-
公开(公告)号：CN113614293A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080006855.9
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。
-
公开(公告)号：CN108025979B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
-
公开(公告)号：CN108305923B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810324504.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
-
公开(公告)号：CN107074573A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047885.3
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02 , C04B35/626
CPC classification number: C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/22 , C01P2004/50 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/111 , C04B35/626 , C04B35/62645 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/72 , C30B1/02 , C30B29/20 , C30B29/64
Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。
-
公开(公告)号：CN102822115B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201180015793.9
申请日：2011-03-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/50 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/111 , C04B35/505 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/445 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9669
Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度（1500℃）进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度（最高温度）下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2%的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105830237A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
-
公开(公告)号：CN103168014B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180050730.7
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 一种加热装置，其包括具有加热半导体的加热面的基座（2）和接合到该基座（2）的背面的支撑部（3）。基座（2）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
-
公开(公告)号：CN103201236B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180051354.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , C04B35/04 , C04B35/581
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 加热装置（1A）包括具有加热半导体W的加热面（9a）的基座（9A）、设在加热面（9a）的外侧的环状部（6A）。环状部（6A）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
-
公开(公告)号：CN103201236A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180051354.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 加热装置（1A）包括具有加热半导体W的加热面（9a）的基座部（9A）、设在加热面（9a）的外侧的环状部（6A）。环状部（6A）由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
-
公开(公告)号：CN103180267A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051175.X
申请日：2011-10-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种加热装置（11A），其包括具有加热半导体的加热面（12a）的基座（12A）。基座（12A）包括板状主体部（13）和面向加热面的表面耐腐蚀层（14）。表面耐腐蚀层（14）由以镁、铝、氧以及氮为主成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.038 seconds)
