮掺杂碳载体上，随后在二氨腈的辅助下，1100℃二次热处理移除掉碳骨架中不稳定的吡啶氮和吡咯氮，得到具有本征缺陷的碳载体负载的Fe单原子催化剂，所制备的具有本征缺陷的碳载体负载的Fe单原子纳米纤维材料具有较高催化活性和稳定性，可应用于电催化CO2还原反应的电极材料。
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公开(公告)号：CN114401014A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210001806.7
申请日：2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M9/00
Abstract: 本发明属于数字通信集成电路领域，具体涉及一种低功耗的并串转换电路。本发明将传统并串转换电路拆分为驱动电路和输出电路，采用触发器实现，通过调整触发器的连接方式、使能信号和增加三态门，降低了并行数据在转为串行输出时要经过的触发器数量，减小了数据传递出错的概率，从而降低了并串转换电路的功耗；并且提出将三态门和触发器进一步集成的方式，降低整个集成电路的面积，从功耗和面积两方面提高电路的性能。
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公开(公告)号：CN114257248A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111411383.8
申请日：2021-11-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数字通信集成电路领域，具体涉及一种低翻转率的移位寄存器型串并转换电路。本发明通过改变存储器的连接方式形成多个存储器组MB，同时增加计数器和使能产生逻辑产生存储器组的使能信号，使得串并转换电路总的翻转率从全串联的移位寄存器o(n2)降低为低翻转率串并转换电路的o(nlogn)。本发明中低翻转率串并转换电路随着存储器组数编号的增加，存储器组中的存储器数量以2的幂次增加，但翻转次数以对数速率下降，相比于现有的以为寄存器型的串并转换电路，本发明中的低翻转率串并转换电路最大翻转次数有效降低；可应用于串行输入转并行输出、数据重排、数据分发的逻辑电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107147600B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710294464.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路和通信领域，具体为一种基于神经网络的数字调制信号解调器及其解调方法。本发明利用神经网络模块对ADC转换过的调制信号进行学习，得到可以解调该调制信号时的网络权重值，以实现之后遇到相同调制方式信号的识别和解调。本发明在不改变神经网络的软件配置的情况下，同时解调n种调制信号；并且通过利用神经网络的学习能力，可以学习新的调制信号及其调制方式，实现解调。
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公开(公告)号：CN111584626A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465629.9
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型HEMT器件结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次排布的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层以及P-型层，势垒层采用特定条件下生长的ALInN层，可以获得表面较为平坦的ALInN势垒层，从而获得较高的有效表面载流子浓度，插入层为MgN层，既可以有效抓捕ALInN层中的部分缺陷，也可以提高Mg的掺杂，采用特定的生长环境生长P-型层，提高空穴浓度的同时实现稳定的阈值电压，较高的可靠性，从而提高了HEMT器件的工作效率。
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公开(公告)号：CN111129114A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911365345.6
申请日：2019-12-26
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 一种Si基GaN外延低位错薄膜，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
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公开(公告)号：CN110993689A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911322814.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，缓冲层是由GaN1/SiN/GaN2循环生长组成，包括GaN1晶核层、网状结构SiN薄层、GaN2填平层，主要通过控制这三子层生长环境中的NH3总量来控制其生长模式的不同，本发明通过循环生长GaN1/SiN/GaN2缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN105932976B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610353344.X
申请日：2016-05-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域,具体为种用于晶体振荡器的温度补偿电路。本发明的温度补偿电路产生对温度呈三次方函数的基准电压V,在控制信号Cont_R、Cont_R、Cont_R和Cont_NL作用下,实现对输出基准电压的大小、次项系数、二次项系数、三次项系数的控制,从而根据不同的晶体的温度‑频率特性,改变基准电压的温度系数以及零温度系数点。该基准电压控制变容二极管的容值,从而精确补偿晶体振荡器的振荡频率因温度变化产生的偏移,提高频率的温度稳定度。本发明实现了对不同温度特性的晶体,产生温度系数以及零温度系数点不同的基准电压,灵活性高,补偿精度高,电路结构简单,成本低,易于小型化和集成化。
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