公开(公告)号：CN102418138B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201110225427.8

申请日：2011-08-08

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 张磊 ,  沈鸿烈

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种用于全面积薄膜器件转移的制备多孔硅的装置，包括槽体，其特征在于：在所述的槽体上方开设有腐蚀槽，在槽体的下方开设有真空室，在所述的腐蚀槽与真空室之间开设有通孔，在所述的腐蚀槽底面设置有橡胶垫，所述的通孔位于橡胶垫的圈内，在所述的腐蚀槽内还设置有铂网阴电极；在所述的真空室内设置有金属探针电极，金属探针电极的上端穿出所述的通孔位于腐蚀槽内，在真空室内设置有抽真空气口。本发明的优点在于：结构简单，操作方便，能实现对单晶硅片正面的全面积腐蚀，从而实现外延器件整体转移的目的，并且能腐蚀多种尺寸的单晶硅片，腐蚀后的单晶硅片经过处理可以循环多次使用。

公开(公告)号：CN102185022B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110079703.4

申请日：2011-03-31

Applicant: 南京沙宁申光伏有限公司 ,  南京航空航天大学

Inventor： 沈鸿烈 ,  岳之浩 ,  杨超 ,  吴京波 ,  李琼 ,  李斌斌

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法，可有效减少电池背面复合中心，提高电池Rsh，提升电池的性能。所述太阳能电池的制造方法，包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结，印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀，去除背表面在扩散制结过程中由于磷吸杂所形成的含非ⅢA和/或ⅤA族元素的杂质层。所述对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀的方法为离子束刻蚀、反应离子刻蚀或电化学腐蚀。本发明可以去除电池背表面由于扩散后的背面磷吸杂（单面扩散硅片的背面也有非故意的磷扩散，尤其是背面边缘部分）而形成的高浓度的深能级杂质层，减少背面复合中心，进而减少载流子的背面复合，提高电池Rsh，提升电池的性能。

公开(公告)号：CN101182334A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710024630.2

申请日：2007-06-26

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 沈应中 ,  张义颖 ,  林明灯 ,  沈鸿烈 ,  陶弦 ,  王宁

IPC: C07F15/02 ,  C01G49/12

Abstract: 本发明公开了一种新的方法来合成金属有机配合物(SiH3)2Fe(CO)4及其在制备FeSi2薄膜材料方面的应用，其化合物的结构如下：将Fe2(CO)9或者Fe3(CO)12与HSiCl3在密闭的体系下于50－150℃下反应24～96h，之后在氮气保护下打开，在溶剂中用还原剂将其还原，抽干溶剂后升华(2.5mmHg，25℃)得到白色固体。产品用红外，核磁，元素分析等手段进行表征，证明是我们预期所要的化合物。

公开(公告)号：CN210156352U

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201921536022.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 南京航空航天大学 ,  维科诚(苏州)光伏科技有限公司

Inventor： 范维涛 ,  沈鸿烈 ,  黄钧林 ,  张鑫 ,  程晶

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L31/18 ,  G01R31/00 ,  G01N25/00 ,  G01N1/44

Abstract: 模拟太阳能电池片光照热衰减的装置，包括：底盘、连接在底盘上并向上延伸固定支架、用于放置太阳能电池片的下加热器、设置在所述固定支架上的光照加热装置、用于控制所述光照加热装置和下加热器发热量的温度控制系统，光照加热装置包括红外加热灯管，通过红外加热灯管在太阳能电池片上方模拟太阳光，并在太阳能电池片下方设置下加热器使得太阳能电池片受热均匀，通过设置温度控制系统控制太阳能电池片的温度，解决了太阳能电池片上下表面同时加热，精准控制加热温度，并在太阳能电池片上方提供光照的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利