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公开(公告)号：CN112410630A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011191275.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁相变合金材料技术领域，为解决现有磁相变材料元素掺杂调控方式对磁性的改变不可控，实效可行性较差的问题，提供了一种柔性MnNiTi基磁相变合金材料及其制备方法、调控方法和应用，所述柔性MnNiTi基磁相变合金材料的化学式为Mn50Ni50‑a‑bCobTia，其中，9≤a≤12，8≤b≤10。本发明的柔性MnNiTi基磁相变合金材料通过将Co元素掺杂到MnNiTi基Heusler合金体系中，得到的合金能够在室温条件下表现出较大的磁熵变效应；调控方法基于弯曲和旋转，有效调控柔性MnNiTi基磁相变合金材料的磁各向异性，有利于获得较大的旋转磁热效应，使得磁化强度和磁热效应都有所增强，获得应变可调控的旋卡效应。
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公开(公告)号：CN111411335A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010135582.X
申请日：2020-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/58 , C23C14/10 , C23C14/02 , B22F1/02 , B22F1/00 , G01N21/65 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种大面积分布的Ag@SiO2纳米粒子的制备方法及应用。该制备方法包括以下步骤：清洗硅片；利用磁控溅射技术在硅片上溅射Ag；对溅射Ag后的硅片进行原位热处理，处理温度为200~250℃，时间为10~15min；利用磁控溅射技术在热处理后的硅片上共溅射Ag和SiO2，即获得大面积分布的Ag@SiO2纳米粒子。通过该制备方法，可直接获得大面积分布的Ag@SiO2纳米粒子，制备过程简单，所需时间短，能适应大规模生产；制得的Ag@SiO2纳米粒子作为SERS基底使用时，能提高SERS检测的重复性、准确性和灵敏度。
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公开(公告)号：CN110993230A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911071288.0
申请日：2019-11-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的稀土RE2MnCuO6材料及制备方法，本发明的材料具有正交型晶体结构，属于Pnma空间群；本发明在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为4.2-6.4J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为8.4～13.9J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为11.5～15.8J/kgK。本发明将氧化钆，氧化铽，氧化镝，氧化钬，氧化铒中的一者或多者之间的混合与氧化锰和氧化铜按混合后，与稀硝酸形成均匀溶液，加入去离子水溶解的柠檬酸，蒸干水分形成凝胶；退火后形成烧结物；压片成型，烧结后冷却得成品。本发明可应用于低温区磁制冷领域。制备方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN110373714A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910477527.6
申请日：2019-06-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及石墨烯制备领域，尤其涉及一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法。包括以下步骤：（S.1）基底准备：将磨砂玻璃经过清洗后烘干，并在表面均匀旋涂一层液相基底；（S.2）沉积生长：将涂有液相基底的磨砂玻璃固定于碳靶上方的样品台上，室温下抽真空后使用脉冲激光轰击碳靶，将碳原子沉积于液相基底上，沉积结束后继续在真空腔中放置一定时间，得到表面含有单层石墨烯的样品；（S.3）转移：将样品表面的单层石墨烯转移至洁净的目标衬底表面。本发明克服了现有单层石墨烯制备技术中制备温度较高且耗时长等缺陷，具有制备温度低、耗时短、无需催化剂以及易转移等优点，在室温下即可制备大尺寸高品质单层石墨烯。
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公开(公告)号：CN110044866A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910265560.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4-MBA探针分子的TiO2薄膜，在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成，以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑，将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷，通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境，以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109440072A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811406683.5
申请日：2018-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: C23C14/35 , B82Y40/00 , C23C14/205 , C23C14/5873 , C23C18/44 , C23C28/023
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种新颖纳米周期阵列及其制备方法。本发明克服了传统制备周期性结构的物理方法和化学腐蚀方法适用范围较小，并且不能精确地在纳米尺度设计周期阵列的图案的缺陷，创新性的利用了对局域表面等离子体的调控实现了Ag纳米粒子的特定位置的生长，并通过入射光的偏振类型和偏振角度的改变来获得不同的周期性结构。在垂直入射圆偏振光的条件下，成功制备出了六轴对称的周期性结构；在线偏振光倾斜50°入射条件下，制备出了三轴对称的纳米周期性结构。该制备方法为周期性结构的制备提供了一种新的思路，同时具有制备方法简单，能够有效的被大规模复制应用的优点。
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公开(公告)号：CN114231929B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111580560.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米圆锥形蜂窝结构的方法，本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，用旋涂的方法将PVA胶搭建在小球上，以控制小球间隙，在利用磁控溅射的方式向样品表面共溅射银、二氧化硅膜，去掉小球后，对样品进行化学腐蚀，形成蜂窝圆锥形纳米结构。本发明设计并制备得到了一种纳米蜂窝圆锥形阵列结构，这种结构大大增强了比表面积和纳米圆锥间的空腔和间隙，增强了其SERS强度。本发明采用了物理化学共同处理的手段。提出一个崭新的实验方案设计并制备了所要获得的纳米图案。
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公开(公告)号：CN117603682A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311612078.4
申请日：2023-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种通过改变制备条件实现余辉可调的Cu2+掺杂绿色荧光材料，此材料是一种具有宽发射带(～120纳米)和长余辉性能(～30分钟)的新型光学材料。此外，随着制备条件的改变，荧光发射强度改变，缺陷浓度增加(9.26倍)，余辉时间延长(～30分钟)，从而实现了余辉可调谐的过程。本发明中的余辉调制缺陷工程策略可能进一步激发制备高性能的光学信息存储和加密高性能长余辉材料的创新思想。
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公开(公告)号：CN114231928B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111578765.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种环状阶梯纳米结构的制备方法，本发明以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，利用磁控溅射进行镀膜，最后用离子束对金属膜进行多次不同程度的轰击，由于相邻球的阴影效应最终可以得到具有环状热点的多级纳米结构。本发明采用了较为简单的离子束刻蚀技术制备具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。本发明通过改变一次刻蚀和二次刻蚀的角度来形成具有高密度热点的环状阶梯纳米结构。
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公开(公告)号：CN113512708B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110754351.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/58 , B22F1/054 , B22F1/18 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/02 , B01J37/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用，首先通过磁控溅射以及等离子刻蚀刻蚀得到了中空铜纳米碗结构，通过光照射在中空铜纳米碗上，能够加强吸附分子与金属表面之间的化学相互作用，包括化学键增强、表面杂化的共振增强、声子诱导电荷转移增强等，来加强催化性能。本发明中的复合纳米结构长在硅片上，通过照射在复合结构上的光，激发复合结构上局域表面等离激元，通过金属局域表面等离激元激发出的热电子、热空穴以及化学能，来加快纳米结构中电荷的转移，从而提高催化的效率，通过金和铜的表面等离激元效应，加强了CO2的催化。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。
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