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公开(公告)号：CN100523285C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480011313.1
申请日：2004-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/22 , H01L35/34 , Y10S117/915
Abstract: 在热电转换元件等功能元件中，有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中，通过水蒸气的作用，使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含：在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长，使得所述层状结构与所述基体相接的工序；在腔室内，使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序；和通过分离所述层状结构和所述基体，得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
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公开(公告)号：CN100477225C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580001365.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号：CN101356658A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001279.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , H01L35/32 , H01L35/34 , Y10T156/1062
Abstract: 本发明提供比现有技术具有更高的热发电性能、能够应用于更多用途的，使用热发电元件的发电方法、热发电元件和热发电器件。该热发电元件包括：相互相对配置的第一电极和第二电极；和被第一和第二电极夹持，并且与第一和第二电极两者电连接的叠层体，叠层体具有交替地叠层有Bi2Te3层和含有Al、Cu、Ag或Au的金属层的结构，金属层与Bi2Te3层的厚度之比在金属层∶Bi2Te3层＝400∶1～20∶1的范围内，Bi2Te3层和金属层的叠层面相对于第一电极和第二电极相对的方向，以15°以上60°以下的倾斜角θ倾斜，在元件的与方向垂直的方向上产生温度差，由此，通过第一和第二电极获得电力。
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公开(公告)号：CN100385695C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200480010774.7
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种含有以式QR(L1-pZp)表示的半霍伊斯勒合金的热电转换材料。其中，Q为选自第五族元素中的至少一种元素，R为选自钴、铑、铱中的至少一种元素，L为选自锡和锗中的至少一种元素，Z为选自铟和锑中的至少一种元素，p为大于等于0小于0.5的数值。优选的半霍伊斯勒合金可以以NbCo(Sn1-pSbp)为例。本发明的热电转换材料为n型，可以形成与p型热电转换材料组合的热电转换元件。
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公开(公告)号：CN1647288A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03807996.8
申请日：2003-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/26 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L35/22 , H01L35/34 , Y10T428/12528
Abstract: 本发明的热电变换材料，在由用化学式AxCoO2所表示的层状钴氧化物类物质组成的热电变换材料中，A由选自碱金属元素及碱土元素的元素或元素组构成，并且在所述层状钴氧化物类物质的结构中的层的厚度方向上有组成的调变。
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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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