公开(公告)号：CN108933187B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201810947645.4

申请日：2018-08-22

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 王光绪 ,  郭醒 ,  施维 ,  万文华 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。

公开(公告)号：CN208889689U

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201821360051.5

申请日：2018-08-22

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 王光绪 ,  郭醒 ,  施维 ,  万文华 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种发光面为平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为平面几何图形。本实用新型能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN108933187A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810947645.4

申请日：2018-08-22

Applicant: 南昌大学 ,  南昌黄绿照明有限公司

Inventor： 王光绪 ,  郭醒 ,  施维 ,  万文华 ,  刘军林 ,  江风益

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片，所述LED芯片包括基板层，基板层从下至上依次包括接触层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面保护层、键合层；基板层的上面从下至上依次设有粘结保护层、反射金属接触层，在反射金属接触层的上面设有图形化外延层；图形化外延层从下至上依次包括：互补结构层、p型层、发光层、n型层；在图形化外延层上面设有第一钝化层、N电极和第二钝化层；所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明还提出了一种发光面为特定平面几何图形的LED芯片制备方法。本发明能够节省LED封装制造端的设计制造环节和批量生产的成本，而又不增加LED芯片制造成本。