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公开(公告)号：CN108311166B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810110112.0
申请日：2018-02-02
Applicant: 武汉科技大学
IPC: B01J27/185
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属磷化物及其制备方法。其技术方案是：将尺寸相同的铝箔和目标金属箔或将尺寸相同的铝箔和两种目标金属箔各一片浸于无水乙醇中，超声清洗，干燥，对齐堆放，得到堆放齐整的金属箔；调整二辊轧机辊缝为0.1mm，将堆放齐整的金属箔共反复对折和轧制15~50次，再于侵蚀剂中浸泡12~48h，过滤，在乙醇溶液中超声处理，取悬浮液，离心和过滤两次，干燥，即得目标二维过渡金属箔；最后将底部铺有目标二维过渡金属箔的瓷舟置于真空管式炉恒温区的下风向，将底部铺有固态磷源的瓷舟置于真空管式炉恒温区的上风向；流通氩气和300~800℃条件下保温3~12h，即得二维过渡金属磷化物。本发明生产效率高、工艺简单和产物厚度可控。
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公开(公告)号：CN108191431B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810107221.7
申请日：2018-02-02
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/65 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫化物及其制备方法。其技术方案是：将尺寸相同的铝箔和目标金属箔或将尺寸相同的铝箔和两种目标金属箔各一片浸于无水乙醇中，超声清洗，干燥，对齐堆放，得到堆放齐整的金属箔；调整二辊轧机辊缝为0.1mm，将堆放齐整的金属箔共反复对折和轧制15~50次，再于侵蚀剂中浸泡12~48h，过滤，在乙醇溶液中超声处理，取悬浮液，离心和过滤两次，干燥，即得目标二维过渡金属箔；最后将底部铺有目标二维过渡金属箔的瓷舟置于真空管式炉恒温区的下风向，将底部铺有升华硫的瓷舟置于真空管式炉恒温区的上风向；流通氩气和300~800℃条件下保温3~12h，即得二维过渡金属硫化物。本发明生产效率高、工艺简单和产物厚度可控。
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公开(公告)号：CN106915749B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710225714.6
申请日：2017-04-07
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种柱状莫来石‑片状氧化铝复合粉体及其制备方法。其技术方案是：先将60~88wt%的莫来石粉体和12~40wt%的氟化铝粉体混合均匀，制得混合粉体。再按去离子水∶所述混合粉体的质量比为(0.01~0.05)∶1，将去离子水加入到所述混合粉体中，混匀，困料，压制成型，制得坯体。然后将所述坯体置于密闭的氧化铝坩埚中，在1400~1650℃条件下保温2~16h，冷却至室温，即得柱状莫来石‑片状氧化铝复合粉体。所述莫来石粉体中的Al2O3含量≥71.8wt%，粒径≤80mm。所述氟化铝粉体的AlF3含量≥98wt%，粒径≤80mm。本发明具有制备工艺简单、易于控制、成本低和产率高的特点；用该方法制备的柱状莫来石‑片状氧化铝复合粉体纯度高和易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN108558438A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810074729.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B38/10 , C04B35/565 , C04B35/626 , C04B35/622
CPC classification number: C04B38/10 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/62635 , C04B35/6264 , C04B2235/3873 , C04B2235/428 , C04B2235/6022 , C04B2235/96 , C04B38/0074
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。其技术方案是：按稳泡剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.01)∶1配料，磁力搅拌，制得稳泡剂溶液。按异丁烯-马来酸酐共聚物∶陶瓷粉体∶稳泡剂溶液的质量比为(0.004~0.015)∶(1.80~3.10)∶1配料，混合，机械搅拌，制得氮化硅结合碳化硅陶瓷浆料。按发泡剂∶氮化硅结合碳化硅陶瓷浆料的体积比为(0.001~0.02)∶1配料，混合，机械搅拌，注入模具中，固化，脱模，干燥，在900~1200℃条件下保温，制得氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷。本发明具有工艺简单、对设备要求不高、易于控制、污染小、低温快速合成、生产成本低和节能环保的特点；所制备的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷孔隙率高和强度大。
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公开(公告)号：CN107759244A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711158534.7
申请日：2017-11-20
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种尾矿轻质保温砖及其制备方法。其方案是：将60~70wt%的废弃铜尾矿和30~40wt%的水泥混合，球磨，得球磨粉体；按稳定剂∶去离子水的质量比为(0.001~0.006)∶1，将稳定剂在去离子水中浸泡，搅拌，得稳定剂溶液；按分散剂∶碱激发剂∶去离子水∶球磨粉体的质量比为(0.001~0.003)∶(0.01~0.1)∶(0.1~0.3)∶1配料，混匀，得尾矿浆体；按稳定剂溶液∶尾矿浆体的质量比为(0.2~1)∶1配料，混合，制得尾矿浆料；按发泡剂∶尾矿浆料的体积比为(0.00025~0.0015)∶1，向尾矿浆料中加入发泡剂，搅拌，制得泡沫浆料，注入模具，固化，脱模，养护，干燥，制得尾矿轻质保温砖。本发明工艺简单、污染小和生产成本低，其制品体密小、强度高和导热系数低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107746285A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710973319.6
