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公开(公告)号：CN115800927B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310046966.8
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。
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公开(公告)号：CN115966596A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN115357949B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202211299122.6
申请日：2022-10-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于硬件安全技术领域，公开了一种基于环形振荡器PUF的加密测试电路，包括密钥生成模块电路、测试向量输入与判决模块电路和安全扫描链电路；所述密钥生成模块电路产生密钥寄存在安全扫描链电路中；所述测试向量输入与判决模块电路判断输入的明文对汉明距离进行判断，输出判断信号为1或0，从而判断进入安全扫描链电路的为随机序列和正确的扫描测试向量的异或值或正确的扫描测试向量。本发明在解决电压影响的基础上减小PUF的面积以及功耗，生成密钥，并且对密钥进行进一步保护。
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公开(公告)号：CN115498998A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211419950.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位误差自动校正的高频晶体振荡器，包括高频晶体、负载电容、两个单刀双掷开关、环形振荡器、8分频电路、扭环形计数器、峰值检测器、缓冲器、数字模块、多路选择器和放大器，本发明在电路对高频晶体进行能量注入的同时，检测注入信号与晶体振荡信号之间的相位误差并自动校正，使相位误差始终小于45°。本发明保证了高频晶体内部能量持续高效的线性增长，大大降低晶体达到稳定振荡幅度所需的启动时间，实现快速启动；且基于相位误差自动校正技术，本发明在极大地降低启动时间的同时，大幅降低了产生能量注入信号的信号源频率精度要求，本发明显著地提升了芯片良率。
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公开(公告)号：CN114912342A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210312686.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06Q10/06 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多质量参数的封装引线键合工艺参数优化方法，先获取与引线键合质量参数相关的工艺参数和每个工艺参数的取值范围，随机组合工艺参数，通过实验和仿真收集不同工艺参数条件下的引线键合的质量参数，生成数据集，基于神经网络进行训练；结合质量参数预测模型生成目标函数，设置初始参数集合并导入质量参数预测模型，得到相应的质量参数的实时预测值；将新的工艺参数集合导入质量参数预测模型，得到满足设计要求的质量参数。本发明利用贝叶斯优化算法，自动简单地优化引线键合的工艺参数，使得最终优化过后的工艺参数的质量参数能够达到目标值，从而降低人力、物力耗费，具有成本低，速度快，精度高等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280602A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111579451.1
申请日：2021-12-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了毫米波近场成像技术领域的用于毫米波综合孔径辐射计的近场三维成像系统及方法，包括：获取目标场景的毫米波信号；基于毫米波信号构建可见度函数；基于可见度函数反演出不同距离参数下的二维场景图；基于二维场景图构建图像‑距离数据集；对图像‑距离数据集进行分区校准，构建不同区域目标的距离函数；基于距离函数构建成像模型，对目标场景进行分区域的自适应重构反演，得到毫米波图像。本发明能够提高复杂近距目标场景的成像反演图像精度。
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公开(公告)号：CN114124100A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN113922780A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111216229.5
申请日：2021-10-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可应用于Doherty PA(功率放大器)的功分器，所述功分器包括一个高通滤波电容C1、两路的高通L型网络C2与L2、低通L型网络L1与L3以及HBT(异质结双极型晶体管)的等效的输入寄生结电容Cjc、Cjp构成。与传统的威尔金森功分器相比，本申请的功分器在采用双L型匹配网络结构后，由于放大器输入寄生结电容的存在，因此相较于传统功分器，减少了所需元件的数目以及面积，提高了电路的集成度。并且结合应用在Doherty功放上，既能使功放的输入阻抗匹配、输入驻波减小，也能最终让两路的放大器实现相同的功率输出，起到了一物两用的作用。
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公开(公告)号：CN113810056A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111151692.6
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 一种基于双回路多有源谐振器的宽带高精度模数转换器，采用Sigma‑Delta结构，包括多个反馈谐振腔单元、DAC单元、采保单元以及量化器单元；模拟信号输入所述两个个反馈谐振腔单元的模拟输入端，所述第二个反馈谐振腔单元的输出端与采保电路相连接，信号经处理后再输入量化器单元，最终以数字信号的形式输出。与传统的Sigma‑Delta模数转换器相比，本发明的模数转换器通过采用多个谐振腔的方法，用简单单级和三级反相器实现有源回馈网络，降低了噪声，减小了失调，并可以有效提高带宽，提供高的精度。
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公开(公告)号：CN110895635A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910717061.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种高精度的基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型，首先确定芯片内部各个组件的尺寸及其热导率，并将这些参数代入相应的热阻计算公式中并计算出每个组件的热阻值；其次将热阻值代入热阻网络中，可以得到叠层芯片在不同工况下的结温预测模型，最后将结温预测值与仿真值作比较，得到两者之间的相对误差，以验证结温预测模型的准确性。本发明针对原先大多数叠层芯片结温预测模型效率较低、成本较高等不足，创新性地构建了叠层芯片的热阻网络模型，在所述模型中重点考虑了粘接胶的接触热阻以及各个芯片之间的热量耦合效应，提高了预测精度和热设计的效率，此外还降低了设计的成本。
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