保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法

    公开(公告)号:CN113169124A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980078390.5

    申请日:2019-11-27

    Inventor: 米山裕之

    Abstract: 本发明将具备支撑片(10)与形成在支撑片(10)的第一面(10a)上的保护膜形成用膜(13)的保护膜形成用复合片(101)中的、背面抗静电层(17)的表面电阻率设为1.0×1011Ω/□以下,并将支撑片(10)的于130℃加热2小时后的重量减少率ΔW设为1.0%以下。

    保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有保护膜的芯片

    公开(公告)号:CN105706228B

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201480060912.6

    申请日:2014-11-10

    Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用组合物、保护膜形成用片及带有保护膜的芯片,所述保护膜形成用组合物能够形成使用贴带机等贴合时的粘贴性优异、且激光打印部分的辨识性和散热性良好的保护膜,可以制造可靠性高的带有保护膜的芯片。本发明的保护膜形成用组合物含有聚合物成分(A)、固化性成分(B)、和平均粒径为2.0~10.0μm的导热性填料(C),其中,相对于(A)成分和(B)成分的总计100质量份,该保护膜形成用组合物中含有的在25℃下为液体的成分的含量为20~70质量份,相对于所述保护膜形成用组合物的总量,(C)成分的含量为40~65体积%。

    保护膜形成用复合片
    79.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106489189B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201580032859.3

    申请日:2015-09-03

    Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片,其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜,所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的,其中,在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下,所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95~103%,所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100~700MPa。

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