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公开(公告)号：CN104347762B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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公开(公告)号：CN104362224B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410483424.8
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构，通过在基板支撑材料表面制备合金准备层，并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层，从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面；通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力，以解决基板弯曲问题，并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。
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公开(公告)号：CN105742450A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN103952685B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN104347762A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269470A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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公开(公告)号：CN1276122C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410017930.4
申请日：2004-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/18 , C23C16/448
Abstract: 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置，它包括衬底、石墨舟、感应圈和托架，特征是石墨舟由扁平圆柱体和圆筒体构成，圆筒体加工在扁平圆柱体的底部中央。在圆筒体的底部中间加工有用于插入测温头的内凹槽。本发明由于在传统的扁平圆柱体形状的石墨舟底部中央加工有一圆筒体，当感应圈通电工作时，石墨舟下部的圆筒体处在场强最高的区域，会吸收更多的电磁能而产生更多的热量，热量会向上传导使石墨舟的中心区域得到热量的补充，从而达到整个石墨舟上表面的温度均匀。当工作温度在600℃以上时，本发明可将衬底温度控制在2℃以内。本发明具有能够提高石墨舟的温度均匀性从而进一步提高材料生长的均匀性、结构简单的优点。
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公开(公告)号：CN114335305B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN108933187B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810947645.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN107675141B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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