公开(公告)号：CN1372327A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105253.0

申请日：2002-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西井胜则 ,  井上薰 ,  松野年伸 ,  池田义人 ,  正户宏幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。