申请日：2017-10-18
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/581 , C04B35/584
Abstract: 本发明涉及一种三维多孔氮化物纳米陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将0.5~25wt%的原料Ⅰ、0.5~25wt%的原料Ⅱ和55~99wt%的去离子水混合，在水浴条件下搅拌，得到混合溶液。所述原料Ⅰ为硼源、铝源、硅源和钛源中的一种，其中：硼源为硼酸、氧化硼或硼酸钠，铝源为氯化铝、异丙醇铝或铝溶胶，硅源为正硅酸乙酯、硅酸钠或硅溶胶，钛源为氯化钛、钛酸四丁酯或钛溶胶；所述原料Ⅱ为三聚氰胺、氮杂胞嘧啶或二氰二胺。再将所述混合溶液冷冻成块，于冷冻干燥机中干燥，然后置于箱式气氛炉内，在氮气气氛和900~1200℃保温2~4h，即得三维多孔氮化物纳米陶瓷。本发明工艺简单、成本低和产率高，所制制品表观密度低、气孔率高和应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN105692642B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610144954.9
申请日：2016-03-14
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米棒状硼化锆粉体及其制备方法。其技术方案是：将27~39wt%的氧化锆粉体、8~16wt%的碳化硼粉体、4~8wt%的无定形炭粉体、12~26wt%的氯化钠粉体和24~36wt%的氯化钾粉体混合均匀，得到混合物。将装有所述混合物的坩埚放入匣钵内，再置于微波加热炉中，在真空度为10~50Pa、氩气气氛和1000~1200°C条件下保温20~40min，自然冷却，然后用去离子水清洗，在真空干燥箱内于65~80°C条件下保温6~12h，即得纳米棒状硼化锆粉体。本发明具有成本低、工艺简单、反应温度低、反应速率高、适合工业化生产且绿色环保的特点，所制备的纳米棒状硼化锆粉体纯度高、具备均匀的棒状结构、尺寸可控、比表面积大和烧结性能良好。
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公开(公告)号：CN107311177A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710548376.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B32/984 , B01J20/20 , B01J20/30 , B01D39/06
CPC classification number: B01J20/0251 , B01D39/06 , B01D2239/10 , B01J20/20 , B01J2220/42 , B01J2220/4806 , C01P2004/80 , C01P2006/12
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅-石墨烯复合粉体及其制备方法。其技术方案是：先将40~80份质量的膨胀石墨与20~60份质量的含硅原料混合，球磨，制得复合粉体，再于800~1400℃和氩气条件下热处理，制得碳化硅-石墨烯复合粉体；或将5~100份质量的所述催化剂的无水乙醇溶液加入到100份质量的复合粉体中，搅拌，旋蒸，在800~1400℃和流通氩气条件下热处理1~6小时，制得碳化硅-石墨烯复合粉体；或向100份质量的所述复合粉体中加入10~100份催化剂和保护剂的混合溶液，搅拌，冷冻干燥，在800~1400℃和氩气条件下热处理，制得碳化硅-石墨烯复合粉体。本发明工艺简单、生产周期短、成本低和污染小，所制制品的比表面积高、光学性能良好和电学性能优异。
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公开(公告)号：CN105036097B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510459467.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 武汉科技大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是：将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中：所述单质硅粉中的Si含量≥95wt％，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt％，粒径≤10μm。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、产物形貌易于控制和产率高的特点；所制备的一维氮化硅纳米粉体呈晶须状、直径分布均匀和长径比大。
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公开(公告)号：CN106932434A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710149127.3
申请日：2017-03-03
Applicant: 武汉科技大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米成像技术测量样品的导热系数的方法，方法包括STEP1：利用红外光脉冲加热样品；STEP2：原子力显微镜(AFM)记录样品的形变，并绘制出地形图；STEP3：根据样品的形变得到热膨胀函数；STEP4：与分析软件中存储的对照物热膨胀函数进行对照，确定待测样品对应系统中的已有对照物信息；STEP5：查看对照物的导热系数。本发明的有益效果是：不仅可以得到待测物的热膨胀率，同时得到相互关联的导热系数，功能齐全，使用简单。
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