一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液及蚀刻方法

    公开(公告)号:CN103160909B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201110421439.8

    申请日:2011-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种用于电蚀刻非晶合金材料件的电蚀刻液及蚀刻方法。所述电蚀刻液含有5~15wt%的抛光剂,5~15wt%的蚀刻剂以及0.7~7wt%的缓蚀剂。所述蚀刻方法包括以下步骤:在所述非晶合金材料件表面设置掩模;使用化学蚀刻液对表面设置有掩模的非晶合金材料件进行化学蚀刻;使用电蚀刻液对化学蚀刻后的非晶合金材料件进行电蚀刻;以及除去电蚀刻后的非晶合金材料件表面的掩模,得到带有蚀刻图案的非晶合金材料件。根据本发明的非晶合金材料件的蚀刻方法可以有效控制蚀刻精度尺寸,使蚀刻区底纹光滑且光泽度高,提高非晶合金材料件的表面装饰性。

    一种阻隔防爆材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104249876A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201310268321.5

    申请日:2013-06-28

    Abstract: 本发明提供了一种阻隔防爆材料及其制备方法,所述阻隔防爆材料包括铝合金基材,所述铝合金基材的表面依次覆盖有厚度为2~20微米的氧化膜层和厚度为0.5~5微米的绝缘涂层;其中,所述氧化膜层通过直接对铝合金基材表面进行氧化得到。本发明提供的阻隔防爆材料,其表面具有耐腐蚀性和电阻率均较高的绝缘表层,因此其即使在水环境中也不会与储罐材料形成电化学腐蚀,能有效提高材料的使用寿命。

    用于铜表面退镍的退镀液及其制备方法和用于退去铜表面镍的方法

    公开(公告)号:CN103572306A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201210264913.5

    申请日:2012-07-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于铜表面退镍的退镀液,所述退镀液中含有以下组分的水溶液:硫酸100-200g/L;双氧水50-200g/L;乙二胺90-270g/L;半胱氨酸5-50g/L;氨基磺酸1-10g/L。本发明还提供了该退镀液的制备方法和采用该退镀液退去铜表面镍的方法。采用本发明提供的退镀液在室温下即可对待退镀工件进行处理,退镀过程中几乎不产生易挥发的刺激性气味气体,非常环保,同时不会影响铜层质量、厚度镀层的质量、以及铜层与后续镀层之间的结合力。

    一种活性钛白粉的制备方法

    公开(公告)号:CN101469140B

    公开(公告)日:2012-03-07

    申请号:CN200710307862.9

    申请日:2007-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种活性钛白粉的制备方法,其中,该方法包括使钛白粉与镀液以撞击流的形式进行接触,所述镀液含有光钛子、溶剂、稳定剂、二甲基硅油,且光钛子、溶剂、稳定剂以及二甲基硅油的重量比为(1.3-30)∶(10-50)∶(8-27)∶100。本发明实施例制备的活性钛白粉的活性指数为70-99%,明显高于商购的未活化的钛白粉的15-19%的活性。

    一种化学镀解胶液及一种非金属表面处理的方法

    公开(公告)号:CN101962763A

    公开(公告)日:2011-02-02

    申请号:CN200910108965.1

    申请日:2009-07-22

    Abstract: 本发明提供了一种化学镀解胶液,用于活化钯锡胶体中的胶体钯颗粒,所述化学镀解胶液中含有甲基磺酸和甲酸;所述化学镀解胶液中,甲基磺酸的含量为5-50g/L,甲酸的含量为1-20g/L。本发明还提供了一种采用该化学镀解胶液进行非金属表面处理的方法。本发明的化学镀解胶为甲基磺酸-甲酸体系,能有效络合Sn2+,同时酸性体系能防止Sn2+与Sn4+的水解,延长解胶液的使用寿命,无污染。采用本发明的化学镀解胶液进行非金属表面处理,解胶效果非常好,而且镀层与基材的附着力高,镀层表面平整光亮。

    一种二氧化钛表面改性方法

    公开(公告)号:CN101734714A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200810217699.1

    申请日:2008-11-27

    Abstract: 本发明提供一种二氧化钛表面改性方法,具体操作如下:i.以含硅和/或铝的含结晶水的盐为无机包覆剂,用干法研磨反应得到表面包覆二氧化硅和/或三氧化二铝的二氧化钛;ii.过滤、洗涤步骤i得到的二氧化钛。根据本发明的方法比液相沉淀法步骤简单。

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