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公开(公告)号：CN113661654A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080027301.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(4)，是硅基板，且面取向为Si(111)；压电体层(7)，使用了旋转Y切割X传播的钽酸锂；以及IDT电极(3)。若将由IDT电极(3)的电极指间距规定的波长设为λ，则压电体层(7)的膜厚为1λ以下。压电体层(7)具有由极化方向决定的正面以及负面。将钽酸锂的晶轴(XLT，YLT，ZLT)的ZLT轴投影到支承基板(4)的(111)面的方向向量k111和硅的[11‑2]方向的角度设为α111，将n设为任意的整数，此时，在IDT电极(3)被设置在压电体层(7)的正面上的情况下，角度α111在0°+120°×n≤α111≤45°+120°×n的范围内，或者在75°+120°×n≤α111≤120°+120°×n的范围内，在压电体层(7)的负面上设置有IDT电极(3)的情况下，角度α111在15°+120°×n≤α111≤105°+120°×n的范围内。
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公开(公告)号：CN111587534B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201880086213.7
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时使产生在比通带靠低频率侧的瑞利波的杂散降低。在弹性波装置(1)中，在电学上最靠近第1端子(101)的天线端谐振器是第1弹性波谐振器(3A)。在第1弹性波谐振器(3A)以及第2弹性波谐振器(3B)各自中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。根据波长、IDT电极的厚度、IDT电极的比重、电极指的宽度除以电极指周期的二分之一的值而得到的值即占空比、压电体层的厚度、低声速膜的厚度，以θB(°)为基准，第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角在θB±4°的范围内。与第1弹性波谐振器(3A)的压电体层的切割角相比，作为第1弹性波谐振器(3A)以外的至少一个弹性波谐振器的第2弹性波谐振器(3B)的压电体层的切割角与θB(°)的差异大。
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公开(公告)号：CN110999080A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880051492.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在其它弹性波滤波器中不易产生由高阶模造成的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，是硅基板；氮化硅膜(3)，层叠在支承基板(2)上；氧化硅膜(4)，层叠在氮化硅膜(3)上；压电体(5)，层叠在氧化硅膜(4)上，且由钽酸锂构成；以及IDT电极(6)，设置在压电体(5)的一个主面，关于压电体的波长归一化膜厚TLT、压电体的欧拉角θLT、所述氮化硅膜的波长归一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波长归一化膜厚TS、通过所述IDT电极的波长归一化膜厚和所述IDT电极的密度相对于铝的密度之比的积求出的、换算为铝的厚度的IDT电极(6)的波长归一化膜厚TE、支承基板(2)的传播方向Ψsi、支承基板(2)的波长归一化膜厚TSi的值，TLT、θLT、TN、Ts、TE、ψsi被设定为由下述的式(1)表示的与第一高阶模的响应强度对应的Ih、与第二高阶模的响应强度对应的Ih、以及与第三高阶模的响应强度对应的Ih中的至少一个大于-2.4，且Tsi＞20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110402539A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880016922.8
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在其他弹性波滤波器中不易产生高阶模式所引起的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)以及由钽酸锂构成的压电体(4)以及IDT电极(5)，关于由钽酸锂构成的压电体的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、支承基板(2)的传播取向ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、ψSi，使得关于第1、第2以及第3高阶模式的响应之中的至少一个响应由下述的式(1)表示的与高阶模式的响应的强度对应的Ih大于-2.4，且TSi＞20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110383686A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880016515.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供在由硅构成的支承基板内传播的高次模式的频率位置难以产生偏差的弹性波装置。该弹性波装置(1)具备：由硅构成的支承基板(2)；直接或间接地设置在支承基板(2)上且具有相对置的一对主面的压电体(4)；以及直接或间接地设置在压电体(4)的至少一个主面上且由电极指间距决定的波长为λ的IDT电极(5)，由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板(2)内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2为5500m/秒以上。Ax3+Bx2+Cx+D＝0…式(2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110383685A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015383.6
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：材料层(2)，具有欧拉角且欧拉角下的弹性常数由下述的式(1)来表示；压电体(3)，具有相互对置的第1主面以及第2主面，直接或间接地层叠于材料层(2)，具有欧拉角 且欧拉角 下的弹性常数由下述的式(1)来表示；和IDT电极(4)，设置在压电体(3)的第1主面(3a)以及第2主面(3b)之中的至少一方，由电极指间距规定的波长为λ，C56与C56之积为正的值，并且材料层(2)的C56的绝对值大于压电体(3)的C56的绝对值。[数学式1]
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公开(公告)号：CN110166017A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910065845.1
申请日：2019-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由高阶模造成的无用波且能够抑制高阶模的频率的变动的弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；高声速膜(3)，设置在支承基板(2)上；低声速膜(4)，设置在高声速膜(3)上；压电体层(5)，设置在低声速膜(4)上；以及IDT电极(6)，设置在压电体层(5)上。在高声速膜(3)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速高，在低声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(5)传播的弹性波的声速低，高声速膜3包含SiNx，且x＜0.67。
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公开(公告)号：CN110034740A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811514125.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 岩本英树
Abstract: 提供一种电子部件模块，能够抑制压电膜的破裂、缺损且能够抑制支承基板的裂纹的产生。压电膜(122)形成在由结晶基板构成的支承基板(11)上。绝缘层(16)形成在支承基板(11)上。布线电极(15)的至少一部分形成在绝缘层(16)上，布线电极(15)与IDT电极(13)电连接。外部连接电极(142)与布线电极(15)电连接。外部连接电极(142)与压电膜(122)在从支承基板(11)的厚度方向(D1)俯视观察的情况下未重叠。弹性波装置(1)经由外部连接电极(142)安装于安装基板(2)。安装基板(2)具有与支承基板(11)的线膨胀系数不同的线膨胀系数。支承基板(11)中的压电膜(122)侧的面(第一主面(111))为{100}面。
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公开(公告)号：CN109964408A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780068594.1
申请日：2017-10-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22)，根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB，压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。
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公开(公告)号：CN104380601B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380032010.7
申请日：2013-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H03H9/0222 , H03H9/02574 , H03H9/171 , H03H9/205
Abstract: 本发明提供特性良好且能抑制基于高阶模的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(2)上层叠传播的体波音速比在压电膜(5)中传播的弹性波音速更高速的高音速膜(3)，在高音速膜(3)上层叠传播的体波音速比在压电膜低音速膜(4)上层叠上述压电膜(5)，在压电膜(5)的一方的面层叠IDT电极(6)，在高音速膜的上方的结构部分，作为所利用的弹性波的主模的能量集中度为99.9％以上，且成为杂散的高阶模的能量集中度为99.5％以下。(5)中传播的体波音速更低速的低音速膜(4)，在
